X波段大功率检波器的加工方法技术

技术编号:17254673 阅读:18 留言:0更新日期:2018-02-11 16:31
本发明专利技术公开了一种X波段大功率检波器的加工方法,所述加工方法包括:步骤1,微波电路板烧结;分别将微波电路板、绝缘子安装到检波器的腔体中形成组件,并且对所述组件进行烧结;步骤2,元器件烧结;将检波芯片HMC948LP3、四个电容以及三个电阻分别贴装到微波电路板的腔体中,然后对微波电路板上的贴装的元器件进行烧结;步骤3,清洗;使用汽相清洗机将烧结了元器件的微波电路板的腔体进行清洗,且清洗时微波电路板的腔体正面朝下;步骤4,装配。该X波段大功率检波器的加工方法克服现有技术中大多数仅利用器件非线性特性构成的检波电路,存在频带窄、效率低等问题。

【技术实现步骤摘要】
X波段大功率检波器的加工方法
本专利技术涉及大功率检波器加工领域,具体地,涉及一种X波段大功率检波器的加工方法。
技术介绍
现在微波电子技术不断发展,检波电路在各个领域都得到了越来越广泛的应用,比如雷达发射机采用检波电路后可使雷达信号处理机检测到发射功率大小,以提高发射功率稳定度;测量设备用检波电路来增大测量功能;在有源相控阵雷达中,检波电路是TR组件中的重要组成单元。利用非线性电路产生高次谐波可以构成检波电路,检波电路也可由一个检波芯片和控制环路构成。但是现有技术中大多数仅利用器件非线性特性构成的检波电路,存在频带窄、效率低等问题。因此,提供一种在使用过程中借助微电子组封装工艺技术,使得制作的X波段大功率检具有波器体积小、安装灵活、可靠性高的特点,且适合小批量生产的X波段大功率检波器的加工方法是本专利技术亟需解决的问题
技术实现思路
针对上述技术问题,本专利技术的目的是克服现有技术中大多数仅利用器件非线性特性构成的检波电路,存在频带窄、效率低等问题,从而提供一种在使用过程中借助微电子组封装工艺技术,使得制作的X波段大功率检具有波器体积小、安装灵活、可靠性高的特点,且适合小批量生产的X波段大功率检波器的加工方法。为了实现上述目的,本专利技术提供了一种X波段大功率检波器的加工方法,所述加工方法包括:步骤1,微波电路板烧结;分别将微波电路板、绝缘子安装到检波器的腔体中形成组件,并且对所述组件进行烧结;步骤2,元器件烧结;将检波芯片HMC948LP3、四个电容以及三个电阻分别贴装到微波电路板的腔体中,然后对微波电路板上的贴装的元器件进行烧结;步骤3,清洗;使用汽相清洗机将烧结了元器件的微波电路板的腔体进行清洗,且清洗时微波电路板的腔体正面朝下;步骤4,装配。优选地,所述步骤1包括:步骤1.1,将微波电路板正面和检波器腔体外壁全部贴3M高温保护胶带;步骤1.2,装配微波电路板和绝缘子;步骤1.3,将步骤1.2完成的组件放置在加热平台上烧结。优选地,步骤1.3中加热平台的温度为235℃-245℃,烧结时间为1.5min-2min。优选地,所述步骤2包括:步骤2.1,贴装器件;使用气动点胶机在对应的焊盘上点183℃焊膏Sn63Pb37,在将检波芯片HMC948LP3、四个电容和三个电阻分别贴装到微波电路板上,在两个射频绝缘子分别与微波电路板接触的一端引脚上点焊膏183℃焊膏Sn63Pb37;步骤2.2,器件烧结;待焊膏融化后,用镊子中对器件进行小幅度调整,可以解决器件立碑、虚焊、位置偏移问题,完成烧结后用镊子取下微波电路板放置在散热块上散热至室温。优选地,步骤2.2中烧结时加热台的温度为205℃-215℃,烧结时间为30s-40s。优选地,步骤3中使用汽相清洗机将烧结元器件的腔体进行清洗,清洗时间参数为:蒸煮300s、超声300s、烘干500s。根据上述技术方案,本专利技术提供的X波段大功率检波器的加工方法在使用过程中,依次进行微波电路板烧结、元器件烧结、清洗以及装配等操作,从而完成对X波段大功率检波器地加工,本专利技术提供的X波段大功率检波器的加工方法克服现有技术中大多数仅利用器件非线性特性构成的检波电路,存在频带窄、效率低等问题。本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术,但并不构成对本专利技术的限制。在附图中:图1是本专利技术的一种优选的实施方式中提供的X波段大功率检波器的加工方法的流程框图;图2是本专利技术的一种优选的实施方式中提供的X波段大功率检波器的加工方法中检波器的装配图。附图标记说明J1第一射频绝缘子J2第二射频绝缘子J3第一电绝缘子J4第二电绝缘子U1检波芯片C1第一电容C2第二电容C3第三电容C4第四电容R1第一电阻R2第二电阻R3第三电阻具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术,并不用于限制本专利技术。在本专利技术中,在未作相反说明的情况下,“上、下、正、反”等包含在术语中的方位词仅代表该术语在常规使用状态下的方位,或为本领域技术人员理解的俗称,而不应视为对该术语的限制。如图1和图2所示,本专利技术提供了一种X波段大功率检波器的加工方法,所述加工方法包括:步骤1,微波电路板烧结;分别将微波电路板、绝缘子安装到检波器的腔体中形成组件,并且对所述组件进行烧结;步骤2,元器件烧结;将检波芯片HMC948LP3、四个电容以及三个电阻分别贴装到微波电路板的腔体中,然后对微波电路板上的贴装的元器件进行烧结;步骤3,清洗;使用汽相清洗机将烧结了元器件的微波电路板的腔体进行清洗,且清洗时微波电路板的腔体正面朝下;步骤4,装配。根据上述技术方案,本专利技术提供的X波段大功率检波器的加工方法在使用过程中,依次进行微波电路板烧结、元器件烧结、清洗以及装配等操作,从而完成对X波段大功率检波器地加工,本专利技术提供的X波段大功率检波器的加工方法克服现有技术中大多数仅利用器件非线性特性构成的检波电路,存在频带窄、效率低等问题。在本专利技术的一种优选的实施方式中,所述步骤1包括:步骤1.1,将微波电路板正面和检波器腔体外壁全部贴3M高温保护胶带;步骤1.2,装配微波电路板和绝缘子;步骤1.3,将步骤1.2完成的组件放置在加热平台上烧结;具体地为:将微波电路板正面和检波器腔体外壁全部贴3M高温保护胶带,用手术刀切除边缘多余部分3M胶带,与边齐平;根据图2装配微波电路板:用酒精棉擦拭微波电路板的背面、成型后的焊片和腔体中微波电路板烧结位置,擦拭完成后放置在滤纸上晾干2min。在焊片正反面涂覆一层低残留助焊剂EF-9301,用镊子将焊片放置在腔体内,平铺即可,将贴有3M胶带的微波电路板正面置上与腔体内,用镊子轻轻的按压电路板,使其与焊片接触即可;再装配绝缘子:用气动点胶机在绝缘子金属壁上涂覆217℃焊膏装入腔体内,第一射频绝缘子J1、第二射频绝缘子J2与腔壁外侧齐平,第一电绝缘子J3、第二电绝缘子J4与腔壁外侧齐平,在装入微波电路板烧结工装;最后将步骤1.2完成的组件(装配过微波电路板、绝缘子、工装的组件)放置在温度为235℃-245℃加热平台上烧结,烧结时间为1.5min-2min,待焊锡融化后迅速取下腔体放置在硬纸板上,用镊子按压微波电路板烧结工装,按压10s-15s后取下工装,用镊子将微波电路板上3M胶带撕除,且按压时力道需要均匀、稳定。在本专利技术的一种优选的实施方式中,所述步骤2包括:步骤2.1,贴装器件;步骤2.2,器件烧结;其中,贴装器件具体为:按照图2,使用气动点胶机在对应的焊盘上点适量183℃焊膏(Sn63Pb37),推荐点胶机气压245Kpa,在将检波芯片U1(型号为HMC948LP3)、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一电阻R1、第二电阻R2以及第三电阻R3贴装到微波电路板上,且第一射频绝缘子J1和第二射频绝缘子J2分别与微波电路板接触的一端引脚上点焊膏183℃焊膏(Sn63Pb37);器件烧结具体为:将贴有器件的腔体放置在205℃-215℃加热台上烧结,烧结时间30s-40s,待焊膏融化后,用镊子中对器件进行调整,可以解决器件立本文档来自技高网...
X波段大功率检波器的加工方法

