本实用新型公开了一种用于阴极组件的钎焊工装，其中，所述用于阴极组件的钎焊工装包括形成有自上而下贯通的多个通孔的钎焊底座(1)和能够贯穿部分所述钎焊底座的紧固螺钉(2)；其中，每个所述通孔自上而下形成为顺次连通设置的第一通孔段(201)、...

本发明适用于微波模块制作工艺技术领域，提供了一种S波段一分四功分器的制作工艺，该工艺包括如下步骤：S1、气相清洗腔体、电路板及绝缘子；S2、将片电阻及功分器烧结到电路板上；S3、将电路板及绝缘子烧结到腔体上；S4、对步骤S3中烧结完毕的...

本发明公开了一种Ku波段40瓦功率放大器的制作工艺，步骤一：将Rogers电路板烧结到腔体上；步骤二：将阻容器件烧结到电路板上；步骤三：将功放管烧结到腔体上；步骤四：将前级放大器、滤波器、隔离器安装到腔体上；步骤五：烧结电源模块电路板并...

本发明公开了一种基于双面印制板一次回流焊的方法，所述方法包括：通过丝网印刷将焊膏漏印在双面印制板的A面的焊盘上；在双面印制板的A面上点涂红胶；将第一元器件放置在漏有焊膏的焊盘上，并使得第一元器件至少部分通过红胶粘接在双面印制板的A面上；...

本发明公开了一种LTCC基板烧结的方法，所述方法包括：将焊片和LTCC基板放入工件的腔体内形成预装组件，之后对预装组件进行预热；其中，焊片的熔点为M，预热的条件包括：预热设为N个递增的温度梯度，分别为C1、C2…Cn，C1为45‑55℃...

本发明公开了一种多频点的振荡器模块的制作方法，包括如下步骤：步骤1：结构件装配前清洗；步骤2：混频电路a的装配；步骤3：混频电路b的装配；步骤4：高频电路的装配；步骤5：模块的装配；步骤6：模块的封盖，借助微电子组封装工艺技术，实现了一...

本发明公开了一种共晶芯片组件的烧结方法，所述烧结方法包括：初步安装：在工件的腔体内涂覆助焊剂，之后将多个焊料片放置在腔体内，在每个焊料片表面涂覆助焊剂，将共晶芯片组件分别压紧在每个焊料片表面，形成预装组件；烧结处理：将预装组件依次进行第...

本实用新型公开了一种固态微波源模块结构，所述壳体内通过中间隔板，将壳体内腔体设置为上腔、下腔；所述上腔内设置有末端开口的第一垂直隔板将上腔分隔成两个腔室；所述下腔内设置有中部开口的第二垂直隔板将下腔分隔成两个腔室；所述中间隔板上贯通设置...

本实用新型公开了一种锁相频率源模块结构，所述壳体内设置有空腔，所述空腔中间两侧分别与第一水平隔板、第二水平隔板一端相连接；所述上腔和下腔之间设置有第三水平隔板；所述第二水平隔板末端设置有第一垂直隔板，所述第二上腔内侧与第二垂直隔板相连接...

本实用新型公开一种能量传输结构，包括圆筒状的帽子，位于帽子内部的输能窗、与帽子配合安装的波导转接法兰，帽子内圆顶部设有带帽子波导孔的凸台，波导转接法兰是由圆筒结构和环形台阶垂直设置组成的截面为T形的结构，圆筒结构位于帽子内部，且圆筒结构...

本实用新型公开了一种太赫兹返波管慢波结构，其中，所述太赫兹返波管慢波结构包括电极块本体(1)，设置于所述电极块本体(1)内部的冷却水通道，且所述冷却水通道的入水管(2)和出水管(3)延伸至所述电极块本体(1)外部，且所述入水管(2)和所...

本实用新型公开了一种收集极电极，其中，所述收集极电极包括自外向内顺次套接设置的外绝缘瓷环(1)、内电极筒(2)和电极块(3)，且所述电极块(3)的一个端面上形成有多个向内凹陷的凹陷部(301)；其中，所述电极块(3)中远离所述凹陷部(3...

本实用新型公开一种毫米波雷达控制器外壳，包括相互配合的上壳体(1)和下壳体(2)，上壳体(1)上设有第一支撑腿(3)和若干个散热槽(4)，下壳体(2)上设有第二支撑腿(5)和用于安装电路板的螺柱(6)，上壳体(1)和下壳体(2)通过第一...

本实用新型公开一种用于毫米波警戒雷达的支承结构，包括相互配合的前壳体(1)和后壳体(2)，顶盖(4)安装在由前壳体(1)和后壳体(2)配合形成的腔体结构的两端；后壳体(2)上设有放置电源的电源壳体(5)，支承结构还包括与电源壳体(5)配...

本实用新型公开了一种同步器专用测试盒，其特征在于，包括盒体，所述盒体包括设置在前边的面板、设置在后边的背板、设置在上边的盖板、设置在底面的底板，所述底板通过螺丝固定在所述盒体上，所述底板上设置有开关电源、底板测试电路板；所述盖板通过螺丝...

本实用新型公开一种用于加工复合慢波管壳的工装，包括下底座(1)、上压块(2)、定位导柱(3)和螺帽(4)，下底座(1)和上压块(2)之间通过四根定位导柱(3)连接，下底座(1)和上压块(2)上用于安装定位导柱(3)的四组对应的定位孔分别...

本发明涉及微波中功率脉冲放大器技术领域，公开X波段中功率连脉冲放大器的加工方法，包括：步骤1，低频电路板烧结，步骤2，高频电路板烧结，步骤3，元器件烧结，步骤4，装配，步骤5，芯片共晶，步骤6，金丝键合，步骤7，封盖，对F进行封盖处理，...

本发明公开了提高芯片充分接地和散热的焊接方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤SS1：制备锡球；步骤SS2：向电路板上芯片焊盘的焊盘接地孔中填充所述步骤SS1中的所述锡球；步骤SS3：加热使所述步骤SS2中的焊盘接地孔中的所述锡球熔化。本...

本发明公开了一种X波段大功率检波器的加工方法，所述加工方法包括：步骤1，微波电路板烧结；分别将微波电路板、绝缘子安装到检波器的腔体中形成组件，并且对所述组件进行烧结；步骤2，元器件烧结；将检波芯片HMC948LP3、四个电容以及三个电阻...

本发明公开了一种微波激励高频模块的制作方法，包括如下步骤：步骤1：结构件装配前清洗；步骤2：稳压电路的装配；步骤3：放大器芯片的共晶焊接和混频器芯片的共晶焊接；步骤4：高频电路的装配；步骤5：模块的装配；该方法借助微电子组封装工艺技术，...