本发明的目的在于提供一种背面入射型光检测元件，可使封装体充分小，且可抑制被检测光的散射。背面入射型光电二极管（１）具有：Ｎ型半导体基板（１０）、Ｐ↑［＋］型杂质半导体区域（１１）、凹部（１２）及覆盖层（１３）。Ｎ型半导体基板（１０）的表...

本发明提供一种易于将加工对象物切断的激光加工方法。所述激光加工方法包括：使集光点集中在加工对象物（１）的内部来照射激光，沿着加工对象物的切断预定线、在加工对象物的内部通过多光子吸收形成被处理部（７、１３），同时，在加工对象物的内部、在对...

本发明提供一种背面入射型光检测部件及其制造方法，能够充分缩小安装，并且能够抑制被检测光的散乱。背面入射型光电二极管（１）包括：Ｎ型半导体基板（１０）、Ｐ↑［＋］型不纯物半导体区域（１１）、凹部（１２）与窗板（１３）。在Ｎ型半导体基板（１...

在ｎ型半导体基板（５）的表面侧中，ｐ型区域（７）排列成二维阵列状。在邻接的ｐ型区域（７）彼此之间配置有高浓度ｎ型区域（９）和ｐ型区域（１１）。高浓度ｎ型区域（９）从基板（５）的表面侧扩散ｎ型杂质形成，从表面侧看，包围ｐ型区域（７）。ｐ型...

提供一种半导体基板的切断方法，可将表面形成有功能元件的半导体基板连同芯片粘贴树脂层一起有效率地切断。把表面（３）形成有功能元件（１５）的晶片（１１）的背面（１７）作为激光入射面，汇聚聚光点（Ｐ）而对晶片（１１）的内部照射激光，由此产生多...

根据本发明，在该半导体装置中，能够防止半导体基板的薄型化部分的弯曲和破裂，维持对光检测单元的高精度聚焦和在光检测单元中的高灵敏度的均匀性和稳定性。半导体装置（１）备有半导体基板（１０）、配线基板（２０）、导电性突起（３０）和树脂（３２）...

根据本发明，在该半导体装置中，能够防止半导体基板的薄型化部分的弯曲和破裂，维持对光检测单元的高精度聚焦和在光检测单元中的高灵敏度的均匀性和稳定性。半导体装置（１）备有半导体基板（１０）、配线基板（２０）、导电性突起（３０）和树脂（３２）...

本发明的红外线传感器的贯通孔Ｐ设置于面对于黏着层ＡＤ的位置上。即使在由黏着层ＡＤ所划分的空间的内外产生压力差，贯通孔Ｐ与其底部也由黏着层ＡＤ支撑，而可抑制贯通孔Ｐ与其底部及在其上形成的绝缘膜Ｐｉ的劣化.破损，改善红外线传感器的特性。

本发明目的在提供一种入射光量检测动态范围大，温度依赖小的光检测装置。第一信号处理部（１０↓［ｍ，ｎ］）包含积分电路（１１）、第一保持电路（１２）、比较电路（１３）、第二保持电路（１４）以及闩锁电路（１５）。积分电路（１１）具有选择性地设...

本发明提供一种激光加工方法，即使在形成有包括多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下，也可高精度地切断基板及叠层部。是通过将背面（２１）作为激光射入面，使聚光点（Ｐ）对准于基板（４）的内部并照射激光（Ｌ），在基板（４）的内部形成改质区域（...

本发明提供一种激光加工方法，即使在形成有含有多个功能元件的叠层部的基板较厚的情况下，也可高精确度地切断基板及叠层部。是通过将背面（２１）作为激光射入面使聚光点（Ｐ）对准基板（４）的内部并照射激光（Ｌ），而在基板（４）的内部形成改质区域（...

电子部件具备具有自凹部（１５）底面延伸到背面（１１↓［ｂａｃｋ］）的贯通孔（４１）（４３）的基底部件（１），装载于凹部（１５）内的电子元件（４），和闭塞凹部（１５）的开口部的盖部件（２），和介于盖部件（２）与凹部（１５）的开口端面间且闭...

光检测装置中包括的Ｉ／Ｆ转换装置（１０）具备：第１比较部（１１↓［１］）、第２比较部（１１↓［２］）、电流镜电路（１４）、ＳＲ型触发器电路（１６）、缓冲放大器（１８）、第１电容器（Ｃ↓［１］）、第２电容器（Ｃ↓［２］）、开关（ＳＷ↓［１...

本发明提供可改善特性的ＬＥＤ驱动电路。ＬＥＤ驱动电路（１０）具备连接于ＬＥＤ（１１）的第１和第２峰值电流产生电路（１０ｅ）（第２电流源）、（１０ｆ）（第３电流源），时间产生电路（１０ｂ）将驱动信号（Ｔ２）、（Ｔ３）给予晶体管（１０ｃ）使...

本发明涉及一种ＬＥＤ驱动电路，其可以改善特性。第１电流增加电路（１０ｉ↓［４］）由第１缓慢控制部（１０ｉ↓［４１］）和后段的第１供给电路（１０ｉ↓［４３］）构成，从第１比较器（１０ｉ↓［２］）的输出切换时开始，即，当达到超过基准电位（Ｖ...

本发明提供一种可以在加工对象物的内部沿着切断预定线的所希望的部分确实地形成改质区域的激光加工方法。在该激光加工方法中，将聚光点（Ｐ）对准于基板（４）的内部照射激光（Ｌ），从而在基板（４）的内部沿切断预定线（５）形成成为切断起点的质量改质...

光电二极管阵列（１）包括Ｐ＋扩散层（４、５）和Ｎ＋沟道阻挡层（６、７）以及Ｎ＋扩散层（８）。Ｐ＋扩散层（４、５）和Ｎ＋沟道阻挡层（６、７）设置在半导体衬底（３）的背面一侧。Ｎ＋沟道阻挡层（６）设置在相邻的Ｐ＋扩散层（４、５）之间，具有网...

本发明的目的在于提供一种抗机械冲击强，容易且确实进行各种用途的安装的红外线检测装置。红外线检测装置（１）具有：位于下部的基座部件（１０）；与搭载在基座部件（１０）上的、用于检测红外线的红外线检测芯片（２０）；位于红外线检测芯片（２０）上...

本发明提供一种激光加工方法，其能够进行沿着切割预定线的加工对象物的高精度的切割。通过将聚焦点对准硅晶片（１１）的内部在加工对象物（１）上照射激光，并使聚焦点沿着切割预定线（５）相对移动，由此，沿着切割预定线（５）分别形成位于加工对象物（...

本发明涉及一种激光加工方法，向在表面侧上形成有多个电子器件的晶片状的加工对象的内部对准聚光点，并经过电子器件之间的区域照射激光，从而沿着经过电子器件之间并在第１方向上延伸的多个第１切割预定线的各个，在距加工对象物的激光入射面规定距离的内...