北京大学专利技术

北京大学共有15388项专利

  • 本发明公开了聚氨酯包载环黄芪醇纳米粒子、自愈合水凝胶及其在腹主动脉瘤治疗中的应用,属于医药领域。本发明通过将可用于人造血管基材的聚氨酯材料包载环黄芪醇制备纳米粒子,及其进一步复合壳聚糖形成自愈合水凝胶,实现了体内多种途径下递送环黄芪醇,...
  • 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构及半导体器件。方法包括:形成第一半导体结构;第一半导体结构包括:衬底结构和有源结构;在第一半导体结构的衬底结构上的栅极区域沉积绝缘材料,形成栅介质层;栅介质层包裹有源结构;基于被栅介质层包裹...
  • 本申请涉及云服务能力技术领域,尤其涉及一种联合计算系统和方法,所述系统包括:系统平台,用于使各数据提供方填写己方数据、数据使用方编写代码以及各数据提供方审核编写好的所述代码;硬件防火墙,针对数据上传请求开启硬件防火墙,其中,所述数据上传...
  • 本发明公开一种面向三维集成静态随机存取存储器阵列内部复制电路及方法,属于新型计算技术领域。本发明SRAM阵列和阵列外围的复制电路均由互补场效应晶体管组成,实现了SRAM阵列内不同SRAM单元之间的存储值复制。采用本发明可以极大地减少SR...
  • 本发明公开了一种完全可编程的集成拓扑光子器件,其特征在于,包括一半导体芯片,其上设有多个波导谐振环,各波导谐振环的排布规则满足弗洛凯拓扑绝缘体的方形晶格的排布规则,构成一二维阵列;相邻两波导谐振环之间通过一第一马赫曾德尔干涉仪耦合,第一...
  • 本申请涉及隐私计算技术领域,尤其涉及一种数据分级加密方法、装置、设备及介质,该方法包括:接收数据参与方发送的加密数据包;从加密数据包中提取待加密数据、隐私优先级以及与隐私优先级对应的加密方式,其中,隐私优先级以及加密方式由数据参与方根据...
  • 本发明涉及一种基于强化学习和任务感知随机游走的深度学习任务调度方法和系统。该方法包括:生成任务序列;定序智能体接收任务序列中的任务状态作为输入,输出任务的调度优先级;定位智能体接收集群的状态作为输入,采用任务感知的随机游走算法为每个任务...
  • 本发明公开一种水通道蛋白9磷酸化抑制剂的用途。本发明经研究发现,肝细胞水通道蛋白9存在磷酸化状态,抑制其磷酸化具有拮抗非酒精性脂肪性肝病进展的作用。此外,本发明筛选了水通道蛋白9磷酸化的特异性激酶,并开发了水通道蛋白9磷酸化抑制剂,以有...
  • 本发明公开了一种双控温芯片原子钟物理系统,包括LCC底座、激光器电路板、激光器模组、绝热支架、原子气室支架、原子气室和陶瓷管帽,激光器电路板安装在LCC底座上,激光器模组设置在激光器电路板上,激光器模组采用TO封装并封装有VCSEL激光...
  • 本发明公开了一种基于机器学习的柱层析预测方法,通过搭建自动化高通量实验平台收集柱层析数据,利用有限的数据,先采用分位数几何增强图神经网络(GeoGNN)基于一种规格的色谱柱构建并训练一个基础预测模型,然后通过迁移学习将每种规格的色谱柱信...
  • 本发明提供了一种融合蛋白及其应用和抗肿瘤药物,涉及生物技术领域。本发明提供的融合蛋白,由N端至C端依次含有PD‑L1的单链抗体片段和QPRT酶片段。该融合蛋白具有QPRT酶催化活性,可以催化肿瘤组织的喹啉酸生成NAD+,进一步消耗了肿瘤...
  • 本发明公开了一种脱碱基核酸内切酶磁性纳米印迹材料及其制备和应用。首先将亲和素共价修饰在磁纳米颗粒表面,然后结合生物素达到饱和状态,再加入模板分子APE1进行结合和固定,之后加入苯硼酸衍生物进行修饰,再加入多巴胺进行原位聚合和表面印迹,接...
  • 本申请提供一种基于过度曝光的硅柱结构及其制备方法,涉及电子制造领域,包括:提供硅基衬底;在硅基衬底的一侧形成掩膜层;基于激光直写的光刻工艺对掩膜层进行过度曝光处理,形成与多个第一区域对应的多个第一通孔,其中,相邻第一通孔沿行方向和列方向...
  • 本发明属于生物制药领域,具体涉及一种治疗肾病的方法,包括通过局部给药靶向递送核酸组合物。通过输尿管逆行给药将中性LNP转染肾脏小管细胞,或者通过腹主动脉给药将正性和中性LNP转染肾脏小球类细胞,均能更好地靶向肾脏病灶细胞。本发明通过给药...
  • 本发明公开了一种芯片级法拉第激光器及其实现方法,涉及半导体激光技术领域以及MEMS芯片制造技术领域,该激光器包括镀增透膜的微型激光二极管、准直扩束模块、微型法拉第原子滤光器、反馈腔镜、压电陶瓷以及激光器固定装置。本发明利用MEMS技术制...
  • 本发明提供易失型阻变器件的耐久性优化制备方法及易失型阻变器件,涉及易失型阻变器件技术领域,所述方法包括:在衬底上形成第一电极层;在第一电极层上涂覆光刻胶,对光刻胶进行曝光和显影以在第一电极层上形成图案区域;在图案区域上形成阻变层;在阻变...
  • 本发明涉及存储技术领域,提供一种四电极结构的阻变存储器及其制备方法,该四电极结构的阻变存储器包括底电极、介质层和顶电极,介质层设于底电极上;顶电极设于介质层上,且顶电极完全覆盖介质层;其中,顶电极包括四块不同材质的金属单元。本发明的四电...
  • 本发明涉及一种拉伸显示图像畸变矫正方法及系统,属于拉伸显示图像处理技术领域,该方法包括:获取拉伸前显示在可拉伸显示屏幕上的图像的各个像素坐标;对可拉伸显示屏幕进行拉伸,通过应变传感单元实时对可拉伸显示屏幕在拉伸后形成的拉伸传感数据进行采...
  • 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备,该方法包括:对第一正面栅极结构、第一背面栅极结构、第三正面栅极结构和第三背面栅极结构进行栅极切断,以形成第一栅极切断凹槽和第二栅极切断凹槽,以及对第二背面栅极结构进行栅极切断,...
  • 本发明提供一种新型三维存储器阵列及制备方法,其中的三维存储器阵列包括底座晶体管以及与所述底座晶体管电连接,并且呈阵列分布的存储单元;其中,所述存储单元的一端与位线连接,另一端与字线连接;并且,位于同一层内的存储单元之间通过所述字线并联,...