本发明公开了一种Booth编码器以及基于该Booth编码器的模(2n-1)乘法器。本发明是针对现有的模(2n-1)乘法器耗费资源，速度较低而提出的。其中，Booth编码器由Booth译码器和Booth选择器组成，Booth译码器包括第一...

本发明公开了一种高阶曲率补偿的带隙基准电压源，具体包括启动电路、辅助基准电路与指数曲率补偿电路、对数曲率补偿电路和电流叠加电路。本发明的基准电压源通过辅助基准电路与指数曲率补偿电路在低温区采用了指数曲率补偿，通过对数曲率补偿电路在高温区...

一种具有空穴阻挡层的绝缘栅双极型晶体管，属于功率半导体器件技术领域。本发明在传统IGBT结构的基础上，在器件的N-漂移区内引入一到多层连续或不连续的N+空穴阻挡层，N+空穴阻挡层的引入有效的减缓了正向导通时N-漂移区内少子空穴向发射极的...

一种具有体电极的沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管中引入沟槽型多晶硅体电极，通过优化体电极上的电压，可以改善传统沟槽栅型绝缘栅双极型晶体管电场在沟槽栅下集中的缺点，有效的降低了...

一种深槽侧氧调制的平面型绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在常规电场阻止平面型绝缘栅双极型晶体管结构中引入由P型浮空层、深槽二氧化硅氧化层和深槽体电极构成的深槽体电极结构，实现一个额外电场的引入，帮助横向耗尽N-pi...

一种改进的平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统平面非穿通型绝缘栅双极型晶体管中引入体电极结构，所述体电极结构位于两个P型基区5之间的N-漂移区中，由体电极二氧化硅氧化层所包围的和凹槽型多晶硅体电极组成。通过优...

本发明公开了一种应用于扩频通信系统的信号检测方法，它是根据不同信道的特性在接收端将接收信号划分为若干个子序列或子矩阵，通过提取每一子序列或子矩阵的发射数据和导引值并分别求均值的方法得到每一子序列或子矩阵的发射数据估计值和信道估计值，再利...

一种基于MOS控制的增强型GaN异质结场效应晶体管，属于功率半导体器件技术领域。包括单片集成的低压MOS管和耗尽型GaN异质结场效应晶体管；其中，MOS管的漏极和耗尽型GaN异质结场效应晶体管的源极相连；二者的栅极互连，或者GaN异质结...

一种基于P型外延层的BCD集成器件及其制造方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在同一衬底上集成了高压nLDMOS器件、高压nLIGBT器件、低压PMOS器件、低压NMOS器件、低压PNP器件和低压NPN器件，各器件制作于P型衬底表面...

一种应变动态随机存储器存储单元结构及制作方法，涉及半导体材料中应变增强晶体管结构及制作方法，特别是DRAM存储单元的结构及制作方法。本发明提供的DRAM存储单元包含有开关MOS晶体管9和单元电容10，其特征在于在单元电容10所在区域引入...

本发明公开了一种槽型功率MOSFET器件，涉及半导体功率器件和射频功率器件技术领域。通过N+槽区纵向穿过衬底直到器件底部，将表面N+源区、源极金属场板和底部N+源接触区连通形成等势体，源极从器件底部引出。这不仅消除了源极的外延线电感，降...

本发明公开了一种基于磁控光纤参量振荡器的全光3R再生装置，包括了光波分复用器、高非线性光纤或磁光高非线性光纤、光解复用器、光放大器、分光器、磁光控制单元。基准光信号通过磁控光纤参量振荡器形成高功率的光时钟信号，并与待整形的同步多波长信号...

一种增强型AlGaN/GaN?HEMT器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。器件包括位于衬底表面的AlGaN/GaN异质结和栅、源、漏电极结构，其中栅介质薄膜材料中具有F离子或Cl离子固定负电荷。本发明通过在栅介质薄膜中引入F离子或...

本发明公开了一种机电设备的动态预防性维护方法，该方法包括步骤：故障预测；故障诊断；动态生成预防性维护方法；预防性维护绩效评估及结果反馈。该方法充分考虑了各类故障模式在机电设备全生命周期各阶段的预防性维护内容、预防性维护方式、故障危害程度...

本发明涉及一种新的抗抑郁复方制剂的配方以及制备方法。设计了一种由人参皂苷、缬草和Omega-3(或鱼油)共同组成新型抗抑郁复方制剂，以及确定了该复方制剂的配比和制备方式。该复方制剂在实验中被证实具有抗抑郁作用，具有安全可靠、成本低廉的特...

本发明公开了一种高速移动环境下的信道估计方法，该方法利用基于基扩展模型的信道估计方法得到导频符号位置处的信道估计值，然后计算导频符号位置处基于基扩展模型的信道估计方法所对应的最优时间域内插系数，最后使用得到的导频符号位置处的信道估计值和...

一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待背面工艺完成之后...

ZnFe2O4铁氧体薄膜制备方法，属于电子材料技术领域。本发明包括下述步骤：1)ZnFe2O4铁氧体靶材的制备：采用氧化物陶瓷工艺，以Fe2O3、ZnO为原料，按分子式ZnFe2O4配料，球磨，烘干后预烧；二次球磨烘干，加入10％的聚乙...

一种带状电子注行波管多级降压收集极，属于真空电子技术领域。包扩多级依次降压的电子收集电极，主体收集电极包括依次相连的电子注通道、过渡腔体和椭圆柱腔体，后一级电子收集与前一级电子收集电极相比，其电子注通道截面尺寸逐渐增大、离心率逐渐减小，...

一种投影仪用光学引擎，属于投影显示技术领域。RGB三基色激光光源产生的激光分别经三个光束耦合器输出三组阵列光；匀光系统包括三个准直透镜阵列，每个准直透镜阵列由光学长度为1/4节距的渐变折射率透镜单元组成；三组阵列光分别经三个准直透镜阵列...