本发明公开了一种基于谐振环微结构阵列的新型双频贴片天线，属于通信工程领域，包括由金属贴片层、介质基片层、金属地平面层依次层叠为一体结构的双面覆铜PCB板，所述金属贴片层的数量为一层，且其上表面上刻蚀有一个用于在双频段保持高辐射效率和优良...

一种具有复合栅介质结构的SiC?VDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明根据栅介质下不同区域的电场强度的不同和缺陷密度的不同，采用分区电场调制的思想：在高缺陷密度、低电场的沟道区采用high-k栅介质，从而避免了采用SiO2/...

一种具有深能级掺杂元素漂移区的晶闸管件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统晶闸管的N-漂移区（6）中掺入深能级杂质元素（硫、硒、碲、金或铂），深能级杂质元素随着温度升高，电离度增加，导致杂质浓度增加，从而能有效减少PNP管高温下α...

一种载流子存储的沟槽双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT基础上，在P-base区域6沟道末端用一层薄N+层结构21来取代牺牲的少量P-base区域，从而进一步提高载流子储存层与漂移区的电子浓度，在有效减小IG...

一种变形槽栅介质的CSTBT器件，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统CSTBT器件的基础上，改变槽内沟道区下方，即P型基区（5）下方栅介质层（7）的形状，使沟槽底部的多晶硅栅极12被更多的栅介质层7所包围，在基本不影响器件其他参数...

一种具有终端深能级杂质层的IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar?FS-IGBT基础上，在终端漂移区（14）注入一层深能级杂质层（15）。所述的深能级杂质层（15），随着器件温度升高，深能级杂质电离度升高，杂质浓...

一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在传统Planar?FS-IGBT基础上，在其N-漂移区（8）中注入深能级N型杂质。通过深能级杂质随着温度升高，电离度升高，杂质浓度上升这一特性，能有效减小I...

使用高介电常数槽结构的低比导通电阻的纵向功率器件，涉及半导体功率器件，本发明包括漂移区、硅衬底、栅极、沟道区、欧姆接触重掺杂区、源极和绝缘栅极介质，其特征在于，漂移区、硅衬底、源极为第一种导电类型，沟道区、欧姆接触重掺杂区为第二种导电类...

一种集成了采样电阻的电流检测LDMOS器件，属于半导体功率器件技术领域。包括集成于同一半导体芯片的主功率LDMOS器件（100）、电流检测LDMOS器件（101）和采样电阻（102）。通过控制主功率LDMOS器件和电流检测LDMOS器件...

本发明公开了一种启动电路及集成该电路的供电系统，本发明的启动电路在系统上电时产生一个低压的电源给系统内部的基准电压源，从而避免基准电压源采用高压器件，并且该启动电路在系统正常工作后，启动电路能够完全关闭，不消耗额外的功耗；集成了本发明的...

本发明公开了一种电压缓冲器电路以及集成该电路的LDO，缓冲器电路包括：第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第一电阻单元、第二电阻单元和一电容元件、一电流源。集成了该缓冲器电路的LDO，在推高功率管栅极寄生极点确保电路...

本发明公开了一种正相及反相全光波长转换装置，它利用高偏振敏感半导体光放大器的交叉增益调制和交叉偏振调制效应实现全光波长转换，通过偏振控制器调节探测光和泵浦光的偏振态，而不是传统的在半导体光放大器后面加偏振分束器或延迟干涉仪的方式，实现了...

本发明涉及一种光脉冲产生方法及装置。本发明针对现有技术光调制器的缺点，公开了一种利用直流光产生光脉冲的方法及装置，用直流光产生光脉冲。本发明技术方案的特点是利用电脉冲控制开关型光放大器的开启和关闭，对输入的直流光进行调制，在开关型光放大...

本发明公开了一种固定发射站双基地前视合成孔径雷达成像方法，具体在得到目标回波后，使用一阶Keystone变换校正ST-BFSAR距离徙动的二维空变，该操作同时将慢时间零时刻时具有相同双基距离和的目标搬移到同一距离门；在完成距离徙动校正后...

本发明公开了一种过零检测电路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管以及第一NPN管、第二NPN管和第一电阻、...

本发明实施例公开了一种气体检测装置，包括第一阀门、第二阀门、气体富集器、参比探测器阵列、测试探测器阵列、气泵和控制器，其中：第一阀门和气体富集器串联，形成第一气体支路；第二阀门形成第二气体支路，第二气体支路与第一气体支路并联；参比探测器...

具有弯管气室的高精度红外气体传感器，涉及电子元器件技术领域。本发明包括光腔气室、光源、光源端封闭装置、探测器、探测器端封闭装置，所述光腔气室[6]为弯管气室。本发明增加了有效吸收光程长度，进而提高了测量精度，使热释电探测器接收到的红外光...

本发明公开了一种红外探测器集成光学封装结构，属于红外探测器领域，它包括封装壳体、固定在封装壳体上的光学窗口，封装壳体内设置有制冷机构和红外探测器芯片，所述红外探测芯片上连接有信号引出端子，信号引出端子一端穿出封装壳体用于与外围电路连接，...

一种聚芳醚腈和羰基铁粉复合磁性材料及其制备方法，属于磁性高分子材料技术领域。本发明以聚芳醚腈（PEN）为有机基体，以羰基铁粉（Fe(CO)5）为无机填料，经共混、造粒得到复合磁性材料。首先对羰基铁粉进行表面改性，在羰基铁粉表面生成一层邻...

一种微波陶瓷介质材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。材料包含晶相结构和掺杂剂；主晶相为BCZN(BaCo1/3Nb2/3O3-BaZn1/3Nb2/3O3)，副晶相Ba5Nb4O9伴随B′位和B″位原子非化学计量比和原料掺杂产生。主...