发光二极管结构及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种发光二极管结构及其制造方法，其中，该发光二极管结构包括：发光晶片以及导电支架。发光晶片具有多个发光二极管单元。导电支架具有电连接线路、与电性连接到电连接线路的至少一对电极，其中，发光二极管单元对向于电连接线路，且发光二极管单元经由电连接线路而彼此电性连接。多个发光二极管单元之间的电路连接关系可藉由外部的电连接线路而达成，能简化制程并提升良率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电元件结构及其制造方法，尤其涉及一种发光二极管结构(Light Emitting Diode structure, LED structure)及其制造方法。
技术介绍
随着发光二极管(Light Emitting Diode, LED)的技术发展,发光二极管已逐渐地取代传统灯泡而被应用于照明领域。由于已知的发光二极管采用直流电驱动，所以只能应用于直流电驱动的环境；或者，需要使用交流-直流电源转换器以及变压器将市用交流电转换成低压直流电，才能够提供给发光二极管使用。然而，一般的市售用电均为110V/220V的交流电，因此，已知采用直流电的发光二极管存在着使用不方便的问题。承上述，有研究者发展了交流发光二极管(AC LED)或是高压发光二极管(HV LED)，交流发光二极管无需额外的变压器、整流器或驱动电路，直接使用交流电就可对交流发光二极管进行驱动，而高压发光二极管(HV LED)，则无须转换成低压直流电，可使用一般直流电进行驱动，藉此减少变压器所产生的能量损耗。目前的交流/高压发光二极管都是在尺寸相当微小的单晶片上形成发光二极管单元矩阵(LED unit matrix)以及内连线线路(metal interconnection),利用内连线线路串联或并联多个发光二极管单元，以使交流/高压发光二极管具备可调整电压及电流之特性。但是，在单晶片上制作内连线线路的制程相当复杂，且在单晶片上制作内连线线路的制作过程中，常会发生内连线线路的断线或接触不良的问题。如此，会使得交流发光二极管的制作良率低、且交流/高压发光二极管容易产生漏电现象专利技术内容 有鉴于此，本专利技术提供一种发光二极管结构，能直接使用交流电或高压直流电，具有良好的制作良率、且能够降低漏电现象。本专利技术提供一种发光二极管结构的制造方法，具有简单的制程，能达到良好的制作良率、且能够降低漏电现象。本专利技术提出一种发光二极管结构，包括发光晶片以及导电支架。发光晶片具有多个发光二极管单元。导电支架具有电连接线路、与电性连接到电连接线路的至少一对电极，其中，发光二极管单元对向于电连接线路，且发光二极管单元经由电连接线路而彼此电性连接。本专利技术还提出一种发光二极管结构的制造方法，包括下列步骤。提供一发光晶片，发光晶片上形成有多个发光二极管单元。提供一导电支架，导电支架具有一电连接线路、与电性连接到电连接线路的至少一对电极。结合发光晶片与导电支架，其中，发光二极管单元对向于电连接线路，且发光二极管单元经由电连接线路而彼此电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的电连接线路包括内连接线路以及外连接线路。内连接线路对应于发光二极管单元而设置，藉由内连接线路使发光二极管单元彼此电性连接。外连接线路设置于内连接线路之外侧，藉由外连接线路而电性连接内连接线路与该对电极。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管单元具有(n X m)个、且以(n x m)阵列排列于发光晶片上，藉由电连接线路，使上述n行中、每一行的m个发光二极管单元彼此串联成一发光二极管单元组，而成为n个发光二极管单元组，且所述n个发光二极管单元组之间彼此并联，其中，n、m为大于I的自然数，n等于或不等于m。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管单元具有(n X m)个、且以(n x m)阵列排列于发光晶片上，藉由该电连接线路，使上述n行中、每一行的m个发光二极管单元彼此串联成一发光二极管单元组，而成为n个发光二极管单元组，且所述n个发光二极管单元组之间彼此串联，其中，n、m为大于I的自然数，n等于或不等于m。在本专利技术的一实施例中，上述的电连接线路为惠斯同电桥(Wheatstone bridge),使发光二极管单元彼此电性连接。 