本发明的气体放电管（１０）使配置在已封入了气体的密封容器（１２）内的阳极部（２４）与阴极部（５６）之间产生放电。其具备：具有配置在阳极部与阴极部之间、使阳极部与阴极部之间放电路狭窄化的贯通孔（４２）的筒状的放电路限制部（２８）；用来限制...

本发明涉及用于形成可稳定地产生碱金属的光电面或二次电子放出面的碱金属发生剂等，该碱金属发生剂在根据入射光放出光电子的光电面或者根据入射电子放出二次电子的二次电子放出面形成中使用。尤其是，该碱金属发生剂至少包含以碱金属离子作为配对阳离子的...

本发明提供一种可以稳定地得到高灵敏度特性的光电阴极板及使用这样光电阴极板的电子管。在光电倍增管（１）中，在光电阴极板（２３Ａ）的半导体电子放射层（５１）和与电子放出部（５９）电连接的第１电极（６５）之间形成有绝缘层（６３）。通过该绝缘层...

本发明涉及可高效地取出低能量Ｘ射线并具有优异的耐久性构造的Ｘ射线管。所述Ｘ射线管作为容器主体的一部分，具备含有大于等于３μｍ且小于等于３０μｍ的膜厚的硅箔。在覆盖设置于密闭容器的开口的状态下，所述硅箔直接或间接贴附于所述密闭容器，起密闭...

本发明提供一种气体放电管，具备密闭容器以及在该密闭容器内部设置的一对旁热型电极，其特征在于：所述一对旁热型电极各自包括：卷绕成线圈状的线圈构件、配置到所述线圈构件内侧的在其表面形成有电绝缘层的加热用加热器、被保持于所述线圈构件的作为易放...

本发明提供一种气体放电管，其特征在于，是具备容器以及气密地密封于该容器中的一对间接加热式电极的气体放电管，所述一对间接加热式电极分别具有：在表面上形成有电绝缘层的加热器，接收来自所述加热器的热并放出电子的电子发射部，以及设置于所述电子发...

本发明涉及具有用于可容易地实现高检测精度和微细加工的构造的光电倍增器及其制造方法。该光电倍增器（１ａ）具备内部维持在真空的外围器（２，３，４），在该外围器（２，３，４）内配置有根据入射光而放出电子的光电面（２２）、将从该光电面（２２）放...

本发明提供一种Ｘ射线管，具有有效地防止配置在容器内部的绝缘部件带电、确保稳定的动作的结构，该Ｘ射线管包括：发射电子的电子源；对应于电子的入射，产生Ｘ射线的靶；分别具有沿着电子入射方向延伸的侧面部，在电子源和靶之间形成规定的电场的第一和第...

本发明的一个实施方式中的冷阴极电子源（２）具有：中心导体（３），其具有端面（９）及形成在端面（９）上的由电子放出材料所构成的电子放出层（１０）；外部导体（４），其具有能使中心导体（３）以垂直于端面９的方向插入的中空部（１２）、和朝向中空...

本发明提供一种应答速度快并且发光强度高的发光体，使用该发光体的电子射线检测器，扫描型电子显微镜以及质量分析装置。在本发明的发光体（１０）中，形成在基板（１２）的一个面（１２ａ）上的氮化物半导体层（１４）因电子入射发出荧光，至少该荧光的一...

本发明的半导体光电阴极（１）包括：透明基板（１１）；第一电极（１３），形成在透明基板（１１）上，并可以使透过透明基板（１１）的光通过；窗层（１４），形成在第一电极（１３）上，由厚度１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下的半导体材料构成；光吸收层（...

本发明为一种气体放电管（１００），其包括：封入了气体的密封容器（１）；配置在该密封容器（１）内的阳极部（４）；在密封容器（１）内相对阳极部（４）隔离配置，并在与该阳极部（４）之间发生放电的阴极部（７）；配置在阳极部（４）与阴极部（７）之...

一种气体放电管，其特征在于，　　　　是通过使配置在封入有气体的密封容器内的阳极部与阴极部之间发生放电，而使光从所述密封容器的光出射窗向外部发出的气体放电管，　　　　其中具备：　　　　导电性的放电通路限制部，该导电性的放电通路限制部是配置...

本发明涉及气体放电管等，在可维持放电启动性和防止阳极部寿命下降的同时，有使通过放电路限制部的来自可见光光源的可见光的光量增加的结构。该气体放电管，有内部密封了气体的密封容器。在该密封容器内，配置有用来发生放电的阴极部和阳极部，在阴极部和...

本发明的气体放电管为了即便让放电路径狭窄也使管的起动性良好，在第１放电路径限制部与第２放电路径限制部之间配置第１放电路径引导部，并从外部对该第１放电路径引导部施加电压。由此，在阴极部与第１放电路径引导部之间制造出通过第１放电路径限制部的...

在基底构件上，芯柱管脚通过该基底构件，并且保持构件接合到该基底构件的相应表面上，芯柱管脚和保持构件是通过基底构件的熔化造成的融合而接合在一起，这样就配置成具有至少三层或更多层的芯柱，这三层或更多层是由保持构件夹住基底构件形成的。与芯柱被...

本发明提供了这样一种光电倍增管，其中，环状侧管没有被以径向插入侧管和芯柱之间，并且侧管在被直接覆盖到从环状侧管上侧的开口端面处向外突出的芯柱部分上的状态下，被接合到环状侧管上。因此能抑制由于侧管和环状侧管的交迭而需对光电倍增管在径向上进...

基底构件上与芯柱管脚相接合的部分边缘被设置为形成在芯柱中的凹进部的底面，使得芯柱管脚以缓和的角度与基底构件相接合，并使得即使在弯曲力作用到芯柱管脚上时，芯柱管脚会接触到凹进部开口侧的外围部分，从而避免芯柱管脚被更加弯曲并避免了在芯柱管脚...

本发明涉及一个具有这样一种结构的光电阴极，它能够使低温时辐射灵敏度的下降得到抑制，从而改善信噪比。在该光电阴极中，一个光吸收层形成在衬底的上层。一个电子发射层形成在该光吸收层的上层。一个条纹状的接触层形成在该电子发射层的上层。由金属组成...

本发明涉及光电阴极、电子管、电场辅助型光电阴极、电场辅助型光电阴极阵列、以及电场辅助型电子管。当光入射到光电阴极（ＡＡ１）的天线层（ＡＡ６）上时，入射光中所含的特定波长的光与天线层（ＡＡ６）的表面等离子体进行结合，从天线层（ＡＡ６）的贯...