【技术实现步骤摘要】
一种用于刻蚀的基片烘烤腔室
[0001]本专利技术属于半导体制造
,具体涉及一种用于刻蚀的基片烘烤腔室
。
技术介绍
[0002]基片经过刻蚀等工艺以后,还需要进行烘烤,以使基片上不需要的介质挥发掉
。
烘烤工艺一般在烘烤装置的腔体内进行,现有技术中,一套烘烤装置一般只设有一个烘烤腔室,同时为了使得腔体内部反应条件更好的控制,且使得基片能够被充分的反应,大都采用一个腔室仅放置一个基片的设计;当然也不排除一个腔室内放置多个基片的设计,但是因为腔室内放置了多个基片,其多个基片之间的取放时间
、
以及反应时间难免存在差别,进而导致制备得到的基片之间也会存在差别,使得制备得到的基片的质量不一,反倒不利于基片的量产
。
另外,在刻蚀系统中,有两种腔体,一种是反应腔,一种是烘烤腔,反应腔为主要功能的腔室,所以会优先布置更多的反应腔,而烘烤腔一般的技术方案都是单腔,影响系统产能
。
技术实现思路
[0003]鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种能够提高产能的用于刻蚀的基片烘烤腔室
。
[0004]为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种用于刻蚀的基片烘烤腔室,所述基片烘烤腔室连接传输腔室,所述传输腔室用于将基片送入所述基片烘烤腔室或者将所述基片烘烤腔室中的基片拿出,包括:
[0005]第一烘烤室
、
第二烘烤室
、
加热单元
、
控制单元
...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种用于刻蚀的基片烘烤腔室,所述基片烘烤腔室连接传输腔室,所述传输腔室用于将基片送入所述基片烘烤腔室或者将所述基片烘烤腔室中的基片拿出,其特征在于,包括第一烘烤室
、
第二烘烤室
、
加热单元
、
控制单元
、
以及盖板;所述第一烘烤室的顶壁为中间隔断板结构,所述第二烘烤室的底壁为中间隔断板结构;所述盖板分别可拆卸固定连接所述第一烘烤室的顶壁
、
以及所述第二烘烤室的底壁,以封堵所述第一烘烤室的顶壁
、
以及所述第二烘烤室的底壁;所述第一烘烤室内设置有至少两个基片承托结构,所述第一烘烤室的外壁上设置有第一抽气口
、
以及第一狭缝;所述第二烘烤室内设置有至少两个基片承托结构,所述第二烘烤室的外壁上设置有第二抽气口
、
以及第二狭缝;所述第一抽气口和所述第二抽气口均用于抽走对基片表面进行烘烤之后的气态生成物,所述第一狭缝和所述第二狭缝均用于通过基片;所述加热单元用于对所述第一烘烤腔室和所述第二烘烤室的温度进行调节;所述控制单元用于对所述加热单元进行控制,以使得所述第一烘烤腔室和所述第二烘烤室在进行基片烘烤时候的温度一致;所述第一狭缝和所述第二狭缝用于和所述基片烘烤腔室所连接的传输腔室的同一侧对齐
。2.
根据权利要求1所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室,其特征在于,所述盖板包括第一板和第二板,所述第一板和所述第二板为一体式结构,所述第一板的直径大于所述第二板的直径,以使所述第一板的边缘和所述第二板的边缘之间形成一台阶部;所述第二烘烤室的底壁包括一体成型的第一环和第二环,所述第二环的内侧边缘的直径大于所述第一环的内侧边缘的直径,所述第一环与所述第二环构成台阶状,且所述第一环和第二环的外侧边缘对齐;所述第二环的内侧边缘的直径与所述第一环的内侧边缘的直径的差值,大于或等于所述第一板的直径与所述第二板的直径的差值
。3.
根据权利要求1所述的用于刻蚀的基片烘烤腔室,其特征在于,所述盖板以及所述第二烘烤室的底壁上设置有适配的螺孔,以通过螺丝实现可拆卸...
【专利技术属性】
技术研发人员:廉晓芳,黄勇,张满,姚成汉,
申请(专利权)人:宸微设备科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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