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本发明涉及半导体材料技术领域，具体而言，涉及一种具有异质微槽道结构的热沉及其制备方法和应用。本发明所提供的具有异质微槽结构的热沉的制备方法，在SiC热沉的基础上，增加了高导热性的金刚石，制备金刚石和SiC组成的热沉，并且该热沉内具有微槽结构...
该专利属于中电科第三代半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中电科第三代半导体科技有限公司授权不得商用。

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