本技术公开了一种IGBT封装DBC压合治具，包括料盒、DBC托盘、真空吸附装置和用于在所述真空吸附装置吸附位于所述DBC托盘上的DBC基板时对DBC基板施加压力的压合装置，DBC托盘上设置容纳DBC基板的定位沉槽，所述料盒内设置托盘卡槽...

本发明公开了一种具备均流特性布局的功率模块，包括衬板和半导体器件，所述半导体器件在所述衬板上至少布置两组且每组的所有半导体器件呈环形布置，所有半导体器件相对于衬板中心为圆对称。本发明的功率模块，具备较好的均流特性跟散热特性。

本发明公开了一种DBC铜层表面氧化层去除方法，包括步骤：S1、将待除氧化层的IGBT模块倒扣至限位治具内，IGBT模块上的氧化层朝上；S2、由除氧化激光设备将IGBT模块上的氧化层清除；S3、使用气枪清理IGBT模块。本发明的DBC铜层...

本发明公开了一种IGBT模块打标方法，包括步骤：S1、定位治具固定离型纸，离型纸上粘贴有贴纸；S2、在贴纸上进行打标信息的标刻；S3、将贴纸粘贴在IGBT模块上。本发明的IGBT模块打标方法，采用打标信息与产品分离的特殊打标方式，可以提...

本发明公开了一种IGBT模块端子焊接方法，包括步骤：S1、提供点锡治具和压板；S2、将功率端子和信号端子安装至点锡治具内；S3、点锡机在功率端子和信号端子的表面上点上锡膏；S4、将IGBT模块安装至限位治具内，然后将压板盖在IGBT模块...

本发明公开了一种：IGBT模块端子缺失检测方法，包括步骤：S1、提供PCB端子串联电路板，PCB端子串联电路板上设置指示灯、蜂鸣器和让IGBT模块的端子插入的端子插孔；S2、将IGBT模块安装在PCB端子串联电路板上，IGBT模块上的各...

本实用新型公开了一种微沟槽栅IGBT器件，包括P+区域、源极掺杂区域和栅极，源极掺杂区域位于栅极的两侧，源极掺杂区域与P+区域分别位于接触孔的两侧。本实用新型的微沟槽栅IGBT器件，P+区域的引入能够极大的降低接触孔与肼区之间的P型接触...

本发明公开了一种平面栅SiC MOSFET器件制造方法，包括步骤：S1、提供衬底，在衬底上制备外延层；S2、在外延层上制备第一硬掩膜层；S3、在第一硬掩膜层上刻蚀出第一沟槽，然后在第一沟槽内进行离子注入，形成JFET区域；S4、在JFE...

本发明公开了一种高密度Trench IGBT的制造方法，包括步骤：S1、提供一衬底；S2、在衬底上制备Pwell注入区；S3、在Pwell注入区制备沟槽，沟槽延伸至衬底；S4、在沟槽内制备栅氧化层；S5、在沟槽内制备多晶硅区；S6、在P...

本实用新型公开了一种高密度沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，所述发射极PAD区设置第一沟槽，所述栅极PAD区设置第二沟槽，第一沟槽的长度方向与第二沟槽的长度方向相垂直，第二沟槽的宽度大于或等于第一沟槽的宽度。本实用新...

本发明公开了一种高密度沟槽栅功率芯片，包括终端保护区、第一元胞区和第二元胞区，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向为非平行的。本发明的高密度沟槽栅功率芯片，减小了晶圆的翘曲程度。曲程度。曲程度。

本发明公开了一种微沟槽栅IGBT器件，包括发射极PAD区和栅极PAD区，所述发射极PAD区上设置正常管芯区和短路抑制区，短路抑制区为间隔设置，每相邻两个短路抑制区之间设置正常管芯区。本发明的微沟槽栅IGBT器件，短路电流抑制区域的引入能...

本发明公开了一种Trench Gate MOS型功率器件的制作方法，包括步骤：S1、在晶圆上形成Pwell区域；S2、在Pwell区域上形成硬掩膜层；S3、打开硬掩膜层，通过硬掩膜层蚀刻硅片形成沟槽；S4、去除硬掩模层；S5、生长栅极氧...

本发明公开了一种功率半导体器件制造方法，包括步骤：S1、提供衬底，在衬底上制备外延层；S2、在外延层上制备第一硬掩膜层；S3、离子注入形成P阱区域；S4、制备N+Spacer；S5、离子注入形成N+区域；S6、制备JFET区域；S7、制...

本实用新型公开了一种IGBT模块端子焊接防变形装置，包括用于对第一端子和第二端子提供支撑的支架以及设置于支架上且用于插入第一端子和第二端子之间的卡销。本实用新型的IGBT模块端子焊接防变形装置，通过设置支架和卡销相配合，对端子提供支撑，...

本发明公开了一种低米勒电容功率器件，包括硅片、分段沟槽栅和多晶硅平面栅极，分段沟槽栅按规定间隔设置多个，多晶硅平面栅极将所有分段沟槽栅连接在一起，多晶硅平面栅极设置于所述硅片的上表面。本发明的低米勒电容功率器件，降低沟道密度，短路电流也...

本发明公开了一种逆导型功率芯片制造方法，包括步骤：S1、提供单晶半导体衬底；S2、在单晶半导体衬底上表面形成正面结构，正面结构中包括绝缘层和正面金属电极，正面金属电极包括IGBT发射极金属电极和FRD阳极金属电极；S3、在绝缘层和IGB...

本发明公开了一种IGBT模块降温方法，包括步骤：S1、提供烤箱，烤箱具有冷却腔；S2、将IGBT模块置于烤箱的冷却腔中，对IGBT模块进行降温。本发明的IGBT模块降温方法，通过在烤箱内部增加冷却腔，实现IGBT模块的降温冷却，降温效率...

本发明公开了一种IGBT模块表面残留助焊剂清洗方法，包括步骤：S1、提供清洗液喷淋装置；S2、在IGBT模块从清洗机的清洗液中移出后，由清洗液喷淋装置对IGBT模块进行喷淋冲刷作业。本发明的IGBT模块表面残留助焊剂清洗方法，通过设置清...

本发明公开了一种方针端子焊接定位方法，包括步骤：S1、提供方针定位治具；S2、将方针端子插在方针定位治具上，由方针定位治具对方针端子进行定位；S3、将DBC板倒扣至方针端子的焊接面上；S4、将DBC板连同方针定位治具一起翻转180