一种半导体粘接方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体粘接方法，属于微电子制造领域。本发明专利技术所述半导体的粘接方法创造性地引入UV胶带代替半导体在离子溅射过程中起到固定作用，不仅可保障半导体可全方位进行离子溅射，同时由于UV胶带不会发生离子刻蚀，杜绝了因夹具造成的腔室污染及坏品生成，直接提升了半导体的产品生产效率。本发明专利技术还提供了所述半导体粘接方法在半导体器件加工中的应用。的应用。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体粘接方法


[0001]本专利技术涉及微电子制造领域，具体涉及一种半导体粘接方法。

技术介绍

[0002]半导体制造过程中，真空离子溅射是重要的加工工序。传统的真空离子溅射过程中多是采用夹具将半导体固定并连同夹具一起进行离子溅射，然而由于夹具的阻挡，无论夹具尺寸多小，半导体侧边往往均存在死角无法完全被离子溅射；而且夹具本身在离子溅射过程中也会被刻蚀，进而造成残渣脱落，可能会造成真空腔室内的气体的污染，而如果掉落在产品上，则会形成岛状的凸起，导致产品变成坏品。

技术实现思路

[0003]基于现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供了一种半导体的粘接方法，该方法创造性地引入UV胶带代替半导体在离子溅射过程中起到固定作用，不仅可保障半导体可全方位进行离子溅射，同时由于UV胶带不会发生离子刻蚀，杜绝了因夹具造成的腔室污染及坏品生成，直接提升了半导体的产品生产效率。
[0004]为了达到上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
[0005]一种半导体的粘接方法，包括以下步骤：
[0006](1)准备粘度为22～24N/in的UV胶带；
[0007](2)将UV胶带进行一段紫外光照射处理至粘度变为17～18N/in后粘接在半导体器件表面处，随后对UV胶带进行二段紫外光照射处理至粘度变为12～13N/in并同时用辊轮对UV胶带粘接区域进行排气处理；
[0008](3)将粘接后的半导体器件进行离子溅射处理；
[0009](4)取出半导体器件，对粘接的UV胶带进行三段紫外光照射处理至粘度变为0.05～0.06N/in，分离UV胶带。
[0010]本专利技术所述半导体粘接方法，利用UV胶带的解粘特性，在紫外光照射处理下可控调节至合适的粘度对半导体器件进行粘接，使半导体可有效固定在离子溅射腔内，同时也不会因照射过久而变脆或失粘导致最终脱落，相比于现有采用夹具固定半导体器件的方式不会发生器件刻蚀不完全或者产生污染或坏品的现象。
[0011]需要说明的是，本专利技术所述单位“N/in”是粘度单位“牛顿/英寸”的缩写，所述UV胶带的粘度可采用常规拉力器进行破坏性拉力测试并读取拉下时读数得到。
[0012]优选地，所述UV胶带在使用前设有PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)负载底膜，UV胶带粘接半导体时预先剥离该PET负载底膜再进行粘接。
[0013]现有市面上具有较多的UV粘粘胶，有部分产品属于喷涂或刷涂类产品，然而这些产品在使用时较繁琐，粘接区域大小和厚度偏差较大，甚至可能导致胶滴漏出等容易污染半导体器件的情况，因此，以形态固定且有负载载体的UV胶带更加符合工业化生产。
[0014]更优选地，所述UV胶带对PET负载底膜的粘着力为5～6N/20mm，加热剥离温度为
110～130℃。
[0015]当PET膜与UV胶带剥离时，UV胶带的性状由于黏着力等原因很难形成均匀的粘贴面，若粘着力较低或剥离温度较低，虽可完整剥离PET负载底膜，但其本身粘度不佳，后续对半导体器件的粘接牢固性有所削弱；若粘着力太高或剥离温度较高，不仅对UV胶带的剥离造成困难，同时还会使得剥离后的UV胶带分布不均，使用效果较差。
[0016]更优选地，所述UV胶带的厚度为20～25μm。
[0017]更优选地，所述UV胶带为深圳立邦生产的319350M产品。
[0018]优选地，所述紫外光照射处理所用紫外光的光照强度为3000～3500mj/CM2。
[0019]更优选地，所述步骤(2)中一段紫外光照射处理的时间为4～6s，二段紫外光照射处理的时间为98～102s。
[0020]更优选地，所述步骤(4)中三段紫外光照射处理的时间为175～185s。
