【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及薄膜材料制造领域，尤其涉及一种用于手机、平板等触控屏幕的类金刚石复合膜的制备方法。
技术介绍
1、手机，平板等设备的触控屏幕本身材质(例如玻璃)硬度偏低，在日常的使用和携带过程中，很容易被环境中的沙砾或钥匙等硬质物刮伤磨损，从而留下划痕甚至失效。此外，在频繁的触控使用中，使用者皮肤上的油脂和指纹很容易残留在触控屏表面上，影响屏幕的视觉清晰度和画面效果。
2、目前，在触控屏幕表面覆盖一层类金刚石碳(diamond-like carbon，dlc)膜来提高硬度、防刮耐磨或疏水疏油的技术已有应用。
3、例如，美国专利no.5,637,353公开了一种在玻璃基材表面沉积dlc膜的方法，其使用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,cvd)方法制备的dlc膜具有较好的耐磨性，然而，疏水性一般，此外，由于膜较厚也影响了透光率。美国专利no.6,280,834公开了一种在汽车玻璃基材表面使用离子束沉积-化学气相沉积法(ion beam deposition,chemical vapor deposition,ibd-cvd)法制备dlc膜的方法，其使用c2h2气体作为离子源，使用ibd方法沉积dlc，制备的dlc膜获得的高硬度sp3键的四面体非晶碳膜(ta-c)结构比例不高，硬度只有10-30gpa，不能起到很好的防刮耐磨性。
4、因此，目前采用传统方法制备的dlc膜，很难同时满足良好的膜基结合力、高硬度防刮耐磨、疏水疏油性以及高的透光率等特性要求。
5
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种类金刚石复合膜的制备方法，其在基材表面形成包括过渡层、类金刚石碳层及含氟保护层，从而获得良好的膜基结合力、高硬度、防刮耐磨性、疏水疏油性以及高透光率，以改进半导体产品的性能。
2、为达到以上目的，本专利技术提供一种类金刚石复合膜的制备方法，包括：预清洗一基材；在所述基材上形成含硅的一过渡层；在所述过渡层上形成一类金刚石碳层；对所述类金刚石碳层进行离子刻蚀并在所述类金刚石碳层上掺杂一含氟保护层，其中，控制掺杂气体在真空度为3.3×10-4pa-3.5×10-4pa，流量范围为110sccm-130sccm下进行掺杂。
3、与现有技术相比，本专利技术的dlc层具有高硬度以及良好的防刮耐磨性，而且在形成dlc层之前，首先在基材上形成过渡层，因此，由于过渡层的存在使得类dlc层的膜基结合力增强；再且，在dlc层上掺杂含氟保护层，从而在含碳保护层上形成碳-氟(c-f)键，该c-f键是很强的化学键，其具有良好的疏水疏油性，从而很好地保护基材的表面；特定地，含氟保护层在特定的真空度环境下进行，通过控制流量以获得更优的膜体性能，透光率大于95％。
4、较佳地，所述预清洗包括：利用超声波装置清洗所述基材，清洗溶剂为异丙醇，清洗时间为30-50分钟。
5、较佳地，清洗完之后还包括对所述基材进行干燥。
6、较佳地，所述过渡层的厚度为所述过渡层通过离子溅射进行沉积，沉积速率为
7、较佳地，对所述类金刚石碳层进行离子刻蚀的步骤包括：在2pa-5pa氩气气氛下，控制电流为5a-10a，电压为2500v-3000v，刻蚀时间为200-300s。
8、较佳地，所述含氟保护层的形成方法包括：所述掺杂气体为四氟化碳(cf4)，采用射频化学气相沉积法进行掺杂。
9、较佳地，所述含氟保护层的形成方法包括：控制离子能量为200-300ev,离子束密度为50-80μa/cm2，掺杂时间为10min-20min。
10、较佳地，采用零偏压进行所述掺杂。
11、较佳地，所述过渡层包括以下一种或多种物质：硅(si)、氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)；以及以下至少一种或多种物质：钛(ti)、铬(cr)、铜(cu)及其金属氧化物。
12、较佳地，所述基材为触控屏幕的基材。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种类金刚石复合膜的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预清洗包括：利用超声波装置清洗所述基材，清洗溶剂为异丙醇，清洗时间为30-50分钟。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：清洗完之后还包括对所述基材进行干燥。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述过渡层的厚度为所述过渡层通过离子溅射进行沉积，沉积速率为。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述类金刚石碳层进行离子刻蚀的步骤包括：在2Pa-5Pa氩气气氛下，控制电流为5A-10A，电压为2500V-3000V，刻蚀时间为200-300s。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述含氟保护层的形成方法包括：所述掺杂气体为四氟化碳(CF4)，采用射频化学气相沉积法进行掺杂。
7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于：所述含氟保护层的形成方法包括：控制离子能量为200-300eV,离子束密度为50-80μA/cm2，掺杂时间为10min-20min。
8.如权利要求6所述的制
9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述过渡层包括以下一种或多种物质：硅(Si)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)；以及以下至少一种或多种物质：钛(Ti)、铬(Cr)、铜(Cu)及其金属氧化物。
10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述基材为触控屏幕的基材。
...【技术特征摘要】
1.一种类金刚石复合膜的制备方法，包括：
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述预清洗包括：利用超声波装置清洗所述基材，清洗溶剂为异丙醇，清洗时间为30-50分钟。
3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于：清洗完之后还包括对所述基材进行干燥。
4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于：所述过渡层的厚度为所述过渡层通过离子溅射进行沉积，沉积速率为。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述类金刚石碳层进行离子刻蚀的步骤包括：在2pa-5pa氩气气氛下，控制电流为5a-10a，电压为2500v-3000v，刻蚀时间为200-300s。
6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：林平波，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。