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高导低损铁氧体材料、铁氧体薄膜及制备方法，涉及电子材料。本发明包括主要成分和掺杂成份，其特征在于，主要成分和掺杂成份皆按氧化物计；以摩尔百分比计算，主要成分为：Fe2O3：50mol%，NiO：20mol%～30mol%，ZnO：15mol...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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