高密度沟槽栅功率芯片制造技术

本发明专利技术公开了一种高密度沟槽栅功率芯片，包括终端保护区、第一元胞区和第二元胞区，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向为非平行的。本发明专利技术的高密度沟槽栅功率芯片，减小了晶圆的翘曲程度。曲程度。曲程度。

【技术实现步骤摘要】
高密度沟槽栅功率芯片


[0001]本专利技术属于半导体产品
，具体地说，本专利技术涉及一种高密度沟槽栅功率芯片。

技术介绍

[0002]绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT)，一种MOS型功率半导体器件，结合了BJT(双极结型晶体管)的低导通压降和MOSFET(绝缘栅型场效应晶体管)的高输入阻抗两个优点，具有全控型、电压驱动、低导通压降以及低开关损耗等特点。其应用也越来越广泛，目前广泛应用于高压电网、轨道交通、电动汽车、工业、军工以及家电等各大领域，是一种重要的功率半导体器件。
[0003]随着应用端对低损耗高功率密度要求和半导体功率芯片的制程能力不断提升，高密度条形沟槽栅技术成为了IGBT芯片技术的重要发展方向，尺寸达到亚微米级别，密度越来越高，沟槽深度比较深，一般深度在5um以上。如图6所示，为现有高密度沟槽栅IGBT芯片上表面俯视图，其中101为终端区，102位栅极去，103a和103b为元胞区，现有高密度沟槽IGBT的元胞区是由大量排列一致的条形沟槽组成，这种高密本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.高密度沟槽栅功率芯片，包括终端保护区、第一元胞区和第二元胞区，其特征在于，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向为非平行的。2.根据权利要求1所述的高密度沟槽栅功率芯片，其特征在于，所述第一元胞区的面积与所述第二元胞区的面积大小相同。3.根据权利要求2所述的高密度沟槽栅功率芯片，其特征在于，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向为相垂直。4.根据权利要求2所述的高密度沟槽栅功率芯片，其特征在于，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向之间具有夹角且该夹角为锐角。5.根据权利要求2所述的高密度沟槽栅功率芯片，其特征在于，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向之间具有夹角且该夹角为45
°
。6.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖秀光，朱辉，高远，杨涛涛，潘恒，
申请(专利权)人：安徽瑞迪微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：