高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法技术

高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法，涉及电子材料。本发明专利技术包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为：Fe2O3：50mol%，NiO：20mol%～30mol%，ZnO：15mol%～25mol%，CuO：5mol%；以重量百分比计算，掺杂成份为：CoO：0～1.2wt%，V2O5：0～1.2wt%。本发明专利技术的制备方法为普通氧化物法，操作和工艺流程简单无污染。制备出的铁氧体材料除了具有较高的磁导率外，损耗很小，其中在13.56M具有当μ′为100左右时，μ″小于2。且制得的铁氧体膜厚度和尺寸可调，表面光滑平整，密度轻。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子材料。
技术介绍
随着射频及微波通信的迅速发展，应用于高频场合的功率转换和信号传输的铁氧体材料研究受到了高度的重视，具有高频性能良好的NiCuZn铁氧体材料得到越来越重要的应用。NiCuZn铁氧体材料主要用于抗电磁干扰(EMI)及功率 与抗干扰一体化的表面贴装器件等，特别是在21世纪随着信息技术的日益普及与快速发展，电磁干扰问题越来越严重，电磁兼容(EMC)越来越重要。特别随着射频识别(Radio FrequencyIdentification, RFID)技术的日渐广泛，电磁干扰破坏问题越来越突出。因此，研究抗电磁干扰材料越来越重要。RFID中的干扰问题主要表现在二个方面I.识别距离远低于设计距离；2.读卡器和电子标签不响应，读取失败。在13. 56MHz RFID电子标签应用中，由于标签尺寸较大，而实际允许的空间有限等原因，电子标签需要直接贴附在金属表面或者与金属器件相临近的位置。这样在识别过程中，标签在读卡器发出的信号作用下激发感应出的交变电磁场很容易受到金属涡流衰减作用而使信号强度大大减弱，导致读取过程失败，因此需要采取一定的措施进行预防。铁氧体吸波材料具本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高导低损铁氧体材料，包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为 Fe2O3 50mol%，NiO 2OmoI% 30mol%，ZnO 15mol% 25mol%， CuO5mol% ； 以重量百分比计算，掺杂成份为 CoO 0 I. 2wt%， V2O5 0 I. 2wt%。2.如权利要求I所述的高导低损铁氧体材料，其特征在于，各组分为 Fe2O3 50mol%，NiO 25mol% 27. 5mol%，ZnO 17. 5mol% 20mol%， CuO5mol% ； CoO 0 0. 3wt%， V2O5 0 0. 9wt%。3.如权利要求I所述的高导低损铁氧体材料，其特征在于，Fe2O3为50mol%；NiO为25mol% ；ZnO 为 20mol% ；CuO 为 5mol% ;掺杂成份为 0. 3wt% 的 CoO。4.采用如权利要求I所述的高导低损铁氧体材料的铁氧体薄膜，其特征在于，所述铁氧体薄膜厚度为0. l...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁迪飞，薛志，陈良，李维佳，杨宏伟，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：