晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统技术方案

本发明专利技术提供一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统，晶圆背面减薄方法包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面；执行第一减薄工艺，以减薄所述晶圆的整个背面；执行第二减薄工艺，以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域，且减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间形成有斜坡。在后续光刻胶涂覆工艺中，减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间由于原来的垂直台阶改为斜坡，光刻胶在涂敷旋转过程中，晶圆边缘积累的光刻胶较原来的垂直台阶大大减少，可以很好的改善晶圆背面边缘区域光刻胶涂敷不均匀的问题，进而提升有效使用面积。进而提升有效使用面积。进而提升有效使用面积。

【技术实现步骤摘要】
晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统。

技术介绍

[0002]为了满足快速发展的半导体集成电路技术，对芯片集成度越来越高的要求，芯片尺寸不断更小更薄，同时考虑到降低单颗芯片的生产成本，晶圆尺寸具有越来越大的趋势。对晶圆更大更薄的要求，一些半导体器件需要用到晶圆背面减薄工艺，用于降低晶圆的半导体衬底如硅衬底的厚度，半导体衬底的厚度降低，则半导体衬底的导电性能和散热性能会变化，从而能提高半导体器件的性能。
[0003]目前50um
‑
150um厚度的晶圆薄片主要使用的是太鼓(Taiko)减薄工艺。太鼓减薄工艺是一种超薄减薄工艺，太鼓减薄工艺并不是对晶圆的整个平面都减薄，而是仅对晶圆的中间部分进行减薄，晶圆的边缘部分不进行研磨减薄，不进行减薄的边缘部分的宽度约为2毫米～5毫米，不进行减薄的边缘部分与减薄的中间部分会形成90
°
的垂直台阶。太鼓减薄工艺中晶圆背面形成的台阶会导致晶圆背面光刻涂胶时台阶周围的光刻胶涂敷不均匀，影响产品有效面积。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统，以解决晶圆背面光刻涂胶时台阶周围的光刻胶涂敷不均匀的问题。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆背面减薄方法，包括：
[0006]提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面；
[0007]执行第一减薄工艺，以减薄所述晶圆的整个背面；
[0008]执行第二减薄工艺，以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域，且减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间形成有斜坡。
[0009]可选的，所述第二减薄工艺为太鼓减薄工艺，采用太鼓减薄装置执行所述太鼓减薄工艺。
[0010]可选的，在所述第二减薄工艺中，通过调整所述太鼓减薄装置与所述晶圆的相对位置以形成减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间的斜坡。
[0011]可选的，调整所述太鼓减薄装置与所述晶圆的相对位置包括移动所述太鼓减薄装置的主轴和/或用于支撑所述晶圆的支撑平台。
[0012]可选的，减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间的斜坡的角度为10度至50度。
[0013]可选的，在执行第一减薄工艺之前，在所述晶圆的正面形成保护层。
[0014]可选的，在执行第二减薄工艺之后，将所述晶圆的正面的保护层去除。
[0015]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种晶圆背面减薄系统，包括太鼓减薄装置，所
述太鼓减薄装置位于所述晶圆上，用于减薄所述晶圆的背面，以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域，以及减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间形成有斜坡。
[0016]可选的，通过调整所述太鼓减薄装置与所述晶圆的相对位置以在所述晶圆的背面形成减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间的斜坡。
[0017]可选的，还包括支撑平台，所述支撑平台用于支撑晶圆；调整所述太鼓减薄装置与所述晶圆的相对位置包括移动所述太鼓减薄装置的主轴和/或用于支撑所述晶圆的支撑平台。
[0018]在本专利技术提供的一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统中，通过执行第二减薄工艺，以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域，且减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间形成有斜坡。在后续光刻胶涂覆工艺中，减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间由于原来的垂直台阶改为斜坡，光刻胶在涂敷旋转过程中，晶圆边缘积累的光刻胶较原来的垂直台阶大大减少，可以很好的改善晶圆背面边缘区域光刻胶涂敷不均匀的问题，进而提升有效使用面积。
附图说明
[0019]本领域的普通技术人员将会理解，提供的附图用于更好地理解本专利技术，而不对本专利技术的范围构成任何限定。其中：
[0020]图1是本专利技术实施例的晶圆背面减薄方法流程图。
[0021]图2是本专利技术实施例的形成保护层后的晶圆的结构示意图。
[0022]图3是本专利技术实施例的第一减薄工艺后的晶圆的结构示意图。
[0023]图4是本专利技术实施例的第二减薄工艺后的晶圆的结构示意图。
[0024]图5是本专利技术实施例的去除保护层后的晶圆的结构示意图。
[0025]图6是本专利技术实施例的形成光刻胶层后的晶圆的结构示意图。
[0026]图7是本专利技术实施例的晶圆背面减薄系统的结构示意图。
[0027]附图中：
[0028]10
‑
晶圆；10a
‑
正面；10b
‑
背面；10c
‑
中心区域；10d
‑
边缘区域；10e
‑
斜坡；11
‑
保护层；12
‑
光刻胶层；20
‑
支撑平台；21
‑
支撑平台旋转方向；30
‑
太鼓减薄装置；31
‑
主轴；32
‑
研磨头；33
‑
主轴旋转方向。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术的目的、优点和特征更加清楚，以下结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且未按比例绘制，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。此外，附图所展示的结构往往是实际结构的一部分。特别的，各附图需要展示的侧重点不同，有时会采用不同的比例。
[0030]如在本专利技术中所使用的，单数形式“一”、“一个”以及“该”包括复数对象，术语“或”通常是以包括“和/或”的含义而进行使用的，术语“若干”通常是以包括“至少一个”的含义而进行使用的，术语“至少两个”通常是以包括“两个或两个以上”的含义而进行使用的，此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或
者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”、“第三”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者至少两个该特征，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0031]图1是本专利技术实施例的晶圆背面减薄方法流程图。如图1所示，本实施例提供一种晶圆背面减薄方法，包括：
[0032]步骤S10，提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面；
[0033]步骤S20，执行第一减薄工艺，以减薄所述晶圆的整个背面；
[0034]步骤S30，执行第二减薄工艺，以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域，且减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间形成有斜坡。
[0035]图2是本专利技术实施例的形成保护层后的晶圆的结构示意图。图3是本专利技术实施例的第一减薄工艺后的晶圆的结构示意图。图4是本专利技术实施例的第二减薄工艺后的晶圆的结构示意图。图5是本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆背面减薄方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆包括相对设置的正面和背面；执行第一减薄工艺，以减薄所述晶圆的整个背面；执行第二减薄工艺，以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域，且减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间形成有斜坡。2.根据权利要求1所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，所述第二减薄工艺为太鼓减薄工艺，采用太鼓减薄装置执行所述太鼓减薄工艺。3.根据权利要求2所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，在所述第二减薄工艺中，通过调整所述太鼓减薄装置与所述晶圆的相对位置以形成减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间的斜坡。4.根据权利要求3所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，调整所述太鼓减薄装置与所述晶圆的相对位置包括移动所述太鼓减薄装置的主轴和/或用于支撑所述晶圆的支撑平台。5.根据权利要求1所述的晶圆背面减薄方法，其特征在于，减薄的所述中心区域和未减薄的所述边缘区域之间的斜坡的角度为10...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁新举，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：