一种具有异质微槽道结构的热沉及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及一种具有异质微槽道结构的热沉及其制备方法和应用。本发明专利技术所提供的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，在SiC热沉的基础上，增加了高导热性的金刚石，制备金刚石和SiC组成的热沉，并且该热沉内具有微槽结构，可以在实现微槽结构提高散热性能的同时，保证热沉的完整性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体材料，具体而言，涉及一种具有异质微槽道结构的热沉及其制备方法。

技术介绍

1、在现代高性能电子设备中，半导体器件的散热问题日益突出。为了保证电子设备的稳定运行和寿命，散热技术变得至关重要。以半导体激光器为例，其具有体积小、质量轻、能耗小、易调制、可以批量化生产等众多优点，被广泛应用于工业加工、信息通信、医疗、生命科学和军事等领域。然而，激光器芯片工作时会产生大量的热。同时，各层材料存在的电阻也会产生焦耳热，这使得很大一部分电能转化为热能，加之芯片材料的热导率低，热量不能快速传导出去，从而导致有源区温度升高，有源区材料禁带宽度变小，严重影响激光器的寿命和可靠性。

2、随着技术不断更新进步，应用市场对激光器的输出功率提出了更高的要求，而输出功率的提高，伴随着的则是更多热量的产生，这对激光器的散热管理提出了更高的要求。提升激光器的散热能力，可以减少热量在有源区的积蓄，降低有源区的温度，提高效率，降低工作电流，减小波长，改善光斑输出等。研究发现，激光器芯片对传导冷却半导体激光器的总散热贡献仅为8％。因此，激光器的散热设计应更多地集中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，在步骤(b)中，在所述图像化的SiC底层上采用电感耦合等离子体进行刻蚀形成所述微槽。

3.根据权利要求1所述的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，在步骤(c)中，在所述溅射Ni层的过程中，所述Ni层的厚度为100nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，在步骤(d)中，满足以下条件中的至少一个：

5.根据权利要求1所述的具有异质微槽结构的热沉的制...

【技术特征摘要】

1.一种具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，在步骤(b)中，在所述图像化的sic底层上采用电感耦合等离子体进行刻蚀形成所述微槽。

3.根据权利要求1所述的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，在步骤(c)中，在所述溅射ni层的过程中，所述ni层的厚度为100nm～500nm。

4.根据权利要求1所述的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，其特征在于，在步骤(d)中，满足以下条件中的至少一个：

5.根据权利要求1所述的具有异质微槽结...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宇亭，张鲁川，高爽，张志国，
申请(专利权)人：中电科第三代半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：