一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺。本发明专利技术通过将沟槽场氧化隔离工艺技术与结终端工艺技术结合起来，首先在通过干法刻蚀工艺技术形成沟槽之后、在沟槽的场氧化进行之前，加一步离子注入工艺将P-型元素硼（B）离子预反掺杂到沟槽场区硅中，然后将沟槽的场氧化过程分成两步，结终端硼离子注入安排在两步场氧化之间进行，使用该工艺技术方法制造的NPN硅双极型微波功率晶体管器件不但提高了BVcbo击穿电压50%以上，能够提供高的输出功率，而且减小了集电结寄生电容，保证了器件的高频性能。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种提高双极型晶体管BVcbo的生产工艺，其特征在于：包括如下步骤：（1）选择一种高浓度掺杂的N?型硅衬底（50）作为NPN晶体管的非本征集电区，N?型硅衬底（50）背面在晶体管生产工艺流程完成后，进行减薄、蒸金，用于形成晶体管的集电极（C）；在N?型硅衬底（50）的顶部是N?型低浓度掺杂的外延硅（52）作为NPN晶体管的本征集电区；（2）通过热氧化工艺在外延硅（52）表面生产一层薄的二氧化硅（53），紧接着再通过LPCVD工艺淀积厚度为1500埃的氮化硅（54），用光刻技术给出沟槽图形；用干法刻蚀技术依次局部刻蚀掉氮化硅（54）、二氧化硅（53）和外延硅（52）以形成沟槽（55）；（3）通过离子注入工艺技术将杂质元素硼预掺杂到沟槽（55）下方的沟槽场区硅（59）中；（4）通过高温热氧化工艺进行沟槽（55）的第一步场氧化形成部分场氧化层（51）；在沟槽（55）的第一步场氧化热过程的同时，预掺杂到沟槽场区硅（59）中的硼被向下推进到2.5微米到5.5微米的深度，其浓度相应降低；然后在氮化硅（54）的上方用光刻胶（56）保护晶体管的有源区，并在氮化硅（54）的两端露出结终端硼离子的注入窗口（57），通过注入窗口（57）注入硼离子；（5）结终端硼离子从注入窗口（57）注入完成后，将光刻胶（56）去除；进行沟槽（55）的第二步场氧化形成场氧化层（58），在沟槽（55）的第二步场氧化热过程的同时，注入的结终端硼离子被推进到1.0微米到5.0微米的深度，预掺杂到沟槽场区硅（59）中的硼被向下推进到更进一步（3.5微米到6.5微米）的深度，其浓度降低到低于N?型外延硅（52）中的N?型掺杂浓度，并且由于预反掺杂的硼杂质横向扩散，结终端硼和预反掺杂硼两者交叠在一起，形成P?型结终端层与N?型外延层的冶金结；（6）沟槽（55）场氧化层形成后，用热磷酸腐蚀去除掉保护晶体管有源区的氮化硅（54）；为了有利于后面的各步光刻工艺，用返刻平坦化工艺技术将高出有源区硅平面的沟槽（55）场氧化层刻蚀掉；（7）采用传统的浅结基区工艺形成本征基区（66）、浓硼离子注入工艺形成欧姆接触的非本征基区（68）、浓砷离子注入工艺形成发射区（70）；通过热过程杂质激活工艺后，就组成了P?型区与N?型本征集电区形成的PN冶金结（65）；在淀积一层介质材料（72）后，光刻和刻蚀以形成基极（B）和发射极（E）的接触孔，再进行硅化物工艺处理以降低电极的接触电阻，金属布线工艺形成各电极的金属连接线条（76）；最后，运用钝化层工艺保护晶体管表面不受环境的影响。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈强，张复才，沈美根，多新中，郑立荣，姚荣伟，
申请(专利权)人：江苏博普电子科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：