光电二极管阵列及其制造方法和放射线检测器技术

技术编号:3238397 阅读:166 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
光电二极管阵列(1)包括n型硅基板(3)。在n型硅基板(3)的被检测光(L)的入射面的相反面一侧,以阵列状形成有多个光电二极管(4)。在n型硅基板(3)的被检测光(L)的入射面一侧的、未与形成有光电二极管(4)的区域对应的区域上,设置有具有规定高度的间隔层(6)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种光电二极管阵列,其特征在于:包括半导体基板,在所述半导体基板中的被检测光的入射面的相反面一侧,以阵列状形成有多个光电二极管,在所述半导体基板的被检测光的所述入射面一侧的、不与形成有所述光电二极管的区域对应的区域上 ,设置有具有规定高度的突出部。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员:柴山胜己
申请(专利权)人:浜松光子学株式会社
类型:发明
国别省市:JP[日本]

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