DBC铜层表面氧化层去除方法技术

本发明专利技术公开了一种DBC铜层表面氧化层去除方法，包括步骤：S1、将待除氧化层的IGBT模块倒扣至限位治具内，IGBT模块上的氧化层朝上；S2、由除氧化激光设备将IGBT模块上的氧化层清除；S3、使用气枪清理IGBT模块。本发明专利技术的DBC铜层表面氧化层去除方法，具有安全性高、无异物残留和不腐蚀其他的零件或材料的优点。和不腐蚀其他的零件或材料的优点。和不腐蚀其他的零件或材料的优点。

【技术实现步骤摘要】
DBC铜层表面氧化层去除方法


[0001]本专利技术属于半导体生产工艺
，具体地说，本专利技术涉及一种DBC铜层表面氧化层去除方法。

技术介绍

[0002]传统IGBT模块封装，模块在锡膏回流过程中，由于高温状态下产品DBC铜层与空气少量接触，使其表面产生氧化铜；另外，模块长期存放过程中，DBC铜层也会因为接触潮湿空气而产生氧化铜。通常会采用化学品或研磨抛光等方式来去除铜层氧化。
[0003]现有的DBC铜层表面氧化层去除方法化学品除氧化法和研磨除氧化法。
[0004]使用化学品除氧化层的方式通常是采用酸性溶剂擦拭氧化层表面，将模块表面的氧化层进行腐蚀还原。人工作业的方式将迫使作业人员最近距离接触这类腐蚀性溶剂，长期使用将对人体的皮肤及内脏器官造成巨大的损害。
[0005]而且化学液除去模块表面氧化层后，残留的杂质需要大量的纯水清洁。在模块内部不能遇水的情况下，单独清洗氧化面的残留物工序繁琐，生产效率低。
[0006]采用研磨的方式除去氧化物后，模块表面会有大量铜屑残留物。肉眼不可见铜屑的残留物清理困难，并且残留的细微颗粒严重影响产品性能，导致产品失效。

技术实现思路

[0007]本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本专利技术提供一种DBC铜层表面氧化层去除方法，目的是提高安全性，避免异物残留和产品失效。
[0008]为了实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：DBC铜层表面氧化层去除方法，包括步骤：
[0009]S1、将待除氧化层的IGBT模块倒扣至限位治具内，IGBT模块上的氧化层朝上；
[0010]S2、由除氧化激光设备将IGBT模块上的氧化层清除；
[0011]S3、使用气枪清理IGBT模块。
[0012]所述步骤S1中，所述限位治具内摆放多个IGBT模块。
[0013]所述步骤S2中，所述除氧化激光设备通过阵列程序的方式，将所有IGBT模块上的氧化层逐一清除。
[0014]本专利技术的DBC铜层表面氧化层去除方法，具有如下的优点：
[0015]1.安全性高：无需人工接触的除氧化方式，没有化学溶剂的使用，将不会对作业人员造成人身危害；
[0016]2.无异物残留：激光除区氧化层后，氧化层不需要二次清洗处理的工序，使用气枪进行简单处理即可；
[0017]3.不腐蚀其他的零件或材料：不使用化学溶剂的情况下，不用担心模块其他零部件受到溶剂的腐蚀破坏。
附图说明
[0018]本说明书包括以下附图，所示内容分别是：
[0019]图1是IGBT模块定位状态示意图；
[0020]图2是DBC铜层表面氧化层去除状态示意图；
[0021]图中标记为：
[0022]1、激光头；2、限位治具；3、氧化层；4、IGBT模块；5、端子；6、外壳。
具体实施方式
[0023]下面对照附图，通过对实施例的描述，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明，目的是帮助本领域的技术人员对本专利技术的构思、技术方案有更完整、准确和深入的理解，并有助于其实施。
[0024]如图1和图2所示，本专利技术提供了一种DBC铜层表面氧化层去除方法，包括如下的步骤：
[0025]S1、将待除氧化层的IGBT模块4倒扣至限位治具2内，IGBT模块4上的氧化层3朝上；
[0026]S2、由除氧化激光设备将IGBT模块4上的氧化层3清除；
[0027]S3、使用气枪清理IGBT模块4。
[0028]具体地说，如图1所示，在上述步骤S1中，限位治具2呈水平状态，限位治具2内摆放多个IGBT模块4，所有IGBT模块4上的氧化层3均朝上，氧化层3为铜层。
[0029]在上述步骤S2中，除氧化激光设备通过阵列程序的方式，将所有IGBT模块4上的氧化层3逐一清除。限位治具2上设置让IGBT模块4嵌入的定位槽，定位槽设置多个且所有定位槽为呈N*M矩阵式分布，各个定位槽中分别放置一个IGBT模块4。
[0030]在上述步骤S3中，最后使用气枪清理IGBT模块4，去除IGBT模块4上可能存在的残留物。
[0031]上述DBC铜层表面氧化层去除方法，具有如下的优点：
[0032]1.安全性高：无需人工接触的除氧化方式，没有化学溶剂的使用，将不会对作业人员造成人身危害；
[0033]2.无异物残留：激光除区氧化层后，氧化层不需要二次清洗处理的工序，使用气枪进行简单处理即可；
[0034]3.不腐蚀其他的零件或材料：不使用化学溶剂的情况下，不用担心模块其他零部件受到溶剂的腐蚀破坏。
[0035]以上结合附图对本专利技术进行了示例性描述。显然，本专利技术具体实现并不受上述方式的限制。只要是采用了本专利技术的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进；或未经改进，将本专利技术的上述构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.DBC铜层表面氧化层去除方法，其特征在于，包括步骤：S1、将待除氧化层的IGBT模块倒扣至限位治具内，IGBT模块上的氧化层朝上；S2、由除氧化激光设备将IGBT模块上的氧化层清除；S3、使用气枪清理IGBT模块。2.根据权利要求1所述的DBC铜层表...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈小磊，陶少勇，杨幸运，
申请(专利权)人：安徽瑞迪微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：