[0021]现有工业生产中常用的紫外灯照射设备的强度多在3500mj/CM2以下，皆因过强的紫外光照会使得UV树脂固化速度过快且容易出现局部固化的情况，当其用在本专利技术所述方法时，不仅难以控制UV胶带的粘着程度，甚至可能导致其在粘接过程中出现部分脱落的风险，另一方面，若紫外光强度太低，则使得UV胶带整体的紫外光照射处理耗时较长，不利于工业规模生产。
[0022]如上所述，在特定优选的紫外光照射下，UV胶带的粘度可实现均匀变化，而由于初始的UV胶带呈黏胶液状，不利于与半导体器件粘接，在特定时间紫外光照射下，UV胶带可附着在半导体器件表面并进一步粘牢，若控制时间较短或较长，容易分别出现粘接不牢或胶体变脆过快脱落的问题。
[0023]需要特别说明的是，本专利技术所述UV胶带并不仅限于上述说明的指定商品，具有相同效果或类似效果的现有产品或自制产品同样可以代替使用。
[0024]优选地，所述步骤(3)中的离子溅射处理在真空腔室内进行。
[0025]本专利技术的另一目的在于提供所述半导体粘接方法在半导体器件加工中的应用。
[0026]本专利技术所述半导体粘接方法可令半导体器件经处理后的清洗过程中不会出现传统工艺可能出现的夹具脱落残渣(一般概率高达2.5～3％)，使得离子溅射后的坏品率从0.5％作用直接降低至0.01％以下，同时该方案不仅限于器件离子溅射处理过程中，由于其固定方式灵活且不会对半导体器件产生任何残留或污染，可根据实际情况用于半导体器件的任意加工步骤中。
[0027]本专利技术的有益效果在于，本专利技术提供了一种半导体的粘接方法，该方法创造性地引入UV胶带代替半导体在离子溅射过程中起到固定作用，不仅可保障半导体可全方位进行离子溅射，同时由于UV胶带不会发生离子刻蚀，杜绝了因夹具造成的腔室污染及坏品生成，直接提升了半导体的产品生产效率。本专利技术还提供了所述半导体粘接方法在半导体器件加工中的应用。
附图说明
[0028]图1为本专利技术实施例1所使用UV胶带在剥离后的UV胶示意图；
[0029]图2为本专利技术实施例2所使用粘着力较低UV胶带在剥离后的UV胶示意图；
[0030]图3为本专利技术实施例2所使用粘着力较高UV胶带在剥离后的UV胶示意图。
具体实施方式
[0031]为了更好地说明本专利技术的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例及对比例对本专利技术作进一步说明，其目的在于详细地理解本专利技术的内容，而不是对本专利技术的限制。本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术的保护范围。本专利技术实施、对比例所设计的实验试剂及仪器，除非特别说明，均为常用的普通试剂及仪器。
[0032]实施例1
[0033]一种半导体的粘接方法，包括以下步骤：
[0034](1)取深圳立邦319350MUV胶带(厚度22μm，设有PET负载底膜，UV胶对PET负载底膜的粘着力为5.5N/20mm，加热剥离温度为120℃，剥离后的效果如图1所示，UV胶均匀排列，粘接面均匀)粘度为23N/in的UV胶带；
[0035](2)将UV胶带采用光照强度为3200mj/CM2的紫外灯进行一段5s紫外光照射处理至粘度变为18N/in后粘接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体粘接方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)准备粘度为22～24N/in的UV胶带；(2)将UV胶带进行一段紫外光照射处理至粘度变为17～18N/in后粘接在半导体器件表面处，随后对UV胶带进行二段紫外光照射处理至粘度变为12～13N/in并同时用辊轮对UV胶带粘接区域进行排气处理；(3)将粘接后的半导体器件进行离子溅射处理；(4)取出半导体器件，对粘接的UV胶带进行三段紫外光照射处理至粘度变为0.05～0.06N/in，分离UV胶带。2.如权利要求1所述半导体粘接方法，其特征在于，所述UV胶带在使用前设有PET负载底膜，UV胶带粘接半导体时预先剥离该PET负载底膜再进行粘接。3.如权利要求2所述半导体粘接方法，其特征在于，所述UV胶带对PET负载底膜的粘着力为5～6N/20mm，加热剥离温度为110～130℃...

【专利技术属性】
技术研发人员：王世哲，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：