一种光源装置，能够提高气体放电管的定位精度，并使气体放电管的维护作业变容易，具有容纳气体放电管的灯容器，在该灯容器内容纳有与气体放电管一起相对于灯容器在已定位的状态下进行固定的绝缘性插孔部件。绝缘性插孔部件包括：与气体放电管的芯柱部面接...

本发明的红外线阵列检测装置中，在设置于有周边部由框体支持的支持膜上阵列排列着３个以上的红外线检测像素，而且热电偶的热接点形成于中空部分的上部，冷接点形成于框体的上部，并设置有补偿手段，根据在照射红外线于红外线检测像素上时取出的电动势与位...

能够在加工对象物的表面上进行不发生熔融或者偏离切割预定线的分割的激光加工方法以及激光加工装置，其中，在引起多光子吸收的条件下而且在加工对象物（１）的内部对准焦点（Ｐ），在加工对象物（１）的表面（３）的切割预定线（５）上照射脉冲激光（Ｌ）...

光电二极管阵列（１）包括ｎ型硅基板（３）。在ｎ型硅基板（３）的被检测光（Ｌ）的入射面的相反面一侧，以阵列状形成有多个光电二极管（４）。在ｎ型硅基板（３）的被检测光（Ｌ）的入射面一侧的、未与形成有光电二极管（４）的区域对应的区域上，设置有...

本发明的目的在于提供一种能够使得封装体充分小、且能够抑制被检测光的散射的背面入射型光检测元件。背面入射型光电二极管（１）具备：Ｎ型半导体基板（１０）、Ｐ↑［＋］型杂质半导体区域（１１）、凹部（１２）、覆盖层（１３）及窗板（１４）。在Ｎ型...

本发明涉及可保持机械强度，同时能充分小型化的半导体受光元件等。所述半导体受光元件具备层构造体和玻璃基板。层构造体由顺次叠层的抗反射膜、ｎ型（第一导电型）高浓度载流子层、ｎ型光吸收层和ｎ型覆盖层构成。在层构造体的抗反射膜侧隔着二氧化硅膜与...

根据本发明，在该半导体装置中，能够防止半导体基板的薄型化部分的弯曲和破裂，维持对光检测单元的高精度聚焦和在光检测单元中的高灵敏度的均匀性和稳定性。半导体装置（１）备有半导体基板（１０）、配线基板（２０）、导电性突起（３０）和树脂（３２）...

本发明的半导体光检测元件（ＰＤ１）具有多层构造体（ＬＳ１）和对于入射光为光学透明的玻璃基板（１）。多层构造体包括被积层的蚀刻停止层（２）、ｎ型的高浓度载体（ｃａｒｒｉｅｒ）层（３）、ｎ型的光吸收层（５）及ｎ型的盖（ｃａｐ）层（７）。在多...

本发明提供一种激光加工方法，该方法可在将形成有包括多个功能元件的的叠层部的基板切断为具有功能元件的多个芯片时，与基板同时实现叠层部的高精度的切断。在该激光加工方法中，沿着各预定切断线（５ａ～５ｄ）形成使基板（４）发生断裂的容易程度不同改...

本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面（３）形成功能元件（１９）的半导体基板（１）的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板（１）的内部形成含由多光...

本发明提供一种能防止碎屑或破裂的发生、使基板薄型化并将基板分割的基板的分割方法。该基板的分割方法的特征在于，具有：通过在表面（３）形成功能元件（１９）的半导体基板（１）的内部，使聚光点聚合并照射激光，在半导体基板（１）的内部形成含由多光...

本发明提供一种可对加工用激光的入射面为凹凸面的板状加工对象物进行高精度切断的激光加工方法。其通过使汇聚点对准板状加工对象物的内部而照射激光，由此沿着切断预定线５形成作为切断起点的改质区域（７１～７７）。切断预定线（５）跨越入射面（ｒ）的...

本发明提供一种激光加工方法，将形成有包含多个功能元件的层压部的衬底加以切断的时，特别地能够进行层压部的高精度的切断。在将保护胶带（２２）粘贴在层压部（１６）的表面（１６ａ）后的状态下，将衬底（４）的背面（４ｂ）作为激光入射面来照射激光（...

本发明提供一种激光加工方法，在将具备有衬底和含功能元件且形成在衬底表面的层压部的加工对象物切断时，可以特别高精度地切断层压部。在将保护胶带（２２）粘贴在层压部（１６）的表面（１６ａ）上的状态下，将衬底（４）的背面（４ｂ）作为激光入射面而...

本发明的激光加工方法，通过照射具有标准的脉冲波形的激光（Ｌ），在硅晶片（１１↓［１］）的内部形成，加工对象物（１）的厚度方向的大小大，且随着容易在加工对象物（１）的厚度方向上发生破裂（２４）的溶融处理区域（１３↓［１］），同时，通过照射...

本发明提供一种加工对象物的切断方法，该方法能够可靠地除去残留在芯片的切断面上的微粒。将板状的加工对象物沿切断预定线切断，使由此得到的多个半导体芯片（２５）的每一个在扩张带（２３）上相互分开，在该状态下，使扩张带（２３）带静电。由于该电的...

本发明提供一种能高精度地切割具有各种积层构造的加工对象物（１）的激光加工方法。在具有基板及设置于该基板表面（３）的积层部的加工对象物（１）的至少基板内部，使聚光点（Ｐ）聚合并照射激光（Ｌ），使得至少在基板内部形成由多光子吸收生成的调质领...

抑制激光加工时的加工对象物的弯曲。在晶圆（１１）的内部形成改质区域（Ｍ２），从改质区域（Ｍ２）产生沿着平行于晶圆（１１）的厚度方向且相对于包含线（５）的面倾斜的方向延伸的裂纹（ａ２、ｂ２）。在晶圆（１１）的内部形成改质区域（Ｍ３），以连...

由于构成基干导电层的多个电阻区域的宽度随着从一端朝向另一端前进而变宽，其各自的电阻率实质上是相同的，故如果把本半导体位置探测器配置为使得相应于来自位于远距离处的被测定物的光而产生的电荷流入宽度窄的电阻区域，则即便是在入射光位置因被测定物...

一种半导体位置探测器，采用对其栅极电极（１１）的电位进行控制的办法，通过进行基干导电层（２－１、２－２）的断开／连接控制，就可以使半导体位置探测器起着ＰＳＤ的作用或２分割ＰＤ的作用。倘采用该半导体位置探测器，由于不需要ＰＳＤ之外的另外的...