本技术提供了一种真空腔体及其开盖装置，所述开盖装置安装座、动力组件和支撑组件：所述安装座用于穿设在腔体结构顶部的盖板上，所述安装座开设有安装孔，所述安装孔用于导通所述盖板；所述动力组件穿设于所述安装孔，所述动力组件的一端用于抵接所述支撑...

本技术涉及一种半导体传感器距离微调机构，包括：安装模块，用于安装传感器；移动模块；所述安装模块与所述移动模块连接；驱动模块，驱动所述移动模块直线移动，且所述驱动模块能够获得所述移动模块的直线移动距离，将传感器通过安装模块安装在移动模块上...

本发明提供了一种可调节的旋转升降机构，包括升降机构、连接件、调整组件和旋转机构；所述升降机构与所述连接件的第一侧壁连接，所述升降机构用于带动所述连接件升降；所述调整组件设于所述连接件上并与所述旋转机构连接，所述调整组件用于带动所述旋转机...

本发明公开了等离子晶圆处理装置，中央气体通道的反应腔内出气口的喷气方向正对放置于基座上的晶圆上表面中心，周边气体通道的反应腔内出气口的喷气方向正对放置于基座上的晶圆上表面边缘，增加质量流量计检测设定气体通道的反应气体流量，处理器根据质量...

本发明提供了一种反应源的加热装置，包括腔体、加热装置、密封盖和源瓶。其中，所述腔体内可盛放导热液体，所述加热装置设于所述腔体内，用于对所述导热液体进行加热，以使所述导热液体达到目标温度。所述源瓶设于所述腔体内，所述源瓶用于放置反应源，且...

本发明提供了一种半导体处理装置，通过设置反应腔体和设置在反应腔体的开口处的盖体，并将盖体掏出多个部分，形成支撑骨架和多个维护口，在每个维护口上设置相应的维护盖，并设置维护盖和支撑骨架直接可拆卸连接，当某一区域需要维护时，只需揭开对应的维...

本发明提供了一种晶圆的预装载腔室及其检测方法，所述预装载腔室包括包括装载腔体、支撑件和位置检测机构；所述装载腔体具有装载口，所述装载口与所述装载腔体导通；所述支撑件设于所述装载腔体内，用于支撑从所述装载口输送至所述装载腔内的晶圆；所述位...

本发明属于半导体制造技术领域，具体涉及一种用于刻蚀的基片烘烤腔室，包括第一烘烤室

本发明涉及半导体生产处理设备技术领域，具体是一种基片处理腔室，基片处理腔室连接晶圆传输腔室，包括：腔室本体；加热件；至少一个基片承托结构；加热件设置于腔室本体，用于调节所述腔室本体内部的温度，以使得基片表面的刻蚀副产物；基片承托结构设置...

一种基片处理腔室，包括：腔室本体

本申请涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种进气喷嘴及干法化学蚀刻设备，该进气喷嘴包括喷嘴本体，包括气体传输方向走向一致的第一气体传输通道和若干第二气体传输通道；第一出气口设置于所述喷嘴本体的底部中心位置，所述第一出气口为所述第一气体传输...

本发明公开了一种电控准直器组件，包括由至少一个准直器片状单元相组合形成的第一组合结构，准直器片状单元包括多个贯穿第一和第二表面的贯穿孔以及孔壁。孔壁能连接偏压。准准直器片状单元具有组合功能。第一组合结构具有第一调节参数组包括：准直器片状...

本实用新型公开了一种晶圆金属镀膜系统，其晶圆预抽装置包括预抽腔体、左晶圆升降基座、右晶圆升降基座、左水冷盘及右水冷盘；预抽腔体由横向隔板分割为上下两个腔体；左水冷盘固定安装在预抽腔体底板的左部，右水冷盘固定安装在预抽腔体底板的右部；水冷...

本发明属于半导体处理设备技术领域，具体涉及一种物理气相沉积设备、沉积工艺及刻蚀工艺，包括：反应腔体，连接有真空发生装置；靶材组件，安装于所述反应腔体的上端，所述靶材组件与设置在所述反应腔体外部的靶材电源电连接；磁控源，设置在所述靶材组件...

本申请涉及半导体设备技术领域，具体涉及一种进气喷嘴及干法化学蚀刻设备，该进气喷嘴包括喷嘴本体，包括气体传输方向走向一致的第一气体传输通道和若干第二气体传输通道；第一出气口设置于所述喷嘴本体的底部中心位置，所述第一出气口为所述第一气体传输...

本发明公开了一种晶圆金属镀膜系统，其晶圆预抽装置包括预抽腔体、左晶圆升降基座、右晶圆升降基座、左水冷盘及右水冷盘；预抽腔体由横向隔板分割为上下两个腔体；左水冷盘固定安装在预抽腔体底板的左部，右水冷盘固定安装在预抽腔体底板的右部；水冷盘内...