光电阴极、电子管及电场辅助型光电阴极、阵列、电子管制造技术

本发明专利技术涉及光电阴极、电子管、电场辅助型光电阴极、电场辅助型光电阴极阵列、以及电场辅助型电子管。当光入射到光电阴极（ＡＡ１）的天线层（ＡＡ６）上时，入射光中所含的特定波长的光与天线层（ＡＡ６）的表面等离子体进行结合，从天线层（ＡＡ６）的贯通孔（ＡＡ１４）输出近场光。输出的近场光的强度，与特定波长的光的强度成比例，且大于该光的强度。另外，输出的近场光具有可被光电转换层（ＡＡ４）吸收的波长。光电转换层（ＡＡ４）接受从贯通孔（ＡＡ１４）输出的近场光。光电转换层（ＡＡ４）上的贯通孔（ＡＡ１４）的周边部分吸收近场光，产生相应于近场光的强度（受光量）的量的光电子（ｅ↑［－］）。在光电转换层（ＡＡ４）上产生的光电子（ｅ↑［－］）向光电阴极（ＡＡ１）的外部输出。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电阴极、电子管、电场辅助型光电阴极、电场辅助 型光电阴极阵列、以及电场辅助型电子管。
技术介绍
目前，为了检测特定波长的光，例如在专利文献1中所记载的， 已知有在光电阴极的光入射面上设置滤光器的装置。在该装置中，当 光向滤光器入射时，滤光器去除包含在该入射光中的特定波长以外的光。光电阴极吸收透过滤光器的特定波长的光，并产生光电子(e一)。另外，作为电场辅助型(称作field assist型)的光电阴极，如 专利文献1所记载，已知有如下一种光电阴极，其层叠了基板、产生 光电子的光子吸收层(光吸收层)、将在光吸收层中产生的光电子加速 的电子放射层。在专利文献1中记载的光电阴极中，在光子吸收层以 及电子放射层上分别连接有接触垫片(电极)，在这些接触垫片之间施 加了偏压。在光子吸收层中产生的电子(光电子)，被由于施加偏压而 在光电阴极内形成的电场加速，从电子放射层放射。专利文献1日本特开平6-34548号公报
技术实现思路
如上所述的光电阴极要求具有优良的光检测灵敏度。另外，在保 持对光的良好的检测灵敏度的同时，例如，还对可容易制造、以及装 置的小型化也提出了高要求。因此，本专本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电阴极，其特征在于，具备：　　　　天线层，其具有在厚度方向上贯通的贯通孔，并且在其表面上形成有用于产生表面等离子体共振的遵从规定规则的图案；和　　　　光电转换层，其与所述天线层接合，并吸收从所述贯通孔输出的光从而产生光电子。

【技术特征摘要】
JP 2006-7-5 2006-185946;JP 2006-7-5 2006-1859441.一种光电阴极，其特征在于，具备天线层，其具有在厚度方向上贯通的贯通孔，并且在其表面上形成有用于产生表面等离子体共振的遵从规定规则的图案；和光电转换层，其与所述天线层接合，并吸收从所述贯通孔输出的光从而产生光电子。2. 如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于，在所述光电转换层上产生的所述光电子从所述天线层的所述贯通 孔向外部输出。3. 如权利要求l所述的光电阴极，其特征在于， 所述天线层具有多个凸部和位于该凸部之间的凹部，所述凸部以及所述凹部形成所述图案，所述贯通孔设置在所述凹部。4. 如权利要求3所述的光电阴极，其特征在于， 所述图案上的所述规定规则被规定成，使得在所述光电转换层上产生的光电子的量，多于在将具有贯通孔且表面没有形成凸部以及凹 部的天线层接合于所述光电转换层时、在该光电转换层上产生的光电 子的量。5. 如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于， 所述天线层具有多个所述贯通孔，该多个贯通孔形成所述图案。6. 如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于， 所述贯通孔的最短宽度短于入射到所述天线层上的光的波长。7. 如权利要求1所述的光电阴极，其特征在于， 在所述光电转换层的表面上，在从所述天线层的所述贯通孔露出的部分上，形成有用于降低该部分的功函数的活性层。8. 如权利要求7所述的光电阴极，其特征在于，所述活性层由碱金属、碱金属氧化物、或者碱金属的氟化物构成。9. 一种电子管，其特征在于， 具备光电阴极， 该光电阴极具备天线层，其具有在厚度方向上贯通的贯通孔，并且在其表面上形 成有用于产生表面等离子体共振的遵从规定规则的图案；和光电转换层，其与所述天线层接合，并吸收从所述贯通孔输出的 光从而产生光电子。10. —种电场辅助型光电阴极，其特征在于，具备光吸收层，吸收入射的光而产生光电子；第1电极，形成在所述光吸收层的一个主面侧；和第2电极，形成在所述光吸收层的另一个主面侧，与所述第1电极一起用于在所述光吸收层的一个主面与另一个主面之间施加电压， 所述第1电极具有在厚度方向上贯通的贯通孔，并且在其表面上形成有用于产生表面等离子体共振的遵从规定规则的图案，所述光吸收层吸收从所述第1电极的所述贯通孔输出的光并产生所述光电子，并且，将产生的该光电子经由所述第1电极的所述贯通孔向外部放射。11. 如权利要求10所述的电场辅助型光电阴极，其特征在于， 还具备支撑基板；电子放射层，形成在所述光吸收层上，将在所述光吸收层上产生 的光电子加速；和接触层，形成在所述电子放射层上， 所述光吸收层形成在所述支撑基板上， 所述第1电极与所述接触层电连接， 所述第2电极与所述支撑基板电连接。12. 如权利要求10所述的电场辅助型光电阴极，其特征在于，还具备 支撑基板；和电子放射层，形成在所述光吸收层上，将在所述光吸收层上产生的光电子加速，所述光吸收层形成在所述支撑基板上，所述第1电极与所述电子放射层进行肖特基接合，所述第2电极与所述支撑基板电连接。13. 如权利要求10所述的电场辅助型光电阴极，其特征在于， 所述第1电极具有多个凸部和位于该凸部之间的凹部，所述凸部以及所述凹部形成所述图案，所述贯通孔设置在所述凹部上。14. 如权利要求13所述的电...

【专利技术属性】
技术研发人员：新垣实，广畑彻，藤原弘康，樋口彰，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]