【技术实现步骤摘要】
晶圆金属镀膜系统及方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造技术,特别涉及一种晶圆金属镀膜系统及方法。
技术介绍
[0002]在对晶圆金属镀膜的工艺里,金属镀膜工艺装置的工艺腔通常是两两邻接构成成对腔室,在大于腔壁温度大于150℃高温工艺的时候,成对腔室会因为相联或者靠的太近导致相互之间的温场会相互影响,从而影响腔室温度的独立控制;另外,且又因为工艺腔内部的反应温度会大于400℃,导致晶圆出腔室后的温度很高,如直接暴露在含氧的环境中会导致金属膜氧化,现有工艺通常是让晶圆(wafer)在载具(load)里自然冷却后再传送到运送晶圆的盒子。
[0003]中国专利文献CN210765501U公开了一种晶圆镀膜工艺装置,其上腔体上部设置有上盖,用于连接及维护上腔体内部结构;其内腔体设置在上腔体内部,用于晶圆表面镀膜,内腔体中一端设置有喷淋板,工艺气氛可通过喷淋板进入内腔体,内腔体外周分布有加热器,它可根据镀膜工艺的需要提供均匀的温度场,确保薄膜质量和工艺的正常运行;其晶圆载具在下腔体进行晶圆装载后,进入内腔体,待镀膜反应完成后,晶圆载具向下移动进入下腔体;下腔体一侧设置有进料口,进料口通过矩形阀门与外部传递腔连接,完成晶圆的装卸。
[0004]中国专利文献CN 114823445 A公开了一种晶圆预抽装置,其箱体至少一个侧面开设门洞,用于向箱体内传入或传出晶圆;其箱体至少一侧面开设抽气或充气的接口,用于连接分子泵以对箱体内抽气或放气。该晶圆预抽装置,由于其箱体内部空腔内布置用于叠放多片晶圆的晶圆传送装置,并且 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶圆金属镀膜系统,其特征在于,其包括晶圆预抽装置(1);所述晶圆预抽装置(1)包括预抽腔体(11)、左晶圆升降基座(12)、右晶圆升降基座(13)、左水冷盘(14)及右水冷盘(15);所述预抽腔体(11)由横向隔板(18)分割为上下两个腔体;左水冷盘(14)及右水冷盘(15)均设置在下腔体内,左水冷盘(14)固定安装在预抽腔体(11)底板的左部,右水冷盘(15)固定安装在预抽腔体(11)底板的右部;左水冷盘(14)及右水冷盘(15)内设置有水冷管(16);所述水冷管(16)的进水口及出水口连通到预抽腔体(11)外;左晶圆升降基座(12)设置在左水冷盘(14)中央并能上下移动;右晶圆升降基座(13)设置在右水冷盘(15)中央并能上下移动;预抽腔体(11)下腔体的侧壁设置有向预抽腔体(11)下腔体内置入或取出晶圆(9)的下进料口。2.根据权利要求1所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,所述预抽腔体(11)下侧面固定有基座驱动结构(17),所述基座驱动结构(17)用于驱动左晶圆升降基座(12)及右晶圆升降基座(13)升降。3.根据权利要求1所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,所述水冷管(16)的进水口及出水口中的至少一个连通到预抽腔体(11)底板下侧。4.根据权利要求1所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,所述水冷管(16)的进水口及出水口中的至少一个连通到预抽腔体(11)侧壁外侧。5.根据权利要求1所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,所述晶圆预抽装置(1)的左水冷盘(14)及右水冷盘(15)的上表面均匀形成有多个凸块(19)。6.根据权利要求5所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,所述凸块(19)为陶瓷材质。7.根据权利要求5所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,左水冷盘(14)及右水冷盘(15)内设置的水冷管(16)为螺旋状。8.根据权利要求5所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,所述晶圆预抽装置(1)的预抽腔体(11)的上腔体内设置有晶圆支撑组件(7);所述晶圆支撑组件(7)的每一层设置一对左右布置的支撑体;左支撑体(71)中心到右支撑体(72)中心的距离等于左晶圆升降基座(12)中心到右晶圆升降基座(13)中心的距离;预抽腔体(11)上腔体的侧壁设置有向预抽腔体(11)上腔体内置入或取出晶圆(9)的上进料口。9.根据权利要求8所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,晶圆金属镀膜系统还包括一金属镀膜工艺装置(2);所述金属镀膜工艺装置(2)具有至少一对腔室(21);待镀膜晶圆置于所述腔室(21)中进行金属镀膜工艺,在晶圆表面形成金属膜;每一对腔室的两个腔室(21)的间距为5mm~15mm。10.根据权利要求9所述的晶圆金属镀膜系统,其特征在于,
每一...
【专利技术属性】
技术研发人员:王祥,曾沛钦,李王俊,路坤,
申请(专利权)人:宸微设备科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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