【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及核辐射检测，特别是涉及一种双面镀铝薄膜的制备方法及双面镀铝薄膜。
技术介绍
1、核电是推动能源结构转型，实现能源利用清洁化的关键力量之一，核能的使用应该更加谨慎，否则将会增加各类辐射事故的风险。在大力发展核电产业中，核电仪器仪表需求必不可少，是保障核电站安全运行的关键设备。
2、核能开发、核科学技术研究和公共安全都对辐射探测技术提出了更高的要求，核辐射探测器成为不可缺少的探测设备。其中，α、β表面污染监测仪是α、β表面污染最常用监测仪器仪表之一，镀铝薄膜可以透过α、β射线，同时阻止可见光通过，由于光电倍增管对光反应灵敏，若没有该材料，将无法阻挡可见光以实现对α、β表面污染的监测，因此，镀铝薄膜是α、β表面污染监测仪的关键部件之一。α、β表面污染监测仪使用的镀铝薄膜使用成本高，因此，亟需一种双面镀铝薄膜及其制备方法以降低α、β表面污染监测仪用镀铝薄膜的使用成本。
技术实现思路
1、基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种双面镀铝薄膜的制备方法及双面镀铝薄膜以解决当前α、β表面污染监测仪用镀铝薄膜使用成本高的问题。
2、第一方面，本专利技术提供了一种双面镀铝薄膜的制备方法，包括以下步骤：
3、提供一pet基膜带置于惰性气体环境中；
4、在第一时段，采用惰性气体离子对pet基膜带进行辉光清洗；
5、在第二时段，采用微小铝靶电流对pet基膜带进行打底处理；
6、在第三时段，将高纯度铝沉积在pet基膜的双面
7、在其中一个实施例中，在第一时段、第二时段和第三时段对pet基膜带的处理均在磁控溅射沉积室内完成。
8、在其中一个实施例中，在第一时段，控制磁控溅射沉积室的负偏压为-80v～-800v，气压为1.5pa～3.5pa；
9、在第二时段，控制磁控溅射沉积室的负偏压为-60v～-200v，气压为0.3pa～1.2pa，磁控溅射铝靶的电流为0.3a～1.0a，靶基距为10cm～60cm；
10、在第三时段，控制磁控溅射沉积室的负偏压为-60v～-200v，气压为0.3pa～1.2pa，磁控溅射铝靶的电流为1.0a～3.5a，靶基距为10cm～60cm。
11、在其中一个实施例中，第一时段为3min～10min，第二时段为30min～90min，第三时段为5min～60min。
12、在其中一个实施例中，第一时段开始前采用磁控溅射卷绕镀膜机将pet基膜带送入磁控溅射沉积室，第三时段完成后采用磁控溅射卷绕镀膜机收取双面镀铝薄膜，磁控溅射沉积室设置于磁控溅射卷绕镀膜机的放卷辊和收卷辊之间。
13、在其中一个实施例中，第一时段开始之前对磁控溅射沉积室进行抽真空至真空度为3×10-3pa～4×10-2pa，然后向磁控溅射沉积室充入惰性气体，惰性气体为质量纯度大于99.999％的氩气或氦气。
14、在其中一个实施例中，采用磁控溅射卷绕镀膜机将pet基膜带送入磁控溅射沉积室以及收取双面镀铝薄膜时，放卷辊和收卷辊的转动速度为1rpm～10rpm。
15、在其中一个实施例中，pet基膜带的宽度为1000mm～5000mm。
16、第二方面，本专利技术还提供了一种双面镀铝薄膜，采用上述双面镀铝薄膜的制备方法制备，包括pet基膜以及沉积于所述pet基膜两侧的铝膜。
17、在其中一个实施例中，pet基膜的厚度为2μm～12μm，pet基膜两侧的铝膜的厚度均为10nm～125nm。
18、本专利技术的有益效果是：
19、(1)本专利技术的双面镀铝薄膜的制备方法能够制备出用于α、β表面污染监测仪的镀铝薄膜，降低α、β表面污染监测仪的使用成本。
20、(2)本专利技术的双面镀铝薄膜的制备方法，采用磁控溅射卷绕镀膜技术，低温沉积，有效避免制备过程中损坏pet基膜的可能；采用氩离子对pet基膜带进行辉光清洗，能够提升铝膜与pet基膜的结合力；采用微小铝靶电流对pet基膜带进行打底处理，突破了柔性材料表面均匀成膜技术，改善异种材料结合力差的问题，同时提高铝膜在pet基膜上的生长沉积程度。
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1.一种双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，在第一时段、第二时段和第三时段对PET基膜带的处理均在磁控溅射沉积室内完成。
3.根据权利要求2所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，在第一时段，控制磁控溅射沉积室的负偏压为-80V～-800V，气压为1.5Pa～3.5Pa；
4.根据权利要求3所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，第一时段为3min～10min，第二时段为30min～90min，第三时段为5min～60min。
5.根据权利要求2所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，第一时段开始前采用磁控溅射卷绕镀膜机将所述PET基膜带送入磁控溅射沉积室，第三时段完成后采用磁控溅射卷绕镀膜机收取所述双面镀铝薄膜，磁控溅射沉积室设置于所述磁控溅射卷绕镀膜机的放卷辊和收卷辊之间。
6.根据权利要求4或5任意一项所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，第一时段开始之前对所述磁控溅射沉积室进行抽真空至真空度为3×10-3Pa～4×10-2Pa，
7.根据权利要求6所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射卷绕镀膜机将所述PET基膜带送入磁控溅射沉积室以及收取所述双面镀铝薄膜时，放卷辊和收卷辊的转动速度为1rpm～10rpm。
8.根据权利要求7所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，所述PET基膜带的宽度为1000mm～5000mm。
9.一种双面镀铝薄膜，采用如权利要求1至8任意一项所述双面镀铝薄膜的制备方法制备，其特征在于，包括PET基膜以及沉积于所述PET基膜两侧的铝膜。
10.根据权利要求9所述的双面镀铝薄膜，其特征在于，所述PET基膜的厚度为2μm～12μm，所述PET基膜两侧的铝膜的厚度均为10nm～125nm。
...【技术特征摘要】
1.一种双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，在第一时段、第二时段和第三时段对pet基膜带的处理均在磁控溅射沉积室内完成。
3.根据权利要求2所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，在第一时段，控制磁控溅射沉积室的负偏压为-80v～-800v，气压为1.5pa～3.5pa；
4.根据权利要求3所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，第一时段为3min～10min，第二时段为30min～90min，第三时段为5min～60min。
5.根据权利要求2所述的双面镀铝薄膜的制备方法，其特征在于，第一时段开始前采用磁控溅射卷绕镀膜机将所述pet基膜带送入磁控溅射沉积室，第三时段完成后采用磁控溅射卷绕镀膜机收取所述双面镀铝薄膜，磁控溅射沉积室设置于所述磁控溅射卷绕镀膜机的放卷辊和收卷辊之间。
6.根据权利要求4或5任意一项所述的双...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭巧琴，杨忠，李欣，齐源昊，高培虎，郭永春，刘磊，夏峰，马志军，
申请(专利权)人：西安工业大学，
类型：发明
国别省市：
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