具有对与先前打开的页对应的数据的到阵列的延迟回写的存储器允许避免与回写操作相关联的延迟。在初始激活打开第一页并且对该页的读取/写入操作完成之后，将打开的页回写到存储器单元的阵列被延迟直到完成打开新页的后续激活操作之后。还公开了在没有另一...

本发明涉及一种磁传感器。所公开的实施例涉及实现斩波技术和相关结构来抵消隧穿磁阻(TMR)场传感器中的磁1/f噪声作用。TMR场传感器包括：第一桥电路，其包括用于感测磁场的多个TMR元件；以及第二电路，其用于向各TMR元件施加双极电流脉冲...

在一些示例中，非易失性存储元件可被配置成在电路的低电力或断电时间段期间存储状态或值。例如，非易失性存储元件可包括电阻性元件的桥，该桥具有可通过向多个驱动路径施加电压而配置的电阻状态。感测放大器可连接到桥，以将与桥关联的电压差分解析到电源...

公开了用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法。一种结构包括：衬底；设置在衬底上的底屏蔽件；具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的磁电阻半导体器件，磁电阻半导体器件的第一表面设置在底屏蔽件上；设置在磁电阻半导体器件的第二表面上的顶屏蔽件；以...

本公开针对制造磁阻设备的示例性方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯...

具有对与先前打开的页对应的数据的到阵列的延迟回写的存储器允许避免与回写操作相关联的延迟。在初始激活打开第一页并且对该页的读取/写入操作完成之后，将打开的页回写到存储器单元的阵列被延迟直到完成打开新页的后续激活操作之后。还公开了在没有另一...

公开了用于隧道磁阻(TMR)磁传感器有效地增加磁场测量线性度并且使交叉轴干扰最小化的系统、设备和方法。TMR磁传感器包括多个换能器支路，每个支路具有多个感测元件。TMR磁传感器包括位于与每个感测元件相邻的多个内置电流线。电流线被布线为使...

在一种实施例中，TMR场传感器利用配置中现有的一个或多个自测电流线来扩展磁场测量范围而不牺牲测量灵敏度。当测得的磁场达到阈值时，自测电流线被通电以促进磁场测量。由自测线圈产生的磁场与被测量的外部磁场相反，以将净磁场保持在其中磁场传感器具...

公开了用于改进磁场传感器的信噪比(SNR)的各种手段，用于低功率和高分辨率磁感测。这种改进可以通过减少寄生效应、增加感测元件封装密度、交错Z轴布局以减少消减效应、以及优化Z轴感测元件与磁通引导器之间的对准等来完成。

用于表征通过导体的电流流动的感测装置包括多个磁传感器。在一些实施例中，传感器成对分组以实现对响应于非由通过导体的电流流动产生的磁场生成的信号的共模抑制。使用具有不同敏感度水平的传感器收集关于由流过导体的电流生成的磁场的信息，其中处理这种...

本发明公开了自旋扭矩磁阻存储元件及其制造方法。一种自旋扭矩磁阻存储元件具有高磁阻和低电流密度。自由磁层位于第一自旋极化器与第二自旋极化器之间。第一隧道势垒位于第一自旋极化器与自由磁层之间，第二隧道势垒位于第二自旋极化器与自由磁层之间。第...

本发明涉及一种磁传感器。所公开的实施例涉及实现斩波技术和相关结构来抵消隧穿磁阻(TMR)场传感器中的磁1/f噪声作用。TMR场传感器包括：第一桥电路，其包括用于感测磁场的多个TMR元件；以及第二电路，其用于向各TMR元件施加双极电流脉冲...

自旋力矩磁性随机存取存储器(MRAM)中的存储器单元在每个存储器单元内包括至少两个磁性隧道结，其中，每个存储器单元只存储信息的单个数据位。即使当存储器单元内的磁性隧道结中的一个有缺陷并且不再正常运行时，与存储器单元耦接的存取电路系统也能...

本申请涉及用于使DRAM和MRAM访问交错的存储器控制器和方法。描述了用于使不同等待时间和页面尺寸的易失性和非易失性存储器交错的存储器控制和方法，其中，单个DDR3存储器控制器与许多存储器模块通信，其至少包括与例如动态随机存取存储器(D...

在进行后续蚀刻步骤之前，通过钝化磁性层的侧壁或者在侧壁上沉积非磁性电介质材料的薄膜来实现磁阻型堆叠中的磁性层的隔离。使用非反应性气体蚀刻所述磁性层还防止侧壁劣化。

公开了用于屏蔽磁敏感组件的结构和方法。一种结构包括：衬底；设置在衬底上的底屏蔽件；具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面的磁电阻半导体器件，磁电阻半导体器件的第一表面设置在底屏蔽件上；设置在磁电阻半导体器件的第二表面上的顶屏蔽件；以...

在一些示例中，非易失性存储元件可被配置成在电路的低电力或断电时间段期间存储状态或值。例如，非易失性存储元件可包括电阻性元件的桥，该桥具有可通过向多个驱动路径施加电压而配置的电阻状态。感测放大器可连接到桥，以将与桥关联的电压差分解析到电源...

用于确定对于自旋矩磁随机存取存储器的低写入错误率操作的优化的写入模式的方法。该方法提供优化写入错误率而不会影响存储器速度的方式。该方法包括一个或多个写入脉冲。脉冲可以在幅值、持续时间，以及形状方面独立。各种示例性实施例基于存储器操作条件...

本发明涉及一种磁场感测器件。其包括至少一个感测元件，其包括铁磁感测层，并且具有至少一个感测元件输出端子；至少一个电流线路，其邻近所述至少一个感测元件，其中所述电流线路用于在收到可变稳定电流时调节所述传感器的灵敏度，所述可变稳定电流包括第...

一种制造基于磁电阻的器件的方法，该基于磁电阻的器件具有在第一导电层与第二导电层之间形成的磁性材料层，该磁性材料层包括在第一磁性材料层与第二磁性材料层之间形成的隧道势垒层，该方法包括去除不受第一硬掩模保护的第一磁性材料层和第一导电层以分别...