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本发明公开了一种高密度沟槽栅功率芯片，包括终端保护区、第一元胞区和第二元胞区，所述第一元胞区的条形沟槽的延伸方向与所述第二元胞区的条形沟槽的延伸方向为非平行的。本发明的高密度沟槽栅功率芯片，减小了晶圆的翘曲程度。曲程度。曲程度。
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该专利属于安徽瑞迪微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安徽瑞迪微电子有限公司授权不得商用。

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