【技术实现步骤摘要】
气相腐蚀设备及测量装置、晶圆加工方法
[0001]本专利技术涉及电控部件
,特别涉及一种气相腐蚀设备及测量装置
、
晶圆加工方法
。
技术介绍
[0002]摩尔定律的强势推动下以鳍式场效应晶体管为主的7纳米技术代高性能
、
低功耗芯片早已集成在当今的智能手机中,制造如此强大的芯片需要引入大量新的化学元素
。
每一个技术代引入不同的化学元素来满足芯片性能的提升,比如铪元素的引入开启了高
k
金属栅时代
。
不同化学元素的引入也带来了制造芯片中的金属沾污控制难度
。
气相分解金属沾污收集系统搭配电感耦合等离子体质谱仪是目前常见的金属沾污检测手段,其灵敏性可以把各种元素的检测灵敏度提高到
E6
~7原子
/
厘米
2。
[0003]另一方面,为了满足制造先进技术代的器件,沾污分析也从氧化硅
、
氮化硅等常规延伸到硅
(
含掺杂
)、r/>锗硅外延层分析本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.
一种测量装置,用于气相腐蚀设备,其特征在于,包括安装主体,所述安装主体具有至少一个顶针,所述安装主体还设置有力传感器和密封部件,所述力传感器用于检测所有所述顶针所承受的压力,所述密封部件用于密封所述气相腐蚀设备的底座上设置的顶针穿过孔
。2.
如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述密封部件包括波纹管组件,与所述顶针一一对应,所述波纹管组件包括波纹管,所述波纹管的两端分别密封固定有第一法兰盘和第二法兰盘,所述第一法兰盘和所述第二法兰盘二者远离所述波纹管的端面均还设置有密封圈,所述第二法兰盘固定连接所述安装主体,所述顶针的一端固定连接所述安装主体,另一端穿过所述波纹管组件延伸至所述第一法兰盘的外部
。3.
如权利要求2所述的测量装置,其特征在于,所述安装主体包括固定板,各所述波纹管组件的第二法兰盘固定于所述固定板,所述力传感器安装于所述固定板的下方
。4.
如权利要求3所述的测量装置,其特征在于,所述波纹管组件的数量至少为三个,各所述波纹管组件的轴线同径布置,所述安装主体还包括支撑杆,所述支撑杆的轴线与各所述波纹管组件的轴线平行,并且所述支撑杆位于各所述波纹管组件所确定的中心位置;所述力传感器安装于所述支撑杆
。5.
如权利要求1所述的测量装置,其特征在于,所述顶针的材料为隔热材料
。6.
如权利要求1至5任一项所述的测量装置,其特征在于,还包括驱动部件,用于驱动所述安装主体沿顶针延伸方向往复运...
【专利技术属性】
技术研发人员:张俊浩,邹志文,程实然,衡科技,孟庆国,崔虎山,许开东,
申请(专利权)人:江苏鲁汶仪器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。