The invention discloses a preparation method of microwave excitation frequency module, which comprises the following steps: Step 1: cleaning parts before assembly; step 2: the assembly of the regulator circuit; step 3: eutectic eutectic welding amplifier and mixer chip welding; step 4: high frequency circuit assembly; step 5: module assembly; the method by means of microelectronic packaging technology group, making the implementation of a high frequency microwave excitation module.
【技术实现步骤摘要】
一种微波激励高频模块的制作方法
本专利技术属于微波放大器
,具体涉及一种微波激励高频模块的制作方法。
技术介绍
近年来,随着通讯行业的快速发展,微波单片集成电路(MMIC)已成为当前发展各种高科技武器、装备的重要支柱,并广泛应用于各种先进的战术导弹、电子战、通信系统、以及各种先进的相控阵雷达中。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种微波激励高频模块的制作方法。为了解决上述技术问题,本专利技术所采用的技术方案是:一种微波激励高频模块的制作方法,包括如下步骤:步骤1:结构件装配前清洗本步骤完成对包括壳体、上盖板、下盖板的结构件进行清洗;步骤2:稳压电路的装配本步骤完成稳压电路的焊接、清洗并简单测试电路有无短路,芯片是否正常;步骤3:放大器芯片的共晶焊接和混频器芯片的共晶焊接本步骤分别完成放大器裸芯片与钼铜衬底之间、混频器裸芯片与钼铜衬底之间的共晶焊;步骤4:高频电路的装配本步骤的装配包括以下内容:1)、完成加电绝缘子与壳体焊接;2)、完成高频电路板与壳体之间的焊接;3)、完成射频绝缘子、接地柱和馈通滤波器与壳体之间的焊接;4)、完成模块的清洗;5)、完成共晶组件的导电胶粘接、固化;6)、完成放大器芯片、芯片电容、混频器芯片的引线键合;步骤5:模块的装配本步骤主要完成以下操作:1)、将稳压电路装配到壳体背面,将滤波器安装到壳体正面对应的位置,并完成各连接的焊接;2)、完成模块的电性能调、测试;3)、完成下盖板、下盖板的安装。2.如权利要求1所述的微波激励高频模块的制作方法,其特征在于,步骤1中,利用酒精对上述的壳体、上盖板、下盖板等结构件进行清 ...
【技术保护点】
一种微波激励高频模块的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:结构件装配前清洗本步骤完成对包括壳体、上盖板、下盖板的结构件进行清洗;步骤2:稳压电路的装配本步骤完成稳压电路的焊接、清洗并简单测试电路有无短路,芯片是否正常;步骤3:放大器芯片的共晶焊接和混频器芯片的共晶焊接本步骤分别完成放大器裸芯片与钼铜衬底之间、混频器裸芯片与钼铜衬底之间的共晶焊;步骤4:高频电路的装配本步骤的装配包括以下内容:1)、完成加电绝缘子与壳体焊接;2)、完成高频电路板与壳体之间的焊接;3)、完成射频绝缘子、接地柱和馈通滤波器与壳体之间的焊接;4)、完成模块的清洗;5)、完成共晶组件的导电胶粘接、固化;6)、完成放大器芯片、芯片电容、混频器芯片的引线键合;步骤5:模块的装配本步骤主要完成以下操作:1)、将稳压电路装配到壳体背面,将滤波器安装到壳体正面对应的位置,并完成各连接的焊接;2)、完成模块的电性能调、测试;3)、完成下盖板、下盖板的安装。
【技术特征摘要】
1.一种微波激励高频模块的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1:结构件装配前清洗本步骤完成对包括壳体、上盖板、下盖板的结构件进行清洗;步骤2:稳压电路的装配本步骤完成稳压电路的焊接、清洗并简单测试电路有无短路,芯片是否正常;步骤3:放大器芯片的共晶焊接和混频器芯片的共晶焊接本步骤分别完成放大器裸芯片与钼铜衬底之间、混频器裸芯片与钼铜衬底之间的共晶焊;步骤4:高频电路的装配本步骤的装配包括以下内容:1)、完成加电绝缘子与壳体焊接;2)、完成高频电路板与壳体之间的焊接;3)、完成射频绝缘子、接地柱和馈通滤波器与壳体之间的焊接;4)、完成模块的清洗;5)、完成共晶组件的导电胶粘接、固化;6)、完成放大器芯片、芯片电容、混频器芯片的引线键合;步骤5:模块的装配本步骤主要完成以下操作:1)、将稳压电路装配到壳体背面,将滤波器安装到壳体正面对应的位置,并完成各连接的焊接;2)、完成模块的电性能调、测试;3)、完成下盖板、下盖板的安装。2.如权利要求1所述的微波激励高频模块的制作方法,其特征在于,步骤1中,利用酒精对上述的壳体、上盖板、下盖板等结构件进行清洗,用氮气枪将器件吹干然后在干燥箱中烘干,温度90~110℃,时间10~25分钟。3.如权利要求2所述的微波激励高频模块的制作方法,其特征在于,步骤2详细过程为:1)、选择熔点为217℃成分为Sn96.5Ag3Cu0.5的焊锡膏,借助点胶机设备对稳压电路板正面的元器件焊盘处进行点焊膏处理;2)、根据稳压电路装配图,将图纸上标有C1、C2、C3、C4、C5、C6、C7、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12的元器件一一放置于稳压电路板的对应位置上;3)、准备一台加热平台,温度设置为245℃~255℃,待温度到达设定值后,将贴有元器件的稳压电路板平整地放置于加热平台上,等到焊膏熔化后,利用镊子从加热平台上平整地取下稳压电路;4)、将稳压电路放置于汽相清洗机内清洗,清洗时间10~15分钟,以有效去除焊膏熔化残留的助焊剂;5)、利用显微镜检验元器件安装的位置、方向正确,摆放平整、居中,不得出现立碑、锡联、虚焊;利用万用表检测电路有无短路、芯片是否有损坏,检查合格后将稳压电路放置好,等待后续模块装配时使用。4.如权利要求3所述的微波激励高频模块的制作方法,其特征在于,步骤3详细过程为:1)、选择熔点为280℃成分为Au80Sn20的焊片,根据芯片的尺寸裁切所需焊片的...
【专利技术属性】
技术研发人员:聂庆燕,汪宁,周宗明,李明,黄园园,李小亮,奚凤鸣,
申请(专利权)人:安徽华东光电技术研究所,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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