本发明提供硅元件的制造方法，其具有：在显示第１导电型的硅基板（２ａ）的第１面（Ｓ１ａ）上形成显示第２导电型的硅层（４ａ）的工序，和在该工序后，使硅层（４ａ）的第３面（Ｓ３ａ）在３０分钟以上６小时以内的时间段，露出于被调整为４００℃以上９...

本发明涉及一种半导体元件，其具备：第１导电型的硅基板（２ａ），具有第１面（Ｓ１ａ）和第２面（Ｓ２ａ）；第２导电型的硅层（４ａ），设置在硅基板（２ａ）的第１面（Ｓ１ａ）上，并具有位于和硅基板（２ａ）相接合的面的相对侧的第３面（Ｓ３ａ）；第...

本发明涉及一种激光加工方法，向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射激光，从而在加工对象物的内部形成，沿着所述加工对象物的切割预定线延伸且延伸方向上的一端和另一端达到所述加工对象物的外缘的改质区域，以所述改质区域为切断的起点将所述加工...

本发明涉及激光加工方法和半导体材料基板的切断方法，其中该激光加工方法为，向晶片状的加工对象物的内部对准聚光点并照射脉冲激光，从而使在与所述加工对象物的厚度方向大致垂直的剖面中沿着所述加工对象物的所述切割预定线的方向的长度成为最大长度的改...

本发明提供一种激光加工方法，其可以减少形成有改质区域的板状的加工对象物在其分割工序以外的工序中被小片化而产生碎片。在加工对象物（１）的沿着切割预定线的部分（５０）中，在包含有效部（４１）的中间部分（５１）使激光作脉冲振荡，在中间部分（５...

本发明涉及散热器和具有它的激光器装置以及激光器堆栈装置，所述散热器（１０ａ），具有：第１平板（１２），隔板（１４）以及第２平板（１６）。第１平板具有形成有第１凹部（２２）的上面。第２平板具有形成有第２凹部（３０）的下面，以及搭载有半导体...

本发明提供了一种安装作业性良好的光检测单元。在光检测单元（１）中，在由陶瓷的烧结体形成的支撑基板（２０）的背面上，固定有２个安装用结构体（３０）。在光检测单元（１）的制造工序中，各安装用结构体（３０）在烧结生片的层叠体形成陶瓷的烧结体之...

本发明涉及一种半导体装置，其具有某一方作为光感应层或发光层而起作用，并以低浓度掺杂ｐ型杂质且异质接合的第一以及第二Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层。第二Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的能带宽度小于第一Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体层的能带宽度。使用Ｂｅ或Ｃ作为各半...

本发明涉及激光加工方法和装置，以及半导体芯片及其制造方法，其中该激光加工方法为，向晶片状的加工的对象物内部对准聚光点并照射激光，从而沿着加工对象物的切割预定线在加工对象物的内部形成由多光子吸收产生的改质区域，且在入射至加工对象物的激光的...

由取得半导体设备的不良观察图像（Ｐ２）的检测信息取得部（１１）；取得布局信息的布局信息取得部（１２）；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部（１３）；和将解析结果信息显示在显示装置（４０）上的解析画面显示控制部（１４），构成不良解析装置...

由至少取得半导体设备的图案图像（Ｐ１）的检测信息取得部（１１）；取得布局图像（Ｐ３）的布局信息取得部（１２）；对半导体设备的不良进行解析的不良解析部（１３）；和将不良解析的信息显示在显示装置（４０）上的解析画面显示控制部（１４）构成不良...

本发明提供了一种加工对象物切断方法，即使在基板较厚的情况下，也能够在短时间内沿着切断预定线将包括基板以及具有多个功能元件并设置在基板的表面上的叠层部的加工对象物切断成各个功能元件。通过将聚光点（Ｐ）对准基板（４）的内部并从叠层部（１６）...

本发明的目的在于，即使在小型化的情况下，也能够充分地维持真空容器的气密性。光电子倍增管（１）包括：平板状的下侧基板（４）、设置在该下侧基板（４）上的框状的框架（３ｂ）、包含夹着低熔点金属而气密地接合于该框架（３ｂ）的开口部的框架（３ａ）...

本发明提供一种用于防止从切断硅晶片所得到的芯片的切断面产生颗粒的激光加工方法。形成改质区域（７↓［７］～７↓［１２］）时的激光（Ｌ）的照射条件，以在自硅晶片（１１）的表面（３）起的深度为３３５μｍ～５２５μｍ的区域的激光（Ｌ）的球面象差...

本发明是提供一种激光加工方法，可确实防止微粒附着在切断板状加工对象物所得的芯片上。在经由扩张带（２３）对加工对象物１施加应力时，对加工对象物（１）的形成物质（形成有熔融处理区域（１３）的加工对象物（１）、切断加工对象物（１）所得的半导体...

本发明提供一种光电二极管阵列及其制造方法以及放射线检测器，其目的在于防止在封装时因光检测部的损伤而造成杂音的发生。本发明的光电二极管阵列，在ｎ型硅基板（３）的被检测光的入射面侧，以阵列状形成多个光电二极管（４），且贯通入射面侧和其背面侧...

本发明提供一种激光加工方法，在将吸附平台和保持部件分开时，可防止以改质区域为切断起点沿着切断预定线切断加工对象物。在真空卡盘的吸附平台（５２）上，隔着多孔薄片（５３）对展开设置在框架（５１）并且保持有加工对象物（１）的扩张带（２３）进行...

一种基板的分割方法，其特征在于，　具有：　使聚光点聚合于由半导体材料构成的基板并照射激光，沿所述基板的切割预定线在所述基板形成溶融处理领域的工序；和　在所述形成溶融处理领域的工序之后，对所述基板实施蚀刻，分割所述基板的工序。

激光加工装置，具备：使加工用激光与测距用激光（Ｌ２）向晶圆（１）聚光的聚光用透镜（３１），使聚光用透镜（３１）动作的致动器，对测距用激光的反射光（Ｌ３）附加非点像差的整形光学系统（４９），接收反射光（Ｌ３）而输出配合其光量的电压值的（４...

在具备基板（１４）、和形成在基板（１４）的表面的多个功能元件（１５）的加工对象物（１）的基板（４）内部，对准聚光点（Ｐ）并照射激光（Ｌ），而对于１条切断预定线（５），形成至少１列分割改质区域（７２），位于分割改质区域（７２）和基板（４）...