本发明提供一种在人工神经网络中使用分布式存储器配置位的系统和方法。系统和技术包括：识别用于执行存储器操作的网络层；识别易失性分布式存储器的多个配置位集群的子集，所述子集的配置位集群是使用集群映射而映射到所述已识别网络层；响应于识别出所述...

本公开涉及用于非易失性存储位的扫描链接口的系统和方法。一种用于存储器装置的扫描链电路包括：第一非易失性存储位(nvbit)，所述第一nvbit被配置为接收共享控制信号；第二nvbit，所述第二nvbit被配置为接收所述共享控制信号；第一...

本公开涉及用于人工神经网络中的存储位的系统和方法。本公开尤其针对一种装置，所述装置包括：输入电路；权重运算电路，所述权重运算电路电连接到所述输入电路；偏差运算电路，所述偏差运算电路电连接到所述权重运算电路；存储电路，所述存储电路电连接到...

本公开涉及低电阻MTJ反熔丝电路设计以及操作方法。本公开尤其针对反熔丝电路。所述反熔丝电路包括多个反熔丝位单元和参考电阻器。每个反熔丝位单元包括两个或更多个存储器位和参考电阻器。所述两个或更多个存储器位被配置为处于已编程状态和至少一种未...

本公开涉及磁阻设备及其方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30

本公开涉及磁阻装置及其方法。磁阻堆叠可包括第一导电材料、具有固定磁性状态的固定区域、配置为具有第一磁性状态和第二磁性状态的自由区域、设置在固定区域和自由区域之间的电介质层、间隔物区域以及设置在间隔物区域和自由区域之间的帽盖层。所述自由区...

本公开尤其涉及一种用于使用双备用模式访问存储器的方法，所述方法包括：接收从第一备用模式或第二备用模式中选择第一备用模式的第一备用模式指示；基于所述第一备用模式，配置读取偏置系统以提供读取偏置电压并配置写入偏置系统以提供大约零电压或在用于...

本公开涉及用值对配置位进行配置的系统和方法。尤其涉及一种配置位，所述配置位包括至少四个电阻元件和电压放大器。至少两个第一电阻元件可以经由第一电极串联地电连接并且至少两个第二电阻元件可以经由第二电极串联地电连接。所述至少两个第一电阻元件可...

磁阻装置的磁阻叠层或结构包括一个或多个电极或导电线、磁性固定区域、设置在电极或导电线之间的磁性自由区域、以及设置在自由区域和固定区域之间的介电层。磁阻装置还可以包括接近自由区域的至少一部分的自旋霍尔(SH)材料，以及包括反铁磁材料的一个...

磁阻堆叠/结构及其制造方法，包括其中堆叠/结构包括晶种区域、布置在晶种区域上并与之接触的固定磁性区域、布置在固定磁性区域上的(一个或多个)介电层以及布置在(一个或多个)介电层上的自由磁性区域。在一个实施例中，晶种区域包括包含镍和铬的合金...

一种磁阻堆叠，包括固定磁性区域、设置在固定磁性区域上并与之接触的一个或多个介电层，以及设置在所述一个或多个介电层上方的自由磁性区域。固定磁性区域可以包括第一铁磁区域、耦合层、第二铁磁区域、设置的过渡层、参考层，以及设置在第二铁磁区域上方...

本公开涉及具有增加的SNR的磁场传感器。公开了用于改进磁场传感器的信噪比(SNR)的各种手段，用于低功率和高分辨率磁感测。这种改进可以通过减少寄生效应、增加感测元件封装密度、交错Z轴布局以减少消减效应、以及优化Z轴感测元件与磁通引导器之...

磁阻器件的制造，该磁阻器件包含在导电区域(15)上的至少一个晶种区域(20、25)上的磁性固定的区域(40)，磁阻器件的制造包括形成晶种区域(20'、21)，通过将晶种区域的表面暴露于诸如氧气的气体对晶种区域进行处理，并且任选地在其上形...

一种磁存储器元件的制造，磁存储器元件包括在层间介电层(120)中的通孔(125)，该磁存储器元件提供了下层金属区域(110)和磁阻堆叠设备(例如磁隧道结(150))之间的电连接，磁存储器元件的制造涉及通过原子层沉积在通孔中形成过渡金属层...

在包括磁隧道结(110，115,120)的磁阻设备的自由区域(110)附近提供自旋霍尔(SH)材料(135)。流过这种SH材料的电流将自旋电流注入到自由区域中，使得将自旋扭矩施加到自由区域。由SH材料生成的自旋扭矩可以用于切换自由区域或...

所公开的磁阻设备(200)包括位于隧道势垒区域(230)的相对侧的磁性固定区域(214、240)和磁性自由区域(250)。至少第一过渡区域(220)和第二过渡区域(221)位于磁性固定区域和隧道势垒区域之间。第一过渡区域包括非铁磁过渡金...

一种磁阻设备(100)，可以包括隧道势垒区域、位于隧道势垒区域(30)的一侧上的磁固定区域(20)，以及位于隧道势垒区域的相对侧上的磁自由区域(50)。磁自由区域可以包括多个铁磁区域(34,36)和至少一个非磁性插入区域(38)。所述多...

一种制造磁阻设备的方法，包括：使用第一蚀刻工艺蚀刻磁阻堆叠以形成一个或多个侧壁；以及在形成所述一个或多个侧壁之后，使用第二蚀刻工艺来蚀刻叠层。其中，第二蚀刻工艺可以比第一蚀刻工艺相对更各向同性。

自旋力矩磁性随机存取存储器(MRAM)中的存储器单元在每个存储器单元内包括至少两个磁性隧道结，其中，每个存储器单元只存储信息的单个数据位。即使当存储器单元内的磁性隧道结中的一个有缺陷并且不再正常运行时，与存储器单元耦接的存取电路系统也能...

本公开涉及一种制造具有磁阻设备(210)的集成电路设备(100)的方法。在一些方面，该方法包括在基板(260)的第一触点(250)上形成磁阻设备，其中该磁阻设备包括由中间区域隔开的固定磁性区域和自由磁性区域；在磁阻设备上方沉积第一介电材...