【技术保护点】
一种X波段大功率检波器的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括:步骤1,微波电路板烧结;分别将微波电路板、绝缘子安装到检波器的腔体中形成组件,并且对所述组件进行烧结;步骤2,元器件烧结;将检波芯片HMC948LP3、四个电容以及三个电阻分别贴装到微波电路板的腔体中,然后对微波电路板上的贴装的元器件进行烧结;步骤3,清洗;使用汽相清洗机将烧结了元器件的微波电路板的腔体进行清洗,且清洗时微波电路板的腔体正面朝下;步骤4,装配。

【技术特征摘要】
1.一种X波段大功率检波器的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括:步骤1,微波电路板烧结;分别将微波电路板、绝缘子安装到检波器的腔体中形成组件,并且对所述组件进行烧结;步骤2,元器件烧结;将检波芯片HMC948LP3、四个电容以及三个电阻分别贴装到微波电路板的腔体中,然后对微波电路板上的贴装的元器件进行烧结;步骤3,清洗;使用汽相清洗机将烧结了元器件的微波电路板的腔体进行清洗,且清洗时微波电路板的腔体正面朝下;步骤4,装配。2.根据权利要求1所述的X波段大功率检波器的加工方法,其特征在于,所述步骤1包括:步骤1.1,将微波电路板正面和检波器腔体外壁全部贴3M高温保护胶带;步骤1.2,装配微波电路板和绝缘子;步骤1.3,将步骤1.2完成的组件放置在加热平台上烧结。3.根据权利要求2所述的X波段大功率检波器的加工方法,其特征在于,步骤1.3中加热平台的温度为235℃-245℃,烧结时间为1.5min-...

【专利技术属性】
技术研发人员:李明汪伦源汪宁奚凤鸣李建华
申请(专利权)人:安徽华东光电技术研究所
类型:发明
国别省市:安徽,34

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