【技术实现步骤摘要】
进气喷嘴及干法化学蚀刻设备
[0001]本申请涉及半导体设备
,具体涉及一种进气喷嘴及干法化学蚀刻设备
。
技术介绍
[0002]半导体干法化学刻蚀技术是一种新型刻蚀技术,可广泛应用于先进制程的逻辑
、
存储器的各项同性刻蚀,部分取代先进制程的清洗工艺
。
常规干法刻蚀技术,需要依赖等离子体进行刻蚀,刻蚀选择比通常小于
30
,而半导体干法化学刻蚀技术可在无等离子氛围下实现更高刻蚀选择比,干法化学刻蚀选择比通常大于
500。
[0003]现有的干法化学刻蚀设备中关于节流盘的设计,不足以将腔体内部的中心的气流和边缘的气流做到均衡,会使得腔体内的工艺气体呈现中心气体流量大
、
边缘气体流量小的分布情况,使得工艺气体过于集中在晶圆表面的中心区域
。
尤其针对小流量工艺,当节流盘中心的气流未达到饱和时,腔体内的边缘的气体流量比中心的气体流量小得多,甚至没有气体流量,导致工艺气体基本只能流向晶圆表面的中心区域,使得晶圆表面的中心区域的刻蚀速率比边缘区域快得多,导致晶圆刻蚀不均匀的结果,影响后续产品的性能
。
技术实现思路
[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点,本申请的目的在于提供一种进气喷嘴及干法化学蚀刻设备,用于解决现有的干法化学蚀刻设备的工艺气体过于集中于晶圆表面的中心区域而导致干法化学刻蚀的非均性大的技术问题
。
[0005]为实现上述目的及其他相关目的,本申请提供一种进气喷 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种进气喷嘴,其特征在于,包括:喷嘴本体,包括气体传输方向走向一致的第一气体传输通道和若干第二气体传输通道;第一出气口设置于所述喷嘴本体的底部中心位置,所述第一出气口为所述第一气体传输通道的出气口;若干第二出气口沿所述第一出气口的周向间隔布置,所述第二出气口为所述第二气体传输通道的出气口;所述第二气体传输通道包括倾斜传输通道,所述倾斜传输通道的出气口作为所述第二出气口;所述倾斜传输通道向远离所述喷嘴本体的中轴线的方向与所述喷嘴本体的中轴线成夹角设置,所述倾斜传输通道与所述喷嘴本体的中轴线的夹角大于0°
,且小于或等于
90
°
。2.
根据权利要求1所述的进气喷嘴,其特征在于,所述倾斜传输通道与所述喷嘴本体的中轴线的夹角介于
30
°‑
70
°
之间
。3.
根据权利要求1所述的进气喷嘴,其特征在于,所述第一气体传输通道和所述第二气体传输通道均嵌于所述喷嘴本体内部;所述第一气体传输通道沿所述喷嘴本体的中轴线设置,并贯穿所述喷嘴本体;所述第二气体传输通道沿所述喷嘴本体的边缘设置
。4.
根据权利要求3所述的进气喷嘴,其特征在于,所述第一出气口自靠近第一进气口的一端向远离所述第一进气口的一端的横截面积逐渐增大,所述第一进气口为所述第一气体传输通道的进气口
。5.
根据权利要求3所述的进气喷嘴,其特征在于,所述第一气体传输通道自第一进气口向所述第一出气口的横截面积逐渐增大,所述第一进气口为所述第一气体传输通道的进气口
。6.
根据权利要求4所述的进气喷嘴,其特征在于,所述进气喷嘴还包括第一进气嘴和第二进气嘴;所述第一进气嘴设置于所述喷嘴本体上,且所述第一进气嘴与所述第一进气口连通;所述第二进气嘴设置于所述喷嘴本体上,且所述第二进气嘴与第二进气口连通,所述第二进气口为所述第二气体传输通道的进气口
。7.
根据权利要求6所述的进气喷嘴,其特征在于,所述喷嘴本体包括:喷嘴主体;喷嘴盖,所述喷嘴盖装配于所述喷嘴主体上;所述第一气体传输通道依次贯穿所述喷嘴盖与所述喷嘴主体,所述第一进气嘴设置于喷嘴盖的顶部
。8.
根据权利要求7所述的进气喷嘴,其特征在于,所述喷嘴主体包括沿所述第一气体传输通道的周向环形布置的环形气体流道,所述环形气体流道设置于所述喷嘴主体的内部;所述第二进气嘴与第二进气口连通,包括:所述第二进气嘴通过所述环形气体流道与若干所述第二气体传输通道的所述第二进气口连通
。9.
根据权利要求7所述的进气喷嘴,其特征在于,沿所述第一气体传输通道的周向,越靠近所述第二进气嘴的所述第二进气...
【专利技术属性】
技术研发人员:李俊,
申请(专利权)人:宸微设备科技苏州有限公司,
类型:新型
国别省市:
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