电子科技大学专利技术

电子科技大学共有35043项专利

  • 本发明公开了一种获取家庭基站ABS配置模式的方法,通过MeNB指示向MeNB上报的宽带CQI值较小的MUE在可能被所有ABS配置模式中的ABS子帧保护的资源上做信道质量指示测量,利用在被ABS子帧保护的资源上所做的信道质量指示测量反馈的...
  • 本发明公开了一种无线传感器网络中基于图论的分布式事件域的检测方法,基于事件发生的区域中的邻近的无线传感器在空间上有一个统计的相关性这一事实,利用传感器之间的空间上的相关性把传感器建模成一个图形,然后利用一个正则项进行优化,提高检测的准确...
  • 本发明公开了一种开关电容共模反馈结构,它属于模拟集成电路技术,特别涉及一种能提高全差分运算放大器输出摆幅,减小共模电压建立时间,提高共模电压精度的开关电容共模反馈结构。该结构包括:一共模检测开关电容电路和一运算放大器电路。本发明的共模检...
  • 本发明公开了一种自适应恒定导通时间控制电路,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一运算放大器、第一比较器、第一容抗单元、第一电阻单元和开关单元。本发明的自适应恒定导通时间控制电路克服了传统Cot控制电路的工作频率随输...
  • 本发明公开了一种用于电压调整器中的软启动电路,具体包括:第一偏置电流源、第一电容、开关装置、第二偏置电流源、第一电阻和第一运算放大器,第二偏置电流源接于外部电源和第一电阻的第一端子的之间,第一电阻的第一端子作为所述软启动电路的输出端,第...
  • 本发明公开了一种横向SOI功率器件,包括半导体衬底,绝缘介质层和半导体有源层,在半导体有源层表面具有体区和漏区,体区和漏区之间有间距,形成器件的漂移区,在体区表面依次形成体接触区和源区,在绝缘介质层上设置有硅窗口,体区的底部在硅窗口中或...
  • 本发明公开了一种槽型半导体功率器件的制造方法,涉及半导体功率器件技术领域,通过刻蚀槽、采用各向异性外延技术生长填充槽形成第二半导体区、在第二半导体区顶部局部刻蚀形成窄且高浓度的n或p柱、填充绝缘介质以及平坦化,之后采用外延横向过生长形成...
  • 宽温宽频低损耗MnZn功率铁氧体材料,涉及电子材料技术。本发明由主成分和添加剂组成,其中,主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.02~0.10mol%CoO,0.05~0.20mol...
  • 高温超导双面带材及制备方法,属于超导材料技术领域。本发明在金属基带的正反两面都设置有过渡层,过渡层以外为超导层,超导层以外为保护层。本发明的有益效果是:本发明的双面缓冲层/超导层结构,在超导带材总厚度几乎不变,并保证单面超导层临界电流密...
  • 本发明提供一种适用于大规模实时数据流的查询处理方法,根据输入的查询任务的FROM子句,将查询分解为对FROM子句中各数据流的单独查询,合并所有数据流的单独查询结果并形成最终查询结果;每个数据流的单独查询通过对SELECT子句以及WHER...
  • 本发明公开了一种基于用户关联性的资源个性化推荐方法,首先利用用户关联规则挖掘技术分析用户对资源的历史评分记录,挖掘出目标用户频繁集;然后选取项集中项数最多,其次支持度最高的一个目标用户频繁集,用于构建目标用户兴趣相似组;接着将目标用户兴...
  • 本发明公开了一种双基地合成孔径雷达频域成像处理方法,具体包括:成像系统参数初始化;计算点目标回波二维频谱;利用参考点二维频谱对TV-BSAR进行粗匹配聚焦;对发射站斜距进行泰勒展开,并合并残余相位项;方位向频率Stolt变换;距离向频率...
  • 本发明公开了一种隔离式直流高压检测方法及检测电路,以解决现有检测方法及检测电路不具有良好电气隔离特性、结构复杂和生产成本高的问题。本发明隔离式直流高压检测方法及检测电路,采用电阻分压电路、光电耦合器以及对检测信号进行调理的信号调理电路组...
  • 本发明公开一种实现圆柱体表面受光均匀的LED照明装置,解决现有技术因圆柱体表面受光不均导致最后圆柱体成像后无法对其表面存在的缺陷进行精确检测的问题。该照明装置,包括由主光源盖和副光源盖组成的内部为空心穹顶型结构且两侧设有通孔的盒体,与该...
  • 本发明涉及草鱼白细胞介素10基因和蛋白及其重组表达方法。本发明提供了草鱼白细胞介素10基因序列和该序列编码的草鱼白细胞介素10蛋白序列,并提出草鱼白细胞介素10蛋白的原核重组表达方法,利用同源克隆技术得到草鱼白细胞介素10基因的cDNA...
  • 低成本GaN外延薄膜的制备方法,属于光电薄膜材料制备技术领域,本发明包括下述步骤:(1)无水镓源前驱液制备:将乙酰丙酮镓粉末溶解在乙酸和丙酸的混合溶剂中,Ga离子浓度为0.1-0.4mol/l,溶解过程中加热、搅拌;然后加入体积为混合溶...
  • 较高磁导率宽温低损耗MnZn铁氧体材料,由主成分和添加剂组成,其中,主成分按摩尔百分比,以氧化物计算:51~54mol%Fe2O3,9~13mol%ZnO,0.1~0.7mol%SnO2,余量为MnO;以预烧反应后的主成分的质量为参照,...
  • 一种封闭式频率可调谐振式微波反应腔,属于微波能应用技术领域。包括外导体(1)、内导体(2)、封闭盖(3)和馈电同轴(4);外导体(1)为一圆柱金属腔体,内导体(2)穿过底孔(11)与外导体(1)保持电接触;封闭盖(3)与外导体(1)之间...
  • 本发明公开了一种可级联的多通道DDS信号发生器,其选择的采样时钟通过采样时钟分配模块分n+1路,其中n路作为采样时钟分别输入n个通道中同步数模转换器,剩下的一路送入数据时钟产生模块进行分频,产生内部数据时钟,选择内部数据时钟作为数据时钟...
  • 本发明涉及电力电子技术领域,公开了一种开关电源的辅助电源,其共有两种工作模式即启动模式和正常工作模式。上电的瞬间工作于启动模式,即由输入的高压直流电源经过一定的限流后供给控制及驱动部分工作;当控制及驱动部分正常工作后,功率变压器的便产生...