The utility model relates to a N type silicon substrate based on back contact type HIT solar cell, the structure of N type silicon substrate by the surface from the inside are subject to smooth n type amorphous or microcrystalline silicon layer and antireflection layer; the backlight surface from the inside are intrinsic amorphous or microcrystalline silicon layer type P, amorphous or microcrystalline silicon layer and the back surface of the N type non between amorphous or microcrystalline silicon layer is spaced and arranged alternately on the intrinsic amorphous or microcrystalline silicon layer, P type amorphous or microcrystalline silicon layer and the back surface of the N type amorphous or microcrystalline silicon layer is covered with transparent conductive thin films the metal electrode is positioned on the transparent conductive film. Preparation method of the utility model is combined with conventional silicon solar cells and thin-film solar cells, and compared with the traditional HIT battery, not only has the advantages of simple preparation process, reduce the amount of metal electrode, and avoid the conventional solar battery positive electrode shading problems, improve the efficiency of solar cell.
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及晶硅太阳能电池
,具体涉及一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构。
技术介绍
太阳能产业的迅速发展需求一种工艺流程简单,光电转化效率高的产业化技术来降低发电成本,达到与市电同价或低于市电电价的目标。当前常规晶硅电池随着产业化的发展,转换效率提升和成本降低等各方面都有了较大的进步,但其结构与技术特点限制了其效率的进一步提高。于是,业界出现了多种解决方案,包括选择性发射极太阳能电池、背接触式太阳能电池、HIT电池等。同时新的技术,如激光技术、LIP技术、光刻技术等的出现也为太阳能电池进一步的转换效率提升和成本降低提供了可能。在目前的高效太阳电池领域中,三洋电机发展的HIT电池以其高效和稳定的性能一直是太阳电池领域研究和发展的热点,该电池的结构不但效率比较高,而且可以减少晶硅材料的厚度使更薄的晶硅太阳电池的发展成为可能。但是其在正面需要印刷金属电极,显著地降低了太阳光的利用效率。
技术实现思路
本技术的目的就是针对上述存在的缺陷而提供的一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构,本技术结合常规晶硅太阳电池和薄膜太阳电池的制备方法,并且相对于传统HIT电池,不但制备过程简单,降低金属电极的使用量,而且避免常规太阳电池正面电极遮光的问题,提高了太阳电池的效率。本技术的一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构技术方案为,其结构为:N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面η型非晶或微晶硅层、减反射层;背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层,P型非晶或微晶硅层和背光面η型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上,P型非晶或微晶硅层和背 ...
【技术保护点】
一种基于N型硅衬底背接触式HIT太阳电池结构,其特征在于,其结构为:N型硅衬底受光面由内而外依次为受光面n型非晶或微晶硅层、减反射层;背光面由内而外依次为本征非晶或微晶硅层,p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层之间有间隔且交替排列于本征非晶或微晶硅层上,p型非晶或微晶硅层和背光面n型非晶或微晶硅层上均覆盖有透明导电薄膜,金属电极位于透明导电薄膜上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:贾河顺,姜言森,程亮,任现坤,张春艳,孙继峰,马继磊,徐振华,
申请(专利权)人:山东力诺太阳能电力股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:
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