雾化CVD成膜装置和成膜方法制造方法及图纸

技术编号：40957796 阅读：2 留言：0更新日期：2024-04-18 20:35

本发明专利技术是一种雾化CVD成膜装置(1)，具备成膜室(10)和加热器(20)：成膜室(10)具备：使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾(6)流入的开口即雾流入口(12)、载置成膜对象物(30)的工作台(11)以及使成膜雾(6)流出的开口即雾流出口(13)；加热器(20)加热工作台(11)；将在工作台(11)上方以与成膜雾(6)的流通方向正交的截面进行切断而得的切断面中的成膜室(10)内的空间的截面积即成膜室内截面积(S1)、与以与成膜雾(6)的流通方向正交的截面切断雾流出口(13)而得的切断面中的雾流出口(13)的空间的截面积即流出口截面积(S2)进行比较时，流出口截面积(S2)比成膜室内截面积(S1)小。

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及雾化cvd(mist-cvd)成膜装置和成膜方法。

技术介绍

1、作为在基板进行成膜的方法，已知有称为雾化cvd法的方法。雾化cvd法具有如下特征：(1)可在大气中成膜(非真空工艺)，(2)可在立体物成膜，(3)可期待低成本化的工艺，(4)可进行纳米级的膜厚控制，(5)可进行可用于晶体管的水平的高品质薄膜的成膜等；并期待使用α－ga2o3制作功率半导体材料等各种应用的展开。

2、在专利文献1中记载了使用管状炉的类型的雾化cvd成膜装置。这种类型被称为热壁型雾化cvd成膜装置，具有装置构成简单且能够加热至高温的特征。

3、在专利文献2中记载了将基板的表面与成膜室的内壁的距离设定为0.1mm～10.0mm的范围的距离的、成膜室内高度小的细微通道型雾化cvd成膜装置。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本特开2016－72526号公报

7、专利文献2：日本特开2005－307238号公报

技术实现思路

1、在专利文献1所示的热壁型雾化cvd成膜装置中，在圆筒型的石英管的外部配置加热器来加热基板。然而，这种类型的雾化cvd成膜装置存在如下问题：使雾流动时的成膜室内的温度、流速的分布变大，难以稳定地制作符合目标的膜。另外，由于管状炉使用一根连接的石英管，所以难以使基板周围的材质和从雾流入口到基板的材质不同。

2、在专利文献2所示的细微通道型雾化cvd成膜装置中，与热壁型雾化cvd

3、本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供能够得到高品质的膜的雾化cvd成膜装置和使用该雾化cvd成膜装置的成膜方法。

4、本专利技术的雾化cvd成膜装置的一个方式具备：成膜室，具备使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾流入的开口即雾流入口、载置成膜对象物的工作台、以及使上述成膜雾流出的开口即雾流出口；以及，加热器，加热上述工作台；将在上述工作台上方以与上述成膜雾的流通方向正交的截面进行切断而得的切断面中的上述成膜室内的空间的截面积即成膜室内截面积、与以与上述成膜雾的流通方向正交的截面切断上述雾流出口而得的切断面中的上述雾流出口的空间的截面积即流出口截面积进行比较时，上述流出口截面积比上述成膜室内截面积小。

5、本专利技术的雾化cvd成膜装置的另一方式具备：成膜室，具备使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾流入的开口即雾流入口、载置成膜对象物的工作台、以及使上述成膜雾流出的开口即雾流出口；以及加热器，加热上述工作台；位于上述成膜室内比上述工作台更靠近上述雾流入口一侧的部件的热导率比上述工作台的材料的热导率低。

6、本专利技术的雾化cvd成膜装置的又一方式具备：成膜室，具备使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾流入的开口即雾流入口、载置成膜对象物的工作台、以及使上述成膜雾流出的开口即雾流出口；以及加热器，加热上述工作台；位于上述成膜室的顶面的部件的热导率比上述工作台的材料的热导率低。

7、本专利技术的成膜方法使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾流入到本专利技术的雾化cvd成膜装置的成膜室，对载置于工作台的成膜对象物进行利用雾化cvd法的成膜。

8、根据本专利技术，可以提供能够得到高品质的膜的雾化cvd成膜装置和成膜方法。

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【技术保护点】

1.一种雾化CVD成膜装置，具备成膜室和加热器，

2.根据权利要求1所述的雾化CVD成膜装置，其中，所述工作台的上方的所述成膜室内的空间的高度为10mm以下。

3.根据权利要求1或2所述的雾化CVD成膜装置，其中，位于所述成膜室内比所述工作台更靠近所述雾流入口一侧的部件的热导率比所述工作台的材料的热导率低。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的雾化CVD成膜装置，其中，位于所述成膜室的顶面的部件的热导率比所述工作台的材料的热导率低。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的雾化CVD成膜装置，其中，在所述成膜室内比所述工作台更靠近所述雾流入口的一侧设置有斜面，所述斜面的所述雾流入口侧低且所述工作台侧高。

6.根据权利要求5所述的雾化CVD成膜装置，其中，所述斜面在靠近所述工作台的一侧具有平坦面。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的雾化CVD成膜装置，其中，所述雾流出口的空间的高度比所述工作台的上方的所述成膜室内的空间的高度小。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的雾化CVD成膜装置，其中，所述雾流出

9.一种雾化CVD成膜装置，具备成膜室和加热器，

10.一种雾化CVD成膜装置，具备成膜室和加热器，

11.一种成膜方法，使包含成膜原料的雾和载气的成膜雾流入到权利要求1～10中任一项所述的雾化CVD成膜装置的成膜室，对载置于工作台的成膜对象物进行基于雾化CVD法的成膜。

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【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种雾化cvd成膜装置，具备成膜室和加热器，

2.根据权利要求1所述的雾化cvd成膜装置，其中，所述工作台的上方的所述成膜室内的空间的高度为10mm以下。

3.根据权利要求1或2所述的雾化cvd成膜装置，其中，位于所述成膜室内比所述工作台更靠近所述雾流入口一侧的部件的热导率比所述工作台的材料的热导率低。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的雾化cvd成膜装置，其中，位于所述成膜室的顶面的部件的热导率比所述工作台的材料的热导率低。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的雾化cvd成膜装置，其中，在所述成膜室内比所述工作台更靠近所述雾流入口的一侧设置有斜面，所述斜面的所述雾流入口侧低且所述工作台侧高。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：白木宏，菅大介，岛川祐一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：

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