在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括一绝缘单元，设置在发光晶片上，绝缘单元区隔发光二极管单元，使发光二极管单元彼此电性绝缘。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管单元的一部分嵌入导电支架的电连接线路中。在本专利技术的一实施例中，上述的每一发光二极管单元包括第一接点以及第二接点，经由第一接点与第二接点使发光二极管单元电性连接到电连接线路。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管结构为覆晶式发光二极管结构，发光晶片与导电支架各自具有上表面与下表面，发光二极管单元设置于发光晶片的下表面，电连接线路设置于导电支架的上表面。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括外部电子装置，发光二极管结构经由该对电极而连接到外部电子装置。在本专利技术的一实施例中，上述的发光二极管结构还包括导电元件，设置于发光二极管单元与电连接线路之间。基于上述，本专利技术的发光二极管结构将电连接线路制作在外部的导电支架上，利用外部的电连接线路来串联、并联发光晶片上的多个发光二极管单元。因此，在发光晶片的制程中无需同时制作电连接线路(内连线制程)，而能够简化发光晶片的制程。此外，以外部制作的电连接线路来取代内部连线，不易有断线的现象，所以可有效地解决发光二极管结构的漏电问题。再者，采用上述的发光二极管结构，能够根据客户所需要的预定电压或电流来进行电连接线路的设计，所以可使相同的发光晶片结合不同的导电支架之后，即能够具有不同的预定电压或电流。因此，上述的发光二极管结构可达到十分良好的产品相容性。为让本专利技术之上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图作详细说明如下。附图说明图I为本专利技术较佳实施例的一种发光二极管结构的立体分解示意图。图2为本专利技术较佳实施例的一种发光晶片的立体示意图，图2中还显示发光晶片的仰视不意图。图3为本专利技术较佳实施例的一种发光晶片的多个发光二极管单元的排列示意图。图4为发光二极管的剖面结构示意图，从图4可看到两个彼此电性绝缘的发光二极管单元、以及发光二极管单元与导电支架的电性连接方式。图5A为本专利技术较佳实施例的一种导电支架的立体示意图，图5A中还显示导电支架的俯视不意图。图5B为本专利技术较佳实施例的另一种导电支架的俯视示意图。图6为本专利技术较佳实施例的一种发光二极管结构的制造方法的步骤流程图。主要元件符号说明 100 :发光二极管结构110:发光晶片112:发光二极管单元112a:第一接点112b:第二接点112c :第一型掺杂半导体层112d :第二型掺杂半导体层112e :发光层112G :发光二极管单元组114:绝缘单元120:导电支架122:电连接线路122a:内连接线路122b :外连接线路130:导电元件140:外部电子装置124a、124b:电极200 :发光二极管结构的制造方法LS :下表面R :凹陷区域S :非半导体基板S210 S230 :步骤US:上表面具体实施例方式发光二极管结构图I为本专利技术较佳实施例的一种发光二极管结构的立体分解示意图。请参照图1，发光二极管结构100包括发光晶片110以及导电支架120。发光晶片110具有多个发光二极管单元112(图I中显示四个)。导电支架120具有电连接线路122、与电性连接到电连接线路122的至少一对电极124a、124b。发光二极管单元112对向于电连接线路122，且发光二极管单元112经由电连接线路122而彼此电性连接。请参照图1，发光二极管结构100可为覆晶式(flip-chip)发光二极管结构，发光本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管结构，其特征在于，包括：一发光晶片，具有多个发光二极管单元；以及一导电支架，具有一电连接线路、与电性连接到该电连接线路的至少一对电极；其中，该些发光二极管单元对向于该电连接线路，且该些发光二极管单元经由该电连接线路而彼此电性连接。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：蔡胜杰，苏柏仁，孙圣渊，
申请(专利权)人：新世纪光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：