【技术实现步骤摘要】
一种自封装的MEMS器件及红外传感器
本专利技术属于微电子机械系统(MEMS)加工工艺领域，特别应用在MEMS表面牺牲层 工艺领域，具体涉及一种基于表面牺牲层工艺制作的自封装的MEMS器件，以及采用该器件 结构的红外传感器。
技术介绍
如今MEMS红外传感器被广泛研究，可应用于现代科技、国防和功能等科技领域。 制作红外传感器的方法很多。九十年代以来，微电子机械系统(MEMS)技术进入了高速发展 阶段，不仅是因为概念新颖，而且是由于MEMS器件跟传统器件相比，具有小型化、集成化以 及性能更优的前景特点，因此，基于MEMS工艺的微型红外传感器也被广泛研究。由于红外传感器的形貌一般是吸收红外，需要一个较大的水平表面来接收红外辐 射，主流生产方法多采用表面牺牲层工艺制作。MEMS红外传感器主要分为两类，热应力形变 式的和谐振式的红外传感器。这两类传感器的原理都是基于红外传感器芯片表面通过吸收 红外，产生一定的形变或者是机械特性的改变，从而得到红外辐射量。主要的读出方式有光 学读出和电学读出，光学读出需要较为复杂的光学仪器测量，而电学读出则是通过外接或 者片上的读出电路，将...
【技术保护点】
一种自封装的MEMS器件，其特征在于，依次包括基片、衬底绝缘层、下电极、下电极绝缘层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内，所述封装腔室通过在释放MEMS器件结构时利用粘附效应将封装层粘附在下电极绝缘层上而形成。
【技术特征摘要】
1.一种自封装的MEMS器件，其特征在于，依次包括基片、衬底绝缘层、下电极、下电极绝缘层、结构层、金属层以及封装层，所述结构层和所述金属层位于由所述封装层形成的封装腔室内，所述封装腔室通过在释放MEMS器件结构时利用粘附效应将封装层粘附在下电极绝缘层上而形成。2.如权利要求1所述的自封装的MEMS器件，其特征在于所述封装腔室内部和外部的电学互联由下电极引出。3.如权利要求2所述的自封装的MEMS器件，其特征在于，所述封装腔室的形成方法为1)在基片上淀积并制作衬底绝缘层、下电极和下电极绝缘层，并化学机械抛光下电极绝缘层的表面；2)采用表面牺牲层工艺制作第一层牺牲层和MEMS器件的结构层；3)在结构层上淀积金属层；4)采用表面牺牲层工艺制作第二层牺牲层和封装层，并制作封装区域内外互联部分；5)湿法腐蚀所有牺牲层，释放MEMS器件结构并利用粘附效应完成自封装，形成封装腔室。4.如权利要求3所述的自封装的MEMS器件，其特征在于所述第一牺牲层和所述结构层采用低压化学气相淀积方法淀积，所述第二牺牲层和所述封装层...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵丹淇，张大成，何军，黄贤，杨芳，田大宇，刘鹏，王玮，李婷，罗葵，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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