本发明涉及机械手技术领域，公开了一种物料抓取装置及机械手，其包括至少两个夹具以及连接座，所述夹具包括支架、升降机构、压板、夹持机构和一对夹爪，所述升降机构和所述夹持机构安装于所述支架，所述升降机构与所述压板相连且驱动所述压板升降，所述夹...

本发明公开了一种摄像头的焊点缺陷检测装置，包括：图像采集模块，用于采集在摄像头输送带上传送的摄像头的图像；控制器，用于：获取所述摄像头的图像；从所述图像中提取所述摄像头的焊点特征参数；其中，所述焊点特征参数包括焊点的面积、位置和形状；当...

本发明公开了一种双头探针测试装置，包括探针部、盖合在探针部上表面的盖板部、以及连接在探针部下表面的电路板；探针部的开设有用于放置待测器件的测试凹槽，测试凹槽底部开设有若干探针通孔，探针通孔贯穿测试凹槽底部和探针部的下表面；在各探针通孔内...

本发明公开了一种抗静电塑料的制造方法，包括：在铜导线的表面镀锡，形成抗静电导线；对抗静电导线的表面进行除油及第一次干燥处理；在第一次干燥后的抗静电导线的表面涂刷硫化胶，并进行第二次干燥处理；将第二次干燥后的抗静电导线包裹在塑料基材层的外...

本发明公开了一种半导体粘接方法，属于微电子制造领域。本发明所述半导体的粘接方法创造性地引入UV胶带代替半导体在离子溅射过程中起到固定作用，不仅可保障半导体可全方位进行离子溅射，同时由于UV胶带不会发生离子刻蚀，杜绝了因夹具造成的腔室污染...

本发明公开了一种抗静电塑料，包括：包括：塑料基材层；包裹在所述塑料基材层的外表面的复合层，其中，所述复合层由抗静电导线构成，所述抗静电导线为表面镀锡的铜导线；以及，包裹在所述复合层的外表面的绝缘层。采用本发明的技术方案能够增强抗静电塑料...

本发明公开了一种防静电橡胶的制造方法，包括：提供两个橡胶块和若干金属片；其中，所述橡胶块的其中一面为粘接面；对两个所述橡胶块的粘接面进行粗糙化处理；采用导电胶将两个所述橡胶块和所述金属片粘接为一体，得到复合金属橡胶；其中，所述导电胶的成...

本发明公开一种半导体的加工方法，包括：提供用于承载半导体的载物件和至少一条粘性可控胶带；粘性可控胶带包括依次叠加的第一粘着层、基材和第二粘着层；当粘性可控胶带被加热到预设温度后，第一粘着层的粘着力降低，第二粘着层的粘着力基本不变；将至少...

本发明公开了一种半导体表面的DLC涂层的脱除方法，包括：将预先配制的清洗液注入超声波槽内，并将清洗液的温度控制在25℃～35℃；将表面镀有DLC涂层的半导体放置在超声波槽内，并完全浸泡于清洗液中；采用超声波对半导体表面的DLC涂层进行脱...

本发明公开了一种电动螺丝刀，包括螺丝刀刀头、驱动电机、增量型编码器、操作开关和电源组件；所述驱动电机的输出端与所述螺丝刀刀头连接；所述增量型编码器具有用于输出绝对值信号和/或相对值信号的信号输出单元；所述信号输出单元的一端与所述操作开关...

本发明公开了一种容器内部的镀膜方法，包括：将容器放置于真空镀膜室中；在所述容器的内部表面沉积铬层；在所述铬层上沉积碳化铬层；在所述碳化铬层上沉积复合层；其中，所述复合层为掺铬和钛的DLC层；在所述复合层的表面掺杂氟。采用本发明实施例，能...

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体固定方法，先将熔化的蜡加温至80

本发明公开了一种轴承的表面处理方法，包括：将待处理的轴承基体放置在真空室内，向真空室内通入氩气，并将真空室内的气压控制为6.0Pa～8.0Pa；向轴承基体施加200V～250V的偏压，采用磁控溅射法在轴承基体的表面进行第一次溅射，以在轴...

本发明公开了一种悬臂件的钻孔方法，包括：在悬臂件的相对的第一表面和第二表面上涂覆UV胶；将第一玻璃板粘贴在所述第一表面上，将第二玻璃板粘贴在所述第二表面上；对所述第一玻璃板与所述第一表面之间、所述第二玻璃板与所述第二表面之间的UV胶进行...

本发明公开了一种电路板的导线形成方法，包括：在基材上沉积介质层；其中，所述介质层的材料为金属，所述介质层的厚度为10

本发明涉及半导体加工技术领域，公开了一种半导体改变型变的方法，先采用离子刻蚀减薄半导体晶圆的背面，再对减薄后的半导体晶圆涂覆光刻胶，以在半导体晶圆的正面形成掩蔽图形，所述半导体晶圆的未被所述掩蔽图形掩蔽的区域为待腐蚀区域，然后将形成掩蔽...

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种减少芯片应力的加工方法，先在晶圆的正面形成抗蚀层，其中，所述晶圆的正面的未被所述抗蚀层覆盖的区域为待分割区域，再对形成抗蚀层后的晶圆的正面进行离子刻蚀，以刻蚀部分所述待分割区域，然后去除所述抗蚀层，接...

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体晶圆的分离方法，首先在半导体晶圆的正面形成第一掩膜，露出待分离区域的第一面，再对半导体晶圆的正面进行离子刻蚀，以除去部分所述待分离区域，然后采用UV胶对半导体晶圆的正面进行粘贴，接着在半导体晶圆...

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种半导体湿法刻蚀方法，先在半导体晶圆的正面和反面涂光刻胶，然后对半导体晶圆的反上的光刻胶进行曝光和显影，以形成第一掩蔽图案，其中，半导体晶圆的未被第一掩蔽图案掩蔽的区域为待分离区域，再对半导体晶圆进行第...

本发明涉及线路板技术领域，公开了一种柔性线路板的制备方法，首先，对基板进行线路制作，形成具有导电线路的基板，再将基板用离子水进行清洗，然后，将清洗后的基板放入真空室进行镀膜处理，得到柔性线路板，其中，镀膜材料为SiO2、TiO2、Al2...