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本发明提供一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统,晶圆背面减薄方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括相对设置的正面和背面;执行第一减薄工艺,以减薄所述晶圆的整个背面;执行第二减薄工艺,以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域,且减...该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。
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本发明提供一种晶圆背面减薄方法及晶圆背面减薄系统,晶圆背面减薄方法包括:提供一晶圆,所述晶圆包括相对设置的正面和背面;执行第一减薄工艺,以减薄所述晶圆的整个背面;执行第二减薄工艺,以在所述晶圆的背面形成减薄的中心区域和未减薄的边缘区域,且减...