具有类金刚石复合膜的结构制造技术

本发明专利技术具有类金刚石复合膜的结构包括：一基材；形成在所述基材上的一含硅过渡层；以及形成在含硅过渡层的复合膜，其中所述复合膜包括氟及类金刚石碳。本发明专利技术具有良好的膜基结合力、高硬度防刮耐磨性、疏水疏油性以及高透光率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜材料领域，尤其涉及一种用于手机、平板等触控屏幕的具有类金刚石复合膜的结构。

技术介绍

1、手机，平板等设备的触控屏幕本身材质(例如玻璃)硬度偏低，在日常的使用和携带过程中，很容易被环境中的沙砾或钥匙等硬质物刮伤磨损，从而留下划痕甚至失效。此外，在频繁的触控使用中，使用者皮肤上的油脂和指纹很容易残留在触控屏表面上，影响屏幕的视觉清晰度和画面效果。

2、目前，在触控屏幕表面覆盖一层类金刚石(diamond-like carbon，dlc)膜来提高硬度、防刮耐磨或疏水疏油的技术已有应用。但是传统的dlc膜很难同时满足良好的膜基结合力、高硬度防刮耐磨、疏水疏油性以及高的透光率等特性要求。

3、因此，亟待一种改进的具有类金刚石复合膜的结构，以克服上述缺陷。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种具有类金刚石复合膜的结构，其具有良好的膜基结合力、高硬度防刮耐磨性、疏水疏油性以及高透光率，以改进半导体产品的性能。

2、为达到以上目的，本专利技术提供一种具有类金刚石复合膜的结构，包括：

3、一基材；

4、形成在所述基材上的一含硅过渡层；以及

5、形成在含硅过渡层的复合膜，其中所述复合膜包括氟及类金刚石碳。

6、与现有技术相比，本专利技术的dlc复合膜具有高硬度以及良好的防刮耐磨性，该dlc复合膜在dlc层的界面上掺杂氟，从而在含碳保护层上形成碳-氟(c-f)键，该c-f键是很强的化学键，其具有良好的疏水疏油性，从而很好地保护基材的表面；而且该dlc复合膜形成在过渡层之上，由于过渡层的存在使得类dlc层的膜基结合力增强；而且，该复合膜的透光率高，光损耗少。

7、较佳地，所述复合膜包括形成在所述含硅过渡层上的类金刚石碳层以及掺杂在所述类金刚石碳层的界面上的含氟保护层。

8、较佳地，所述复合膜的厚度范围为

9、较佳地，所述含硅过渡层包括以下一种或多种物质：硅(si)、氧化硅(sio2)、氮化硅(sin)。

10、较佳地，所述含硅过渡层还包括以下至少一种或多种物质：钛(ti)、铬(cr)、铜(cu)及其金属氧化物。

11、较佳地，所述含硅过渡层的厚度范围为

12、说明书附图

13、图1为本专利技术具有类金刚石复合膜的结构一个实施例的结构示意图。

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【技术保护点】

1.一种具有类金刚石复合膜的结构，包括：

2.如权利要求1所述的具有类金刚石复合膜的结构，其特征在于：所述复合膜包括形成在所述含硅过渡层上的类金刚石碳层以及掺杂在所述类金刚石碳层的界面上的含氟保护层。

3.如权利要求1所述的具有类金刚石复合膜的结构，其特征在于：所述复合膜的厚度范围为

4.如权利要求1所述的具有类金刚石复合膜的结构，其特征在于：所述含硅过渡层包括以下一种或多种物质：硅(Si)、氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)。

5.如权利要求4所述的具有类金刚石复合膜的结构，其特征在于：所述含硅过渡层还包括以下至少一种或多种物质：钛(Ti)、铬(Cr)、铜(Cu)及其金属氧化物。

6.如权利要求1所述的具有类金刚石复合膜的结构，其特征在于：所述含硅过渡层的厚度范围为

【技术特征摘要】

1.一种具有类金刚石复合膜的结构，包括：

2.如权利要求1所述的具有类金刚石复合膜的结构，其特征在于：所述复合膜包括形成在所述含硅过渡层上的类金刚石碳层以及掺杂在所述类金刚石碳层的界面上的含氟保护层。

3.如权利要求1所述的具有类金刚石复合膜的结构，其特征在于：所述复合膜的厚度范围为

4.如权利要求1所述的具有类金刚石复合膜的结构，...

【专利技术属性】
技术研发人员：林平波，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：