磁阻设备及其方法技术

本公开针对制造磁阻设备的示例性方法。在一个方面，一种方法可以包括在基板(90)上形成磁阻堆叠(100)的一个或多个区域(10,20,30……)，其中基板包括至少一个电子设备。该方法还可以包括对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行。在执行唯一退火工艺之后，该方法可以包括对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻。而且，在构图或蚀刻磁阻堆叠的所述一部分的步骤之后，该方法可以包括在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。

Magnetoresistance Equipment and Its Method

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】磁阻设备及其方法对相关申请的交叉引用本申请要求于2016年12月6日提交的美国临时申请No.62/430,596的优先权和权益，其全部内容通过引用并入本文。
除其它之外，本公开尤其涉及与集成电路设备的制造和由此产生的设备相关的实施例和各方面。
技术介绍
磁阻设备(诸如磁传感器、磁换能器和磁存储器单元)包括磁性材料，其中可以改变那些材料的磁矩以提供感测信息或数据的存储。磁阻设备、自旋电子设备和自旋子设备(spintronicdevice)是利用主要由电子自旋引起的效应的设备的同义术语。磁阻存储器设备用在许多信息设备中，以提供非易失性、可靠、抗辐射和高密度的数据存储和检索。许多磁阻设备可以包括但不限于磁阻随机存取存储器(MRAM)、磁传感器以及用于盘驱动器的读/写头。制造磁阻设备包括一系列工艺步骤，其中多层材料沉积在其上具有CMOS(互补金属氧化物半导体)电路的半导体基板上，并被构图以形成磁阻堆叠。磁阻堆叠包括构成磁阻设备的“自由”和“固定”部分的各种材料区域或层以及分离这些“自由”和“固定”部分的一个或多个中间区域(例如，介电层或非磁性导电层)，并且在一些情况下为设备提供至少一个隧道结本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造磁阻设备的方法，包括：在基板上形成磁阻堆叠的一个或多个区域，其中基板包括至少一个电子设备；对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行；在执行唯一退火工艺之后，对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻；以及在对磁阻堆叠的所述部分进行构图或蚀刻的步骤之后，在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.12.06 US 62/430,5961.一种制造磁阻设备的方法，包括：在基板上形成磁阻堆叠的一个或多个区域，其中基板包括至少一个电子设备；对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该唯一退火工艺在第一最低温度下执行；在执行唯一退火工艺之后，对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻；以及在对磁阻堆叠的所述部分进行构图或蚀刻的步骤之后，在低于第一最低温度的第二温度下对基板执行所有附加处理。2.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个电子设备是晶体管。3.如权利要求1所述的方法，其中磁阻堆叠的所述一个或多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的中间区域。4.如权利要求1所述的方法，其中磁阻堆叠的所述一个或多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的介电区域。5.如权利要求1所述的方法，其中第一最低温度是300℃。6.如权利要求1所述的方法，其中磁阻堆叠是磁隧道结。7.如权利要求1所述的方法，其中磁阻堆叠的所述一个或多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的介电区域，并且其中对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻包括对介电区域进行构图或蚀刻。8.如权利要求1所述的方法，其中电阻堆叠的所述一个或多个区域包括固定区域、自由区域以及布置在固定区域和自由区域之间的介电区域，并且其中对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻包括对固定区域进行构图或蚀刻。9.如权利要求1所述的方法，其中磁阻设备是磁存储器设备。10.一种制造磁阻设备的方法，包括：在基板上形成磁阻堆叠的一个或多个区域，其中基板包括至少一个电子设备；对磁阻堆叠的至少一部分进行构图或蚀刻；在对磁阻堆叠的所述部分进行构图或蚀刻的步骤之后，对其上形成有所述一个或多个磁阻区域的基板执行唯一退火工艺，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：S·阿加瓦尔，S·A·德施潘得，J·斯劳特，
申请(专利权)人：艾沃思宾技术公司，
类型：发明
国别省市：美国,US