光检测元件和光检测装置制造方法及图纸

一种光检测元件，具备：半导体基板、形成于半导体基板上的第一导电型的光吸收层、形成于光吸收层上的第一导电型的盖层，以及形成于盖层内，与盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域。形成于半导体区域的周围的耗尽层，在不向pn结施加反方向偏置的情况下，未达到光吸收层，在向pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从盖层侧超过光吸收层的厚度的50％的位置。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光检测元件和光检测装置
本公开涉及光检测元件和光检测装置。
技术介绍
作为利用间接TOF(飞行时间)方式来获得对象物的距离图像的传感器，已知有距离图像传感器，其具备：设置有感光区域的半导体基板、形成于半导体基板上的绝缘层，以及形成于绝缘层上每个像素的光栅电极和传送电极(例如，参见专利文献1)。在专利文献1中记载的距离图像传感器的示例中，半导体基板由硅制成，并且光栅电极和传送电极由多晶硅制成。专利文献专利文献1：特开2011-133464号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的技术问题近年来，例如为了在雾或烟中获得对象物的距离图像，需要一种可以检测具有1.5μm左右波长的光的距离图像传感器。然而，如果构成距离图像传感器的半导体基板由硅形成，则对于具有1.5μm左右波长的光不能获得足够的灵敏度。因此，为了对具有1.5μm左右波长的光获得足够的灵敏度，可以想到使用化合物半导体基板作为构成距离图像传感器的半导体基板。然而，在这种情况下，难以在化合物半导体基板上形成光栅电极和传送电极。>另外，还可以想到在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光检测元件，其特征在于，具备/n半导体基板，/n形成于所述半导体基板上的第一导电型的光吸收层，/n形成于所述光吸收层上的第一导电型的盖层，以及/n形成于所述盖层内，与所述盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域，/n形成于所述半导体区域的周围的耗尽层，在不向所述pn结施加反方向偏置的情况下，未达到所述光吸收层，在向所述pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从所述盖层侧超过所述光吸收层的厚度的50％的位置。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20181016 JP 2018-1951461.一种光检测元件，其特征在于，具备
半导体基板，
形成于所述半导体基板上的第一导电型的光吸收层，
形成于所述光吸收层上的第一导电型的盖层，以及
形成于所述盖层内，与所述盖层形成pn结的第二导电型的半导体区域，
形成于所述半导体区域的周围的耗尽层，在不向所述pn结施加反方向偏置的情况下，未达到所述光吸收层，在向所述pn结施加20V的反方向偏置的情况下，从所述盖层侧超过所述光吸收层的厚度的50％的位置。


2.根据权利要求1所述的光检测元件，其特征在于，在向所述pn结施加20V的反方向偏置的情况下，所述耗尽层从所述盖层侧超过所述光吸收层的厚度的80％的位置。


3.根据权利要求1或2所述的光检测元件，其特征在于，
还具备形成于所述光吸收层和所述盖层之间的第一导电型的缓和层。


4.根据权利要求1或2所述的光检测元件，其特征在于，
所述光吸收层和所述盖层相互接触。


5.根据权利要求1～4中任一项所述的光检测元件，其特征在于，
在所述盖层内形成多个所述半导体区域，并且在从所述半导体基板的厚度方向观察的情况下，一维地或二维地排列所述半导体区域。


6.根据权利要求1～5中的任一项所述的光检测元件，其特征在于，
在所述盖层内形成多个所述半导体区域，并且在从所述半导体基板的厚度方向观察的情况下一维地排列所述半导体区域，
在与所述半导体基板的厚度方向和所述半导体区域的排列方向的两个方向垂直的宽度方向...

【专利技术属性】
技术研发人员：间瀬光人，田口桂基，石原兆，山本洋夫，岛田明洋，
申请(专利权)人：浜松光子学株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP