本发明的装置中，在ＰＳＤ（１４）的受光面上，形成在基线长度方向上延伸的基干导电层（２４）、和排列在基线长度方向上，同时每一个都连接到基干导电层（２４）上的多个分支导电层（２６），各个分支导电层（２６）与基线长度方向构成４５度的角度。ＬＥ...

半导体光检测装置１具有基板２和ＣＣＤ芯片４。该ＣＣＤ芯片４通过充填树脂材料８并使其硬化而固定于基板２。在基板２形成气体供给通道１５和气体排出通道１６。气体供给通道１５和气体排出通道１６的一端在基板２的基板２ｄ开口，另一端开口设置于载置部...

本发明的半导体光检测器的制作方法的特点是，在砷化镓衬底上形成含有光吸收层（４）的多层膜（２－７）。使该砷化镓衬底（１）与玻璃衬底（８）重叠，而使多层膜的最表面膜（７）与玻璃衬底（８）相互接触后，向砷化镓衬底（１）和玻璃衬底（８）之间加压...

本发明提供一种红外线传感器，具有支承构件、多晶硅膜、ＳｉＯ＃－［２］、铝膜、及热吸收层；该支承构件包含支承膜和具有空心部分并对支承膜进行支承的基板；该多晶硅膜从空心部分的上部形成到基板的上部；该ＳｉＯ＃－［２］形成于多晶硅膜上，具有空心...

一种光电检测器，其特征在于，包括：　　　　一个具有一个光入射窗口的外壳；　　　　一个容纳在所述外壳中的光电管，所述光电管具有一个光接收面板和一个位于光接收面板的一个表面上的光电表面；　　　　一个容纳在所述外壳中的热传导支撑部件，所述热传...

一种紫外传感器，其特征在于，包括：　　　　构成容器的部分壁的入射光窗口；和　　　　被放置在所述容器内的针型光电二极管，用来对通过所述的入射光窗口传播的光进行光电转换，其中　　　　所述入射光窗口由科瓦铁镍钴合金玻璃制成，所述针型光电二极管...

一种半导体装置（１００），它具有各引线端子（１１ａ～１１ｈ），在各引线端子的露出部分（１２ａ～１２ｈ）的前端面（１３ａ～１３ｈ）形成切口面（１５ａ～１５ｈ），切口面（１５ａ～１５ｈ）上实施了能够提高焊料浸润性的电镀。

一种半导体光接收器件具有在其前侧面包括上、中和下区域的衬底。在下区域的ｐ型层具有一个顶表面，该顶表面包括和中区域同一高度水平的一部分。一个电极覆盖ｐ型层的一部分和中区域之间的边界的至少一部分。在ｐ型层上的ｎ型层具有一个包括和上区域同一高...

本发明提供的检测器中，半导体芯片（Ｓ）形成有多个光电二极管（ＰＤ）、且表面具有光检测元件的多个输出端子（Ｔ）。电路基板（Ｃ）包括输入半导体芯片（Ｓ）的输出端子所输出信号输入的多个输入端子（Ｉ）。连接装置（ＣＭ）将各输出端子（Ｔ）与各自的...

本发明的半导体感光元件（１），在半绝缘性ＧａＡｓ衬底（２）的上表面部形成有高度不同的３个台阶的平整面。而且，半绝缘性ＧａＡｓ衬底（２）的中央部所形成的下台阶面的上面依次层积有ｎ型ＧａＡｓ层（３）、ｉ型ＧａＡｓ层（４）和ｐ型ＧａＡｓ层（５...

本发明提供一种能高精度切割加工对象物的加工对象物切割方法。按照该方法，使聚光点Ｐ在硅基板等的加工对象物１的内部聚合，照射激光Ｌ，在加工对象物１的内部形成由多光子吸收生成的调质领域７，利用该调质领域７，沿切割预定线形成离加工对象物１的厚度...

本发明提供一种能高精度地切割具有各种积层构造的加工对象物（１）的激光加工方法。在具有基板及设置于该基板表面（３）的积层部的加工对象物（１）的至少基板内部，使聚光点（Ｐ）聚合并照射激光（Ｌ），使得至少在基板内部形成由多光子吸收生成的调质领...

本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面（３）形成功能元件（１９）的半导体基板（１）的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板（１）的内部形成含由多光...

将半导体基板１的光电二极管的阳极及阴极这两类电极集中在基板的单面上。这可以利用贯穿半导体基板１的孔Ｈ将其中一方电气地引导至另一面来实现，半导体基板１通过研磨被薄膜化，因此，可缩短孔Ｈ的形成时间。另外，由于贴合有用于对在制造工序中薄膜化的...

光纤束（１６）的光射出端面一侧前端部被套筒部件（１３）和射出部外围（１４）所覆盖。将保持玻璃棒（４０）的玻璃棒保持部件（４２）安装在射出部外围（１４）上。由定位销（４４）将玻璃棒（４０）固定在玻璃棒保持部件（４２）上，使它的光入射端面（...

发光元件（１０）具有：设在Ｓｉ基板（１）的表面上的β－ＦｅＳｉ↓［２］膜（２），设在Ｓｉ基板（１）的背面侧的第一电极（３），和设在β－ＦｅＳｉ↓［２］膜（２）的表面侧的第二电极（４）。β－ＦｅＳｉ↓［２］膜（２）具有与Ｓｉ基板（１）不同...

光电二极管阵列的特征在于，具有：在光入射面侧矩阵状形成ｐｎ结型多个光电二极管的、入射面的相反面由（１００）面构成的半导体基板；在由光电二极管彼此所夹着的区域形成的、从半导体基板的入射面侧贯通到相反面侧的贯通孔；从入射面开始通过贯通孔的壁...

一种光检测装置，其特征在于，该光检测装置具备：　　　　半导体基板，其中该半导体基板具有作为光入射面的背面、与该背面相对并且设置有由检测出从该背面到达的光的电荷耦合元件构成的电荷读取部的前面，配置着该电荷读取部区域的厚度比其余区域的厚度薄...

通过发生多光子吸收在硅晶片（１１）内部由熔融处理区域（１３）形成预定切断部（９）后，使贴附在硅晶片（１１）上的粘接薄片（２０）扩张。因此，沿预定切断部（９）高精度地将硅晶片（１１）切断成半导体芯片（２５）。这时，因为邻接的半导体芯片（２...

本发明提供一种激光加工方法，其特征在于，包括以下工序：将保护带（２５）安装在晶片（１ａ）的表面（３）上，将晶片（１ａ）的背面（２１）作为激光入射面，将聚光点Ｐ调整在基板（１５）的内部，通过照射激光Ｌ，形成由多光子吸收产生的熔融处理区（１...