在本发明中执行：在激光加工装置的控制部和第1激光加工头以及第2激光加工头被排列在线上的第1状态下，使来自所述第1激光加工头的激光的聚光点位于第3方向上的第1位置，并且使来自所述第1激光加工头的所述激光相对于所述线在第1方向上扫描的第1扫...

一种激光加工装置(激光加工装置1)，具备：能够沿第一方向(X方向)移动，且能沿所述第一方向及与所述第一方向交叉的第二方向(Y方向)将对象物支承用的支承部(支承部7)；沿所述第二方向彼此相对地配置，用于将激光照射在被支承于所述支承部的所述...

本发明的激光加工装置包括：支承部，其支承对象物且沿着第1方向移动；第1移动部，其沿着与第1方向垂直的第2方向移动；第1安装部，其安装于第1移动部，且沿着与第1方向和第2方向垂直的第3方向移动；第1激光加工头，其安装于第1安装部，且对对象...

激光加工装置具备支撑部、照射部及控制部。照射部具有以与激光的光轴垂直的面内的聚光区域的一部分的形状具有长边方向的方式成形激光的成形部。控制部具有：决定部，其决定沿着线使聚光区域的一部分相对地移动的情况下的长边方向的朝向，以使长边方向与聚...

根据一个实施方式涉及的半导体基板的制造方法包括：第一工序，通过对基板的主面实施包括各向同性蚀刻的处理来形成具有底面和侧面的槽部，所述侧面上形成有波纹；第二工序，执行对槽部的侧面进行的亲水化处理及对槽部进行的脱气处理中的至少一者；第三工序...

激光加工头(第一激光加工头10A)具备：壳体(壳体11)；入射部(入射部12)，设于壳体使激光入射至壳体内；调整部(调整部13)，配置于壳体内调整激光；和聚光部(聚光部14)，安装于壳体将激光聚光并射出至壳体外。在第二方向(Y方向)彼此...

本发明的纤维构造体具备：第1光纤和第2光纤，其以前端部彼此互相对接的方式配置；和薄片状的可饱和吸收体，其被第1光纤的前端部与第2光纤的前端部夹持，第1光纤和第2光纤各自的前端部具有纤芯、设置于纤芯的周围的包层、和设置于包层的周围的套圈，...

本发明的一方式涉及具备形成共振模式的层的发光元件等。该发光元件具备基板和由半导体层叠体构成的结构体，半导体层叠体包含第一包覆层、第二包覆层、活性层及共振模式形成层。共振模式形成层包含基本层和多个不同折射率区域。在结构体的一个面，设置有激...

光学测定装置具备：光检测元件，其检测包含由被照射了激发光的免疫层析试验片产生的荧光、及起因于激发光的光、即具有与激发光相等的相位的散射光的检测光；及消除电路，其处理与检测光对应的检测信号；消除电路基于荧光与散射光中的相位的差异，自检测信...

一实施方式的放射线摄像装置具备：放射线检测面板；基底基板，其具有支撑放射线检测面板的支撑面；及框体，其收纳放射线检测面板及基底基板，框体具有顶壁及底壁，基底基板自正交于支撑面的方向观察，具有较放射线检测面板更向外侧突出的突出部，在突出部...

一实施方式的放射线摄像装置具备：放射线检测面板，其具有形成有检测区域且在检测区域的外侧形成有电极垫的第1面、及与第1面相反侧的第2面；基底基板，其具有与放射线检测面板的第2面相对且支撑放射线检测面板的支撑面；及可挠性电路基板，其经由连接...

一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况...

放大电路用真空管包括：透射信号光的入射窗；将从入射窗透射的信号光转换为光电子的光电转换部；具有入射光电子的阳极，输出与射入的光电子相应的信号的输出部；和栅极电极，其配置于从光电转换部去向阳极的光电子的路径中，控制向阳极入射的光电子的量。

一实施方式的放射线摄像装置具备：放射线检测面板，其具有形成有检测区域的第1面、及与第1面相反侧的第2面；基底基板，其具有与放射线检测面板的第2面相对且支撑放射线检测面板的支撑面；及可挠性电路基板，其连接于放射线检测面板；自正交于支撑面的...

闪光灯包括：具有管座的灯壳；以贯通管座的方式延伸的导电性线状部件；和具有控制放电的放电部的触发测头，导电性线状部件具有引线针脚和阳极，该阳极在比引线针脚靠导电性线状部件的前端侧向导电性线状部件方向伸出，引线针脚和阳极是一体成型部件，导电...

放射线图像取得系统具备：放射线源，其向对象物输出放射线；闪烁器，其具有输入从放射线源输出并透过了对象物的放射线的输入面，将输入到输入面的放射线转换为闪烁光，并且相对于上述闪烁光不透明；摄像单元，其具有焦点对准输入面并对从输入面输出的闪烁...

检查装置包括：支承晶片的载置台，其中，晶片在半导体衬底的内部形成有多排改性区域；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；和物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；和检查部，其检查在多排改性区域中的最靠...

检查装置包括：载置台，其支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片；光源，其输出对于半导体衬底具有透射性的光；物镜，其使在半导体衬底中传播后的光通过；光检测部，其检测通过了物镜后的光；检查部，其检查在最靠近半导体衬底的正面的改性区域...

本发明的检查装置包括：支承在半导体衬底的内部形成有多排改性区域的晶片的平台；输出对于半导体衬底具有透射性的光的光源；使在半导体衬底中传播的光透射的物镜；检测从物镜透射的光的光检测部；和检查部，其在最靠近半导体衬底的背面的改性区域与背面之...

本发明的法布里‑珀罗干涉滤光器具备：基板，其具有第1表面；第1层叠体，其具有配置于第1表面的第1镜部；第2层叠体，其具有相对于第1镜部在与基板的相反侧经由空隙而与第1镜部相对的第2镜部；中间层，其具有在第1层叠体与第2层叠体之间划定空隙...