AZ电子材料日本株式会社专利技术

AZ电子材料日本株式会社共有118项专利

  • 本发明公开了一种光刻胶组合物,其包含:a)至少一种选自线性酚醛清漆树脂和聚羟基苯乙烯的成膜树脂;b)至少一种光活性化合物或光酸产生剂;和c)包含至少一种选自缩醛和缩酮的溶剂的溶剂组合物。还公开了一种包含聚碳酸酯树脂和溶剂组合物的光刻胶组...
  • 本发明提供了一种形成硅质膜的方法。根据该方法,在低温下可以由聚硅氮烷化合物形成具有亲水性表面的硅质膜。在该方法中,在基板表面上涂布含有聚硅氮烷化合物和二氧化硅转化反应加速剂的组合物以形成聚硅氮烷膜,然后在其上涂布聚硅氮烷膜处理液以使聚硅...
  • 本发明的课题在于提供混入杂质少的化学品溶液供给系统和其所采用的化学品溶液用容器。该化学品溶液供给系统采用了在容器的开口部嵌合有内侧盖部件的化学品溶液用容器,该内侧盖部件通过封闭部件封闭。在使用时,以将上述封闭部件破坏等方法使开口部开口,...
  • 本发明提供一种不易受到沟槽结构影响的蚀刻液,并且还提供一种利用该蚀刻液形成隔离结构的方法。该蚀刻液含有氢氟酸和有机溶剂。所述有机溶剂具有由汉森溶解度参数定义的在4~12范围内的δH值并且其在20℃于水中的饱和溶解度为5wt%或更高。该蚀...
  • 本发明涉及一种硅氧烷树脂组合物的固化覆膜形成方法。使用硅氧烷树脂组合物,形成透明性优异,具有高划痕硬度、高绝缘性、低介电常数以及平整性优异,烧制时没有膜减少,即使形成厚膜也不会产生裂痕,而且基板界面没有膜剥落,密合性优异的烧制固化覆膜。...
  • 本发明提供抑制表面缺陷的图形形成方法。该图形形成方法包括在曝光后,在抗蚀剂表面上形成酸性的膜,然后,进行加热处理。用于形成ArF准分子激光等的短波长光、浸液光刻等的非常细微的图形的场合。
  • 本发明提供一种可以有效除去残存在显影后抗蚀基板表面上的抗蚀剂残渣,并且能够使图案精细化的抗蚀基板处理液以及使用该处理液的抗蚀基板的处理方法。处理具有该显影后的光抗蚀图案的抗蚀基板的抗蚀基板处理液含有不溶解显影后的光抗蚀图案的溶剂、以及可...
  • 本发明提供了一种超精细图案形成方法,其可以简便地以高规模化生产率来生产超精细图案。该方法中,在待处理薄膜上形成第一凸起图案;在凸起图案的侧面上形成由含硅氮烷键的树脂组合物形成的隔体;通过使用隔体或设置在隔体周围的树脂层作为掩模来形成超精...
  • 本发明涉及一种含有聚硅氮烷的涂布组合物。本发明提供埋设性和涂布性优异,可以形成具有优异膜物性的硅质膜的涂布组合物以及使用该组合物形成硅质膜的方法。一种涂布组合物,该涂布组合物含有全氢聚硅氮烷和溶剂,且前述全氢聚硅氮烷的分子量分布曲线分别...
  • 本发明提供一种形成顶部抗反射涂层的组合物,其具有如此低的折射率,以使其可以适用于在ArF准分子激光束下形成图案,而且本发明还提供使用该组合物形成图案的方法。顶部抗反射涂层组合物包含特定的萘化合物、聚合物和溶剂。组合物用于形成光致抗蚀层上...
  • 本发明提供了一种用于形成顶部抗反射涂层的组合物,并还提供了一种使用该组合物的图案形成方法。该组合物防止曝光步骤中由于光线在抗蚀层中的反射导致的图案损失,并且它还避免了由蚀刻步骤产生的残留物导致的困扰。该组合物包含溶剂和平均粒径为1~10...
  • 本发明提供了一种用于形成具有低折射率,平缓的摆动曲线,小摆动比率的顶部抗反射涂层组合物。该组合物包含溶剂和具有亲水基的含蒽骨架聚合物。该组合物涂覆在光致抗蚀膜上形成抗反射涂层,并能用在通过使用波长为160~260nm的光形成图案的光刻法中。
  • 本发明涉及一种图案的形成方法及其所使用的感光性树脂组合物。本发明提供可改善涂敷性和形成的图案形状的感光性树脂组合物及采用其的图案形成方法。该感光性树脂组合物含有碱可溶性树脂、感光剂和混合溶剂,上述混和溶剂含有丙二醇单甲醚乙酸酯和在20℃...
  • 本发明提供了一种用于不明显增加生产成本或削弱生产效率而使图案小型化的方法。本发明还提供了一种精细的抗蚀图和用于形成该精细图案的抗蚀基板处理溶液。该图案形成方法包括处理步骤。在该处理步骤中,用含有含氨基,优选含叔聚胺的水溶性聚合物的抗蚀基...
  • 本发明提供了一种用于改善显影后图案表面上瑕疵的抗蚀基板处理溶液,还提供了一种使用该处理溶液的抗蚀基板处理方法。该抗蚀基板处理溶液包含溶剂和含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物如聚胺、多羟基化合物或聚醚。该处理方法中,用该抗蚀基板处理溶液处...
  • 公开了一种用于形成顶层抗反射膜的组合物,其包含至少一种含氟化合物和通式(1)表示的季铵化合物(其中R1、R2、R3和R4中的至少一个表示羟基或链烷醇基,其余的表示氢原子或具有1~10个碳原子的烷基;X-表示羟基、卤离子或硫酸根离子),以...
  • 本发明提供一种硅质薄膜形成用组合物,该组合物具有小的厚度收缩率,以至于可以得到高均匀性的硅质薄膜。本发明还提供一种制造槽隔离结构的方法。根据所述方法,可以均匀地填充甚至具有非常小的宽度的槽。所述组合物含有溶剂和由一种卤代硅烷化合物或者其...
  • 本发明提供了一种含聚硅氮烷的组合物,与已知的含聚硅氮烷的组合物相比,其能更快速并在更低的温度下形成致密硅质薄膜。在形成硅质薄膜的过程中,将包含聚硅氮烷化合物、特定的胺化合物和溶剂的组合物涂覆于衬底上并转变为硅质物质。该特定的胺化合物优选...
  • 本发明提供了一种具有高抗干蚀刻性的精细图案形成用组合物以及形成该精细图案的方法。该精细图案形成用组合物包含:含有具有硅氮烷键的重复单元的树脂;和溶剂,以及使用该组合物的精细图案形成方法。
  • 本发明涉及在制备硅质膜的方法中使用的浸渍溶液。本发明提供一种浸渍溶液和使用该溶液制备硅质膜的方法。即使在具有凹部和凸部的衬底的凹部,该浸渍溶液也能够形成均匀的硅质膜。在衬底上涂布聚硅氮烷组合物,然后在烧制前浸渍在所述溶液中。该浸渍溶液包...