本发明涉及晶片加工用胶带。本发明的目的在于提供能够抑制晶片翘曲的晶片加工用胶带、及使用了该晶片加工用胶带的晶片加工方法。本公开文本涉及晶片加工用胶带，其具备基材层，在前述基材层的面内的至少一个方向上，于23℃使前述基材层相对于原始长度伸...

本发明的β型赛隆荧光体为固溶有铕的β型赛隆荧光体，其构成为如下：在通过FT‑IR求出的该β型赛隆荧光体的光谱中，将光谱的吸收度通过库贝尔卡‑蒙克函数转换为KM值，并将波数3050cm‑1的KM值设为E，将波数3330cm‑1的KM值设为...

本发明提供一种具有适度热收缩率的人造毛发用纤维。根据本发明，提供一种人造毛发用纤维，其包含聚氯乙烯系树脂和氯含有率64.0～67.0质量%的氯化聚氯乙烯系树脂，前述氯化聚氯乙烯系树脂包含氯含有率64.0～68.0质量%的第1氯化聚氯乙烯...

本发明涉及晶片加工用胶带。本发明的目的在于提供能够抑制晶片翘曲的晶片加工用胶带、及使用了该晶片加工用胶带的晶片加工方法。本公开文本涉及晶片加工用胶带，其于23℃以40％的压缩率压缩15小时的情况下的永久压缩应变Cs为10％以上。

本发明涉及晶片加工用胶带及晶片加工方法。就本发明的课题而言，目的在于提供通过具有耐热性从而能够横跨半导体加工工序而使用的晶片加工用胶带、通过使用该胶带从而能够整合多个半导体加工工序的晶片加工方法。解决手段为晶片加工用胶带，其具有追随层和...

一种铝‑金刚石复合体，所述铝‑金刚石复合体具备层压结构，所述层压结构具有：含有铝相与大小各异的多个金刚石颗粒的复合层，以及夹着所述复合层的一对铝层；其中，在沿着层压方向切断所得的切断面上，所述多个金刚石颗粒包含具有2000μm²以上的面...

本发明提供一种与膜的连接性优异、标记物的释放良好的基材，以及将该基材用于标记物部的、能够实现兼顾短时间内的高灵敏度性能的提高的侧流式测定法用测试条。一种用于检测或定量被检测物的侧流式测定法用测试条，其特征在于，至少具有支撑板、试样供给部...

一种铝‑金刚石复合体，所述铝‑金刚石复合体具备层压结构，所述层压结构具有：含有铝相与大小各异的多个金刚石颗粒的复合层，以及夹着所述复合层的一对铝层；其中，在沿着层压方向切断所得的切断面上，所述多个金刚石颗粒包含具有2000μm²以上的面...

一种生体材料，其以复合化合物作为主要成分，该复合化合物的构成元素含有钇、氧、硅以及氮。一种粉末组合物，其以复合化合物作为主要成分，该复合化合物的构成元素含有钇、氧、硅以及氮；且BET比表面积为0.3m²/g以上。一种骨填充材料，其含有上...

一种α型赛隆荧光体粉末，其中，该α型赛隆荧光体粉末中的等效圆直径为3～80μm的α型赛隆荧光体粒子的平均圆形度为0.85～0.95，该α型赛隆荧光体粉末中的等效圆直径为3～80μm的α型赛隆荧光体粒子的长径比的平均值为0.65～0.85。

烧结材料的制造方法，其是由铱和铈构成的烧结材料的制造方法，包括：准备由铱和铈构成的烧结体的工序；和在氧分压为10‑1Pa以下的气氛下，于1400～1800℃的温度经0.5小时以上对烧结体进行加热处理而得到烧结材料的工序。烧结材料，其为由...

一种含有Eu元素的α型赛隆荧光体，其晶体缺陷的密度作为在25℃通过电子自旋共振测定检测到的g＝2附近的信号的自旋密度的值为1.0×1015spins/g以下。并且，一种含有Eu元素的α型赛隆荧光体，其晶体缺陷的密度作为在200℃通过电子...

本发明的荧光体粉末，包含铕活化β型赛隆荧光体的粒子，当体积基准的累积粒度分布中的10％累积粒径、50％累积粒径、及90％累积粒径分别设为D10、D50、及D90时，D50超过20.0μm且为30.0μm以下，(D90‑D10)/D50小...

一种α型赛隆荧光体，其由通式(Cax，Euy)(Si12‑(m+n)Alm+n)(OnN16‑n)表示，在25～900℃下的平均线膨胀系数α′为4.2ppm/℃以上且4.6ppm/℃以下。在通式中，0＜x＜2.0、0＜y≤0.5、0.3...

一种毛发用纤维，其具有基材纤维和存在于所述基材纤维的表面的至少一部分的油分，所述毛发用纤维的动摩擦系数μk为0.25以上，静摩擦系数μs与动摩擦系数μk之差|μs‑μk|为0~0.05。

本发明的氮化硅粉末包含α化率为90.0％以上的氮化硅成分、和选自由含铬成分及含镍成分组成的组中的至少一种。氮化硅粉末满足含铬成分的Cr换算的含量为50μg/g～250μg/g和含镍成分的Ni换算的含量为5μg/g～60μg/g中的一者或...

本发明的正极组合物的制造方法，包括：准备工序，准备含有炭黑和第一液态介质的第一浆料；和混合工序，将上述第一浆料、粘结材料、碳纳米管和活性物质混合，得到正极组合物，在将上述第一浆料中的上述炭黑的二次粒子和该二次粒子凝聚而成的三次粒子合在一...

晶片加工用片材，其具备：具有与晶片主面接触的表面的第1层；具有与前述表面相对的背面的第2层；和位于前述第1层与前述第2层之间的中间层，140℃时的储能弹性模量G’（140℃）相对110℃时的储能弹性模量G’（110℃）之比G’（140℃...

本发明的课题在于提供气味小、且储存稳定性及机械稳定性优异的氯丁二烯系胶乳组合物、该氯丁二烯系胶乳组合物的制造方法、以及含有该氯丁二烯系胶乳组合物的水性粘合剂。根据本发明，提供一种氯丁二烯系胶乳组合物，其含有氯丁二烯系聚合物和水，前述氯丁...

本发明提供高导热、低热膨胀以及低比重的铝‑碳化硅质复合体及其制造方法。本发明提供铝‑碳化硅质复合体，其特征在于：所述铝‑碳化硅质复合体是将铝合金浸渍于多孔质碳化硅成型体而成的，该复合体中的碳化硅的比例为60体积％以上，含有60质量％以上...