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北京大学专利技术
北京大学共有15469项专利
一株高盐异养硝化-好氧反硝化除磷的小短杆菌及其在废水处理中的应用制造技术
本发明涉及一株高盐兼具异养硝化-好氧反硝化与除磷功能的小短杆菌(Brachybacterium)及其在废水处理中的应用。该菌株对高盐环境耐受能力强,在高盐条件生长良好,并且可以利用有机碳为唯一碳源,氨氮为唯一氮源进行新陈代谢,通过异养硝...
纳米级尖晶石型稀土掺杂含镍无机青色颜料及其制备方法技术
本发明公开了一种纳米级尖晶石型稀土掺杂含镍无机青色颜料及其制备方法。该颜料结构式如NixLnyQ1-x-1,5yAl2O4所示,其中Q为Zn或Mg,x=0.01-0.7,Ln为三价稀土离子,y=0-0.05,其由作为基体的尖晶石型ZnA...
具有抗感染和抗肿瘤活性的潜在新细胞因子LYG1及其应用制造技术
本发明提供一种具有抗感染和抗肿瘤活性的潜在新细胞因子LYG1及其应用,所述LYG1(即成熟的和发挥功能的潜在新细胞因子LYG1)的序列为SEQ?ID?NO:1所示的氨基酸序列,所述应用为LYG1在制备用于预防和/或治疗免疫相关疾病的药物...
一种羟基取代的稠环芳香化合物的制备方法技术
本发明公开了一种羟基取代的稠环芳香化合物的制备方法,分子内醛酮等双羰基化合物通过与磺酰肼反应得到的单N-磺酰腙,然后在碱性条件下在有机溶剂中反应,得到羟基取代的稠环芳香化合物。本发明方法利用了醛、酮活性的差别,经由单N-磺酰腙中间体的分...
基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法技术
本发明提供一种基于表面牺牲层工艺的MEMS器件自封装制备方法,其步骤包括:在基片上淀积并制作衬底保护层、下电极和下电极保护层,并化学机械抛光下电极保护层的表面;采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层;在结构层上淀积金属...
一种基于个性化粉噪声增加深度睡眠的方法技术
本发明涉及一种基于个性化粉噪声增加深度睡眠的方法。本发明利用粉噪声作为背景声音,加入有利于睡眠的个性化声音片段,如核磁序列扫描声音,雨声等,来改善使用者的睡眠质量。粉噪声可以有效地利用随机共振现象诱导脑电进入深睡期的状态,而个性化的声音...
一种运动矢量预测的方法技术
本发明公开了一种运动矢量预测的方法,包括以下步骤:从与当前PU相邻的左下PU和左侧PU中选择一个,其运动矢量作为第一参考运动矢量;从与当前PU相邻的右上PU和上方PU中选择一个,其运动矢量作为第二参考运动矢量;选择与当前PU相邻的左上P...
一种动态可重构水下声学调制解调器及其通信方法技术
本发明公开了一种动态可重构水下声学调制解调器及其通信方法。本发明在通信之前,对水下声学信道进行检测,根据信道检测的结果来确定通信的数据传输率和最佳的调制解调方式,与最差信道情况设计的调制解调器相比,提高了频带资源的利用率,从而降低了能耗...
阻变存储器及其制备方法技术
本发明实施例提供了阻变存储器及其制备方法,所述阻变存储器形成于衬底上,所述阻变存储器包括第一电极、阻变材料和第二电极,所述第一电极、阻变材料和第二电极均位于所述衬底表面,所述第一电极和所述第二电极相对设置,所述阻变材料位于所述第一电极和...
一种阻变存储器制备方法技术
本发明实施例公开了一种阻变存储器制备方法。该方法包括:在衬底上形成下电极;在所述下电极上形成阻变层;在所述阻变层上形成上电极,获得阻变存储器;在所述阻变存储器上施加预定电压,所述预定电压为使所述阻变存储器由高阻态转变为低阻态的电压;对所...
一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法技术
本发明公开了一种石墨烯霍尔集成电路及其制备方法。本结构包括一硅基CMOS电路芯片、一石墨烯霍尔元件,芯片的核心电路区外围设有若干互连电极和压焊电极,芯片表面除互连电极、压焊电极之外的区域上方覆盖一钝化层,互连电极、压焊电极与芯片分别通过...
提高Java软件破解难度的方法及装置、版权验证方法制造方法及图纸
本发明公开了一种提高Java软件破解难度的方法及装置,和基于该方法及装置的Java软件版权验证方法。在Java软件完成开发在发布之前对编译后的非程序入口类和方法进行代码混淆,提取软件版权保护模块的数字摘要信息得到第一摘要信息,将第一摘要...
一种快速序列标注方法技术
本发明提供一种快速序列标注方法,属于语言信息处理领域。所述方法基于随机梯度下降(SGD)在线学习算法,适合大规模语料训练;在训练过程中,针对特征频率,对二阶海森矩阵采用对角化近似,即:利用特征频率高低对对角元素赋予不同权重,与已有的二阶...
MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法制造方法及图纸
本发明公开了一种MOS管阵列的阈值电压分布监测装置及方法,所述装置包括行选择器,第一列选择器,第二列选择器和监测管。所述监测MOS管阵列阈值电压的方法利用上述装置,通过对待测MOS管阵列中的MOS管和监测管的电路连接,使得原本难以监测的...
一种预测SOI MOSFET器件可靠性寿命的方法技术
一种预测SOI?MOSFET器件可靠性寿命的方法。在不同的测试台温度下测量SOI?MOSFET器件栅电阻随温度变化关系;在不同的测试台温度下对SOI?MOSFET器件进行加速寿命试验,得到表征器件寿命的参数随着应力时间的退化关系,以及该...
一种利用超临界CO2反萃技术从离子液体相中反萃铀酰离子的方法技术
本发明公开了一种利用超临界CO2反萃技术从离子液体体系中反萃铀酰离子的方法。该方法是以超临界CO2作为稀释剂,以三烷基氧膦的乙腈溶液作为夹带剂,从辛基苯基-N,N-二异丁基胺甲酰基甲基氧膦/离子液体-UO22+体系中反萃得到铀酰离子。其...
一种自封装的MEMS器件及红外传感器制造技术
本发明公开一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件以及及采用该器件结构的红外传感器。该MEMS器件包括基片、衬底保护层、下电极、下电极保护层、结构层、金属层以及封装层,所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内,所述...
艾芬地尔的药物新用途制造技术
本发明公开了一种艾芬地尔的药物新用途。所述新用途为艾芬地尔或其药学上可接受的盐、酯、溶剂合物在制备预防和/或治疗抑郁症的药物中的应用;尤其是在制备快速抗抑郁症药物中的应用。药效学试验结果表明,艾芬地尔可以缩短大鼠在强迫游泳中的不动时间,...
难溶性药物凝胶组合物及其制备方法技术
一种难溶性药物凝胶组合物及其制备方法,具体涉及一种包含难溶性药物纳米晶的温敏凝胶组合物及其制备方法。其中,药物纳米晶均匀分散在温敏凝胶中,属于药物制剂领域。其制备过程:先制备药物纳米晶混悬液,再将温敏材料直接加入到药物纳米晶混悬液中制备...
一种下肢痉挛智能康复装置制造方法及图纸
本发明涉及一种下肢痉挛智能康复装置,它包括底架、座椅、大腿支撑机构、小腿支撑机构、电机驱动机构、脚板固定机构、机械安全限位机构和控制模块;大腿支撑机构包括支撑杆和T形架、;小腿支撑机构包括前后平移杆、左右平移杆、下支撑杆、上下平移杆、弧...
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