本发明公开了一种电荷泵电路，具体包括：启动单元、阈值基准单元、电流镜单元和运算放大器，具体连接关系是：所述启动单元为阈值基准单元和电流镜单元提供启动电压，所述运算放大器的输出端分别与阈值基准单元的输入端和电流镜单元的第一输入端相连；所述...

一种双栅功率MOSFET器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在普通双栅LDMOS器件的基础上，通过将与漏极金属相连的漏极接触区向有源层下方延伸，形成纵向漏极接触区（12a），并在有源层和衬底之间引入一层与纵向漏极接触区（12a）下端...

本发明公开了一种栅边缘凹槽型源场板结构的高电子迁移率晶体管（HEMT），属于半导体器件领域。所述高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、势垒层、源极、栅极、漏极、钝化层和源场板；还包括栅漏区凹槽，所述栅漏区凹槽是在栅漏区沿栅极边缘、而在势...

一种能够有效防止电荷失衡的超结VDMOS器件，属功率半导体器件领域。本发明在常规超结VDMOS的超结结构中与外延区（3）导电类型相反的柱区（4）中掺入深能级杂质（对N沟道器件，掺入施主杂质S、Se或Te；对于P沟道器件，掺入受主杂质In...

本发明公开了一种SAR图像目标识别方法，本发明的方法利用稀疏表示理论将目标数据表示为训练样本的线性组合，通过求解最优化问题得到了具有可区分能力的近似非负稀疏系数，然后基于各类别系数和的大小确定样本的类别。本发明的方法训练样本系数值的大小...

本发明提供一种适用于大规模实时数据流的查询处理方法，根据输入的查询任务的FROM子句，将查询分解为对FROM子句中各数据流的单独查询，合并所有数据流的单独查询结果并形成最终查询结果；每个数据流的单独查询通过对SELECT子句以及WHER...

该发明属于嵌入式浏览器的JavaScript引擎动态编译及执行方法，包括：组合式缓冲区的建立及其扩展，脚本热点及编译抽象语法树，扫描抽象语法树及字节码、目标码的编译，脚本执行及热点区域的确定、编译。该发明在嵌入式浏览器的JavaScri...

本发明提供一种基于角度梯度弹性阻抗的储层预测方法，通过构造不同入射角度下的角度梯度弹性阻抗剖面图来进行储层预测，以角度梯度弹性阻抗与基本弹性阻抗的比值的初始模型为反演计算的初始解，计算得到整个待测区剖面的特定入射角对应的对角度梯度弹性阻...

本发明提供了一种测量黑硅材料与金属电极之间欧姆接触电阻率的方法，其方案为：针对在单晶硅表面通过刻蚀得到的黑硅材料，在其表面用欧姆接触制备工艺沉积至少6个圆点形金属电极；在单晶硅背面沉积金属对电极；使用热压焊工艺从每一个圆点形金属电极的内...

本发明公开了一种数字示波器单端有源探头电路，是结合高速信号完整性测试要求，通过分析单端有源探头的宽带测试原理，结合现有元器件而提出的。通过阻抗变换模块实现了单端有源探头高输入阻抗、输入电容尽量小，同时输出阻抗小的要求，同时通过输出电路，...

本发明公开了一种基于“微井”的气体传感器阵列及其制作方法，①所述气体传感器阵列采用MEMS技术，在SOI晶片表面制备叉指电极，在叉指电极上用SU-8光刻胶制作了出微井隔离层，可防止制备敏感膜时不同叉指电极间敏感材料的交叉污染，每个传感器...

本发明实施例公开了一种红外焦平面阵列探测器的读出电路，包括至少两个列读出电路，每个列读出电路包括第一晶体管、第二晶体管、参比电阻和列输出端；第一晶体管的源极连接到微测辐射热计阵列中的微测辐射热计，漏极连接到第二晶体管的漏极，栅极连接到V...

本发明公开了一种微弱光纤传感信号检测系统及方法，所述系统包括：第一腔镜,可调光衰减器，半导体光放大器和第二腔镜，所述第一腔镜,可调光衰减器，半导体光放大器和第二腔镜组成半导体光放大器谐振腔，所述第一腔镜和第二腔镜作为半导体光放大器谐振腔...

本发明公开了一种路基沉降的监测方法及其装置，包括监测结点，所述监测结点包括一个容器，所述容器内设置有液体，所述容器上设置有检测仪，所述检测仪用于监测液面高度的变化，并将监测的情况传输给监测中心；在所要监测路基上，每隔一段距离设置一个监测...

本发明公开了一种吸波涂层测厚仪的校准和测量方法，通过采用函数模型，即拟合曲线y=a/(K-x)+b来对吸波涂层的厚度进行计算，测量出吸波涂层的厚度y。a、K和b为需要确定的系数，校准的目的就是确定这三个系数。对于确定厚度范围的吸波涂层，...

一种Fe-Ni-Cr软磁性合金及制备方法，涉及电子材料技术。本发明的磁性合金以重量百分比计，组分为：Fe：52%～63%，Ni：36%，Cr：1%～12%。本发明能够得到高于以往的饱和磁化强度和高磁导率等良好的软磁性能，得到比FeNi二...

一种Zr-Ti基微波介质陶瓷及其制备方法，属于电子信息功能材料与器件领域。所述微波介质陶瓷包括基料和添加剂；所述基料为(1-x)ZrTi2O6–xZnNb2O6，其中0.20≤x≤0.40；所述添加剂为相当于基料质量0.50%~2.50...

基于聚偏氟乙烯和石墨烯的复合介质薄膜材料及其制备方法，属于电子功能材料技术领域。所述复合介质薄膜由聚偏氟乙烯和石墨烯复合而成；其中石墨烯的质量百分比含量为复合介质薄膜质量的0.5%到3%。制备时，首先配制聚偏氟乙烯粉末的有机溶液（体系A...

一种微带环形器，属于微波器件技术领域，本实用新型包括铁氧体基板和偏置铁氧体，在铁氧体基板上设置有中心结部分和匹配线部分，所述中心结部分为圆形，其内有一个同心的内圆，内圆和外圆之间设置有3组附加短截线索；同一组内的各条附加短截线索相互平行...

高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法，涉及电子材料。本发明包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为：Fe2O3：50mol%，NiO：20mol%～30mol%，ZnO：15m...