一种磁电阻隧道结存储单元，其包含磁电阻隧道势垒（１６）、位磁区（１５）、参考磁区（１７），以及在位和参考磁区感应施加磁场的电流线路（２０，３０）。位磁区具有位磁矩（４３，４０，１４２５，１６２５，１９５０，２３１５），其在没有施加磁场时...

一种磁致电阻隧道结存储单元（１０）包括钉扎铁磁性区域（１７）、电绝缘材料以及自由铁磁性区域（１５），钉扎铁磁性区域具有一个在没有施加磁场时固定在一优选方向上的磁矩向量（４７），其中该钉扎铁磁性区域具有磁边缘场（９６），电绝缘材料设置在该...

提供一种磁电子信息器件（２０），包括两个多层结构（２４、２６）和插在两个多层结构之间的间隔层（２８）。每个多层结构都具有两个磁性子层（３８、４０和４４、４６）和插在两个磁性子层之间的间隔层（４２、４８）。插在两个磁性子层之间的间隔层提供...

提供一种集成电路器件（６００），包括置于衬底（６０２）中的热源（６０４），以及置于热源上的磁性隧道结（“ＭＴＪ”）温度传感器（６０８）。

提供了一种集成电路器件（８００），其包括：衬底（８０１）；导线（８０７），被配置为经受压力；以及磁隧道结（“ＭＴＪ”）核芯（８０２），被形成在衬底与电流线之间。导线（８０７）被配置为响应于压力而移动，导线载送生成磁场的电流。ＭＴＪ核芯（...

提供用于感测物理参数的方法和装置。装置（３０）包括磁性隧道结（ＭＴＪ）（３２）以及其磁场（３５）覆盖ＭＴＪ并且其与ＭＴＪ的接近度响应到传感器的输入而变化的磁场源（３４）。ＭＴＪ包括由配置成允许其间显著隧穿传导的电介质（３７）相隔的第一和...

提供了用于在工件（３０）上无电沉积ＮｉＦｅ的方法和组合物。用于在工件（３０）上无电沉积ＮｉＦｅ的沉积溶液由镍离子源、亚铁离子源、络合剂、还原剂和降ｐＨ值剂形成。该沉积溶液基本没有碱金属离子。用于磁电子器件的磁通量集中系统的制造方法从提供...