【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一类适用于大规模集成电路的先进封装及微电子机械系统(MEMS, Micro-Electronic Machine System)等领域中应用的紫外厚膜光刻胶组合物,以及用于此 类光刻胶的成膜树脂。
技术介绍
在大规模集成电路的制备过程中,先进的封装技术已由单个集成电路块的单个分 别封装发展到整个硅片的同时封装,即硅片级封装(WLP,waferlevel package),以及由多 块芯片叠加组合成功能更强的三维立体组合封装等封装技术已迅速推广,在封装工艺过程 中需要多种封装材料。本专利技术涉及的厚膜紫外曝光正性光刻胶是硅片级封装的凸点工艺 (Bumping)及三维立体组合封装工艺中所必需的关键功能材料。微电子机械系统(MEMS)具有微型化、智能化、多功能、高集成度和适于大批量生 产的基本特点。MEMS技术制作的微传感器、微执行器、微型构件、微机械光学器件、真空微电 子器件、电力电子器件等在航空、航天、汽车、生物医学、环境监控、军事等许多领域中都有 着十分广阔的应用前景。MEMS的制造方法是通过厚膜紫外光刻胶的多次光刻及相关工艺来 完成的。本专利技术涉及的含纳米硅厚膜紫外曝光正性光刻胶也是制造MEMS器件的关键功能 材料。应用于先进封装和MEMS制造的厚膜光刻胶对分辨率要求不高,但对抗刻蚀性和 图形侧壁垂直度要求很高。由于光刻胶膜厚的增加,在光刻工艺中不仅要求必要的光敏性,同时胶膜在电镀 及刻蚀过程中必须保持不变形、不开裂,即要有良好的粘附性、抗电镀及抗刻蚀性能。一般 使用的负性紫外光刻胶,由于高度交联后分子链非常僵硬,在工艺中易产生内应力, ...
【技术保护点】
一种成膜树脂,其特征在于:所述成膜树脂由酚醛树脂和含纳米硅共聚物成膜树脂两部分组成;所述酚醛树脂是由符合通式(Ⅰ)、(Ⅱ)和(Ⅲ)中的至少一种甲基苯酚与甲醛经缩聚反应而得,其平均分子量为2000~50000;式中:R↓[1]为CH↓[3];所述含纳米硅共聚物成膜树脂平均分子量为5000~1500000,由符合化学通式(Ⅳ)的单体、符合化学通式(Ⅴ)的单体以及符合化学通式(Ⅵ)的单体在自由基引发剂存在的条件下经共聚反应而得;或者是由符合通式(Ⅳ)的单体与所述酚醛树脂共聚反应制成;式中:R↓[2]是碳原子数为1~13的烷基、***R↓[f]选自下列基团之一:***其中A、B、C、D各自独立地代表碳原子数为1~20的脂肪烃基,或者是分子链上含有1~5个氧原子或者氮原子的碳原子数为1~20的脂肪烃基;***其中E、F、G、H、I、J、K和L各自独立地代表碳原子数为1~20的脂肪烃基,或者是分子链上含有1~5个氧原子或者氮原子的碳原子数为1~20的脂肪烃基;***其中R↓[3]是H、CH↓[3]或CF↓[3];***其中,M、N和O各自独立地代表碳原子数为1~10的脂肪烃基,或者是分子链上含有1 ...
【技术特征摘要】
一种成膜树脂,其特征在于所述成膜树脂由酚醛树脂和含纳米硅共聚物成膜树脂两部分组成;所述酚醛树脂是由符合通式(I)、(II)和(III)中的至少一种甲基苯酚与甲醛经缩聚反应而得,其平均分子量为2000~50000;式中R1为CH3;所述含纳米硅共聚物成膜树脂平均分子量为5000~1500000,由符合化学通式(IV)的单体、符合化学通式(V)的单体以及符合化学通式(VI)的单体在自由基引发剂存在的条件下经共聚反应而得;或者是由符合通式(IV)的单体与所述酚醛树脂共聚反应制成;式中R2是碳原子数为1~13的烷基、Rf选自下列基团之一其中A、B、C、D各自独立地代表碳原子数为1~20的脂肪烃基,或者是分子链上含有1~5个氧原子或者氮原子的碳原子数为1~20的脂肪烃基;其中E、F、G、H、I、J、K和L各自独立地代表碳原子数为1~20的脂肪烃基,或者是分子链上含有1~5个氧原子或者氮原子的碳原子数为1~20的脂肪烃基;其中R3是H、CH3或CF3;其中,M、N和O各自独立地代表碳原子数为1~10的脂肪烃基,或者是分子链上含有1~3个氧原子或者氮原子的碳原子数为1~10的脂肪烃基;R4、R5、R6各自独立地代表H、碳原子数为1~8的烷基、碳原子数为3~8的环烷基、或者芳香基团; (CH2)1~10COOH、 (CH2)1~10CN、 (CH2)1~10SH或碳原子数为1~10的烯烃基;式中R7是H、OH、OCH3或OCOCH3;式中R8是H或CH3;R9是H、碳原子数为1~20的烷基、碳原子数为3~8的环烷基、或碳原子数为1~20的羟基烷基。FSA00000287235100011.tif,FSA00000287235100012.ti...
【专利技术属性】
技术研发人员:冉瑞成,沈吉,
申请(专利权)人:昆山西迪光电材料有限公司,
类型:发明
国别省市:32[